| 例文 |
orienterを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
The substrate processing apparatus, for example, for etching a wafer has a functional module, such as an orienter 4.例文帳に追加
ウエハにエッチング等の処理を行う基板処理装置は、例えばオリエンタ4等の機能モジュールを備えている。 - 特許庁
After an orienter 21 measures the position of a wafer W, the wafer W is conveyed at a first conveyance speed along a prescribed path while loaded on a fork 27.例文帳に追加
オリエンタ21でウエハWの位置測定を行った後、フォーク27上にウエハWを載置した状態で所定の経路を第1の搬送速度で搬送する。 - 特許庁
The orienter 21 measures the position of the wafer W again, and a displacement amount D1 due to a slip of the wafer W is calculated on the basis of the result of the position measurement.例文帳に追加
再びオリエンタ21でウエハWの位置測定を行い、位置測定の結果に基づきウエハWのスリップによる変位量D1を算出する。 - 特許庁
For example, a wafer, which is subjected to a prescribed etching process in an etching chamber 1, is temporarily transferred to the orienter chamber A or B, or to the transportation buffer chamber 5 and the etched depth is measured by the film thickness measurement mechanism.例文帳に追加
例えばエッチング室1にて所定のエッチングプロセスを施されたウェハは、一旦オリエンタ室AまたはB、あるいは搬送バッファ室5に搬送され、膜厚測定機構によりエッチング深さが測定される。 - 特許庁
An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible.例文帳に追加
オリエンターチャンバ55にエリプソメータが配設され、成膜,アニール,エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域(アモルファス層)の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|