「p process」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In a process of decoding the coded data sequence intermingling I-pictures, P-pictures, and B-pictures, when high-speed reproducing is performed by thinning out and displaying a frame according to a reproducing speed, prior to the reproducing, the format and the order of pictures in a GOP to be reproduced are acquired by a picture configuration acquiring section 104.例文帳に追加

Ｉピクチャ、Ｐピクチャ、Ｂピクチャが混在した符号化データ列を復号する過程において、再生速度に応じてフレームを間引いて表示することにより高速再生を行うとき、再生に先立って、ピクチャ構成情報取得部１０４により、再生すべきＧＯＰ内のピクチャの形式および順序を取得しておく。 - 特許庁

A developer storage space 70 is formed in the developing apparatus 60 of a process cartridge 64, and a latent image writing position P on an image carrier 44 by an optical writing apparatus 58 is arranged lower than at least a part of the developer storage space 70, and the space between the paper feeding unit 18a and the optical writing apparatus 58 is made small.例文帳に追加

プロセスカートリッジ６４の現像装置６０には現像剤収納空間７０を有し、この現像剤収納空間７０の少なくとも一部よりも、光書込み装置５８による像担持体４４の潜像書込み位置Ｐが下方にあり、給紙ユニット１８ａと光書込み装置５８との間のスペースを小さくしてある。 - 特許庁

The edge defect detecting method of the invention is provided with the process of enhancing the edge defects at edges E1-E3 in a plurality of the directions D1-D3 in the pattern P, and obtaining edge defect enhancement values by applying an edge defect enhancement filter to a captured image.例文帳に追加

本発明のエッジ欠陥検出方法は、撮像画像にエッジ欠陥強調フィルタを適用することにより、パターンＰにおける複数の方向Ｄ１〜Ｄ３にそれぞれ沿った各エッジＥ１〜Ｅ３に係るエッジ欠陥を強調し、エッジ欠陥強調値を取得するエッジ欠陥強調工程を備える。 - 特許庁

In the first process, a molded body 60 of valve action metal which serves as the sintered body is manufactured by disposing a dummy member 61 at a spot P where the engagement part is formed, after that, the dummy member 61 is removed from the molded body 60, and the sintered body is then sintered at a first prescribed temperature to manufacture the sintered body.例文帳に追加

そして、第１工程では、焼結体となる弁作用金属粉の成型体60を、嵌合部を形成せんとする箇所Ｐにダミー部材61を配して作製し、その後、成型体60からダミー部材61を取り除き、続いて該成型体60を第１所定温度で焼成して焼結体を作製する。 - 特許庁

Since positive holes generated in a manufacturing process are dispersed and captured on two interfaces of the three-layer light transparent film, electric field strength in the vicinity of a surface of the p-type semiconductor layer 102 is made smaller than the conventional case, generation of inversion of conductivity type is made little, and the leakage current between the light receiving part can be reduced.例文帳に追加

この３層の光透過性膜の２つの界面に、製造工程で生じた正孔が分散して捕獲されるので、Ｐ型半導体層１０２の表面付近における電界強度が従来より小さくなり、導電型の反転が少なくなって、受光部間のリーク電流が少なくできる。 - 特許庁

In a manufacturing method of a CMOS semiconductor device having a silicide process structure, a titanium film 38 is formed on silicide forming regions of a P-channel type MOS transistor and an N-channel type MOS transistor, and a silicon film 39A is formed only on the titanium film 38 on the silicide forming region of the N-channel type MOS transistor.例文帳に追加

シリサイドプロセス構造のＣＭＯＳ半導体装置の製造方法において、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ及びＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのシリサイド形成領域上にチタン膜３８を形成し、前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ上のシリサイド形成領域上のチタン膜３８上にのみシリコン膜３９Ａを形成する。 - 特許庁

In the process for fabricating a thin film transistor on a substrate 1, a source S_1 and a drain D_1 are formed by growing an SiGe thin film containing P or B in the source S_1 and drain D_1 forming parts on the surface of a channel C_1 which is formed of an Si polycrystalline film on the substrate 1.例文帳に追加

基板１上に薄膜トランジスタを形成する方法であって、ソースＳ_1 およびドレインＤ_1 の形成が、上記基板１上に形成されたＳｉ多結晶膜からなるチャネルＣ_1 の表面のソースＳ_1 およびドレインＤ_1 形成予定部分に、ＰまたはＢを含有するＳｉＧｅ薄膜を成長させることにより行われる。 - 特許庁

To increase a work function difference between a metal compound used in the gate electrode pattern of a n-channel MOS transistor and a metal compound used in the gate electrode pattern of a p-channel MOS transistor, in the n-channel MOS transistor which is formed in a gate first process and which uses the metal compound as the gate electrode pattern.例文帳に追加

ゲートファーストプロセスで形成できる、金属化合物をゲート電極パターンとして使うｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいて、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物に対し、前記ｎチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物の仕事関数差を増大させる。 - 特許庁

In the process of inserting the hose H into the pipe P, a thrust portion 7 of the seal retainer 1 thrusts a first lug operation portion 9 of the hose clamp 2 to cause axial movement thereof relative to a second lug operation portion 10, and so both lug operation portions 9, 10 are disengaged from each other and the hose clamp 2 is changed into a diameter shrunk condition.例文帳に追加

ホースＨを配管Ｐへ差し込む過程で、シールリテーナ１の押圧部７がホースクランプ２の第１つまみ操作部９を押圧して第２つまみ操作部１０との間で軸方向へ相対移動を生じさせるため、両つまみ操作部９．１０間の係止が解かれ、ホースクランプ２が縮径状態へと移行する。 - 特許庁

The apparatus 1 for detecting the welding current is set up in the welding process of an electric resistance welding tube P, and equipped with a magnetic sensor 11 which is installed in the upper part of the groove M1 of the material M to be welded and a signal processing means 12 which detects the welding current flowing in the groove M1 on the basis of the output of the magnetic sensor 11.例文帳に追加

溶接電流検出装置１は、電縫溶接管Ｐの溶接工程に設置され、被溶接材料Ｍの開先部Ｍ１の上方に設置された磁気センサ１１と、磁気センサ１１の出力に基づいて開先部Ｍ１に流れる溶接電流を検出する信号処理手段１２とを備えている。 - 特許庁

An apparatus for decoding and reproducing includes a timing controller 10 which communicates a designation 61 of starting output processing 60 to an image output unit 6 at a time t2 earlier only by a predicted value for the processing delay y of the image output unit 6 from an output starting time P indicated by a time stamp attached to each frame after receiving the completion notification 42 of a decoding process 40.例文帳に追加

タイミング制御部１０は、復号処理４０の完了通知４２を受け取った後に、フレーム毎に付されたタイムスタンプが示す出力開始時間Ｐから画像出力部６の処理遅延ｙについての予測値だけ早い時間ｔ２に、出力処理６０の開始の指示６１を画像出力部６へ伝える。 - 特許庁

The film thickness distribution k(x, y) of a sample 13 is monitored by a distribution monitoring section 18 during operating a film deposition process by a plasma P and a gap distribution control section 15 is controlled by a control section 19 so as to control a non-uniform gap distribution g(x, y) according to the monitoring result.例文帳に追加

プラズマＰによる膜形成プロセスの稼動中に、分布モニタリング部１８が試料１３の膜厚分布ｋ（ｘ、ｙ）をモニタリングし、モニタリング結果に基づいて、制御部１９が、ギャップ分布調整部１５を制御して、不均一なギャップ分布ｇ（ｘ、ｙ）を調整するので、予備的な実験・評価を繰り返す必要がない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that stably exhibits a high reverse recovery withstand independently of the existence and nonexistence of the defects caused during the wafer process for manufacturing the semiconductor device, even if the semiconductor device is a pn-junction diode having a structure, in which an anode electrode is formed on an outer circumferential portion surface of a p-type anode diffusion region with an insulating film interposed.例文帳に追加

ｐ型アノード拡散領域の外周部表面に絶縁膜を介してアノード電極が設けられる構造を有するｐｎ接合ダイオードであっても、該ダイオードを製造する際のウエハプロセスに起因する欠陥の有無に依らず、安定的に高い逆回復耐量を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The liquid crystal display can be manufactured by combining formation of a gettering sink outside a p-channel type TFT region and a process of self-alignedly removing a part of a region, where the elements of a catalyst are gettered that is located outside the TFT region, by a source interconnection or drain interconnection.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＴＦＴ領域の外側にゲッタリングシンクを設けることと、触媒元素をゲッタリングさせた領域の内、ＴＦＴ領域の外側に設けられている領域をソース配線あるいはドレイン配線により自己整合的に除去する工程とを組み合わせることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁

To improve the TFT characteristics by reducing amount of hydrogen H_2 to be taken into a semiconductor thin film without any damage on the semiconductor thin film, in the plasma discharge process which is executed by the P-CVD apparatus for lift-up of a glass substrate having formed a semiconductor thin film from a lower electrode.例文帳に追加

Ｐ−ＣＶＤ装置により、半導体薄膜を成膜したガラス基板を下部電極からリフトアップする際に行うプラズマ放電処理において、成膜した半導体薄膜へダメージを与えることなく、また、半導体薄膜に取り込まれるＨ_2の量を少なくして、ＴＦＴ特性の向上を図る。 - 特許庁

In this case, while a source electrode 15 and a drain electrode 16 for the p-type TFT, and a source electrode 14 and a drain electrode 16 for the n type TFT are all connected, the above process is performed, and then unnecessary wiring are cut by light irradiation (using a scanning laser exposure device etc) in order to constitute an arbitrary circuit.例文帳に追加

このとき、任意回路を構成するために、まずｐ型ＴＦＴ用のソース電極１５とドレイン電極１６、および、ｎ型ＴＦＴ用のソース電極１４とドレイン電極１６をそれぞれすべて繋いでおいて、上記プロセスを行い、その後、光照射（走査型レーザー露光装置など）により不要配線を切断する。 - 特許庁

In addition, in order to promote the commercialization of the outputs of technological development, action will be taken to inform and encourage SMEs to use the commercialization support available, including a database of enterprises selected for specific subsidies that is maintained to publicize their technological capabilities, and the provision of low-interest loans by JFC. At the same time, use of a multistage selection process (phased competitive selection) will be adopted and expanded for allocation of special subsidies while steadily implementing R&D projects supported under the SBIR Program to Support Technological Innovations Chosen by Phased Competitive Selection. (Continuation) (See p. 204.) 例文帳に追加

さらに、技術開発成果の事業化を促進するため、特定補助金等の採択企業の技術力をPR するデータベースや日本公庫による低利融資等の事業化支援措置を中小企業者等に周知し、利用促進を図るとともに、SBIR 段階的競争選抜技術革新支援事業による研究開発事業を着実に実施しつつ、特定補助金等への多段階選抜方式（段階的競争選抜方式）の導入拡大を図る。（継続）（p.208参照） - 経済産業省

The screen process printer 10 comprises a rotary screen 26 with an internally arranged ink supply pipe 33, an impression cylinder 39 which is disposed opposite to the rotary screen 26 and feeds a printing paper P, a squeegee 35 which is disposed inside the rotary screen 26 and supplies ink I to screen meshes A and a doctor 37 juxtaposed with the squeegee 35.例文帳に追加

内部にインキ供給管３３が配置されたロータリースクリーン２６と、これに対峙する位置に設けられて印刷用紙Ｐを送り出す圧胴３９と、前記ロータリースクリーン２６内に配置されてインキＩを版孔Ａに供給するスキージー３５と、このスキージー３５に並設されたドクター３７とを備えてスクリーン印刷装置１０が構成されている。 - 特許庁

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁

In roll changing process of a first roll 100b, a control server 3 controls the roll shop P so that the first roll 100b for supplying to a ZM rolling mill 2 is supplied from a ZM supply area 61 to a changer 69 and also the first roll 100b which is recovered from the ZM rolling mill is recovered from the changer 69 to the ZM recovery area 62.例文帳に追加

ファーストロール１００ｂのロール交換処理では管理サーバ３は、ＺＭ圧延機２に供給するファーストロール１００ｂをＺＭ供給エリア６１からチェンジャー６９に供給するとともに、ＺＭ圧延機２から回収されたファーストロール１００ｂをチェンジャー６９からＺＭ回収エリア６２に回収するようにロールショップＰを制御する。 - 特許庁

This dispersant is used in the ceramic kneading composition in the method of manufacturing of ceramic products including a process of extrusion molding of the ceramic kneading composition, and contains a vinyl polymer (P) containing as constituting monomer units, (meth)acrylic acid (salt) (A) and a vinyl monomer (B) represented by general formula (1): R^1-O-(AO)_p-X.例文帳に追加

セラミック混練組成物を押出成形する工程を含むセラミック製品の製造方法において前記セラミック混練組成物に使用される分散剤であって、（メタ）アクリル酸（塩）（Ａ）及び一般式（１）で表されるビニルモノマー（Ｂ）を構成単量体単位として含むビニルポリマー（Ｐ）を含有することを特徴とする分散剤である。 - 特許庁

This coloring method includes: performing a heat coloring process for generating a polymerizable colored material with the high light resistance in lumber 2 by heating the lumber 2 by high pressure water vapor; after that, manufacturing a sliced veneer 2s by slicing the lumber 2; and applying a coating material P, obtained by diluting a coloring agent composed mainly of a white pigment with a diluent, to a surface of the sliced veneer 2s.例文帳に追加

木材２に高圧水蒸気による加熱を与えて、木材２の内部に耐光性の高い重合性着色物を生成させる熱着色処理を行い、その後、木材２をスライスしてスライス単板２ｓを作製し、スライス単板２ｓの表面に、白色顔料を主成分とした着色剤を希釈剤で希釈した塗料Ｐを塗布する。 - 特許庁

In the case where an electronic component is mounted on an actual printed board P, when the beam 4A moves to a position set by considering the number of pulses obtained by converting the offset value to the number of pulses in an imaging and recognition process of an electronic component sucked and held to a suction nozzle 5, it is reflected on timing at which an image incorporation circuit 41 issues an incorporation command.例文帳に追加

そして、実際のプリント基板Ｐ上への電子部品の装着する場合において、吸着ノズル５に吸着保持された電子部品の撮像及び認識処理の際に、前記オフセット値をパルス数に換算したパルス数を考慮した位置までビーム４Ａが移動したときに画像取込回路４１が取込指令を発するタイミングに反映させる。 - 特許庁

The printing method includes: the conveyance step of conveying the recording medium (P) from a first roller (2) to a second roller (3), and changing a drive amount of the first roller according to a conveyance position of the recording medium when conveying the recording medium to a printing region by the second roller; and the printing step of performing printing process on the recording medium conveyed by the second roller.例文帳に追加

第１ローラー（２）から第２ローラー（３）に記録媒体（Ｐ）を搬送し、第２ローラーにより印刷領域に記録媒体を搬送する際に、記録媒体の搬送位置に応じて第１ローラーの駆動量を変化させる搬送工程と、第２ローラーにより搬送された記録媒体に印刷処理を行う印刷工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The printing method includes: the printing step of performing printing process by conveying the recording medium (P) in a conveyance direction (F); and the holding step of holding the recording medium between a first roller (136) and a second roller (135) while conveying the recording medium in the conveyance direction, by bringing near the first roller moving in the conveyance direction and the second roller conveying the recording medium.例文帳に追加

記録媒体（Ｐ）を搬送方向（Ｆ）に搬送して印刷処理を行う印刷工程と、搬送方向に移動する第１ローラー（１３６）と記録媒体を搬送する第２ローラー（１３５）とを近接させ、記録媒体を搬送方向に搬送しつつ第１ローラーと第２ローラーとの間に挟持する挟持工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming a polysilicon (p-Si) film in a process for manufacturing an integrated circuit(IC) comprises a step for sputtering an amorphous silicon (a-Si) material on a substrate, a step for supplying mixture gas containing hydrogen by about 4 vol.% during gas supply, and a step for forming an amorphous silicon film containing hydrogen.例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）製造プロセスにおける多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜を形成する方法は、基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料をスパッタリングする工程と、ガス供給中に水素含有量が４体積％程度のガス混合気を供給する工程と、水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

Further, even when introduction conditions of the n type or p type impurities and heating conditions of a semiconductor substrate 1 in well formation are predetermined, the reverse withstand voltage of the diode can optionally be set by adjusting the interval of the border area Ad, so the diode can be formed by using the well forming stage in an ordinary CMOS process.例文帳に追加

またｎ型およびｐ型の不純物の導入条件や、ウェル形成時における半導体基板１の加熱条件が予め決まっている場合でも、境界領域Ａｄの間隔を調節することでダイオードの逆方向耐電圧を任意に設定できるので、通常のＣＭＯＳプロセスでのウェル形成工程を用いてダイオードを形成できる。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

To provide a technology for producing attractive malt, with which concentration of PYF activity, namely PYF factor of PYF malt conventionally having difficulty in use is reduced without influencing a brewing process and product qualities and LOX activity and malt T2N-P to cause reduction in beer flavor stability are remarkably reduced.例文帳に追加

これまで使用が困難であったＰＹＦ麦芽のＰＹＦ活性すなわちＰＹＦ因子の濃度を醸造工程ならびに製品品質に影響を与えないように低減させ、さらにビール香味安定性の低下を招く、ＬＯＸ活性及び麦芽Ｔ２Ｎ−Ｐを著しく低減させた魅力のある麦芽を製造する技術を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor layer formation process is performed, where a semiconductor layer 13 made of an n-type low-resistance region having higher impurity concentration than a semiconductor substrate 1 at the scheduled formation part (inside the semiconductor substrate 1 at one surface side of the semiconductor substrate 1) of the electrical heating element 3 at one surface side of the semiconductor substrate 1 made of a p-type silicon substrate.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板からなる半導体基板１の一表面側における発熱体３の形成予定部位（半導体基板１の上記一表面側における半導体基板１内）に半導体基板１よりも不純物濃度が高いｎ形の低抵抗領域からなる半導体層１３を形成する半導体層形成工程を行う。 - 特許庁

To ensure airtightness inside an organic EL display and to reduce thermal shrinkage of a glass plate in a process for producing a p-Si TFT, while lowering the production cost of the glass plate, by an alkali-free glass which is excellent in productivity (in particular, devitrification resistance), matches a glass sealant in thermal expansion coefficient and has a high strain point.例文帳に追加

生産性（特に耐失透性）に優れると共に、ガラス封止材の熱膨張係数に整合し、しかも歪点が高い無アルカリガラスを創案することにより、ガラス板の製造コストを低廉化しつつ、有機ＥＬディスプレイ内部の気密性を確保し、且つｐ−Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程におけるガラス板の熱収縮を低減すること。 - 特許庁

A pretreatment section 23 in this X-ray CT apparatus detects a region where the contrast medium flows in, and a correction process section 30 corrects beam hardening from a correction component acquired on the region of the contrast medium and the region other than the contrast medium region in a subject P based on the detected contrast medium region.例文帳に追加

Ｘ線ＣＴ装置に於いて、造影剤の流入する領域が前処理部２３にて検出され、この検出された造影剤の領域に基づいて、補正処理部３０に於いて被検体Ｐ内の造影剤の領域と該造影剤の領域以外の領域について得られた補正成分から、ビームハードニング補正が行われる。 - 特許庁

In the base material manufacturing process, in which Al-doped vitrified SiO_2 is heaped in a quartz tube P by heating by supplying SiCl_4 gas and O_2 gas together with AlCl_3 gas via a piping 61 which is formed with a metal containing iron, the temperature of the piping 61 which supplies AlCl_3 gas is set at a temperature not higher than 215°C.例文帳に追加

母材作製工程において、石英管Ｐ内に、ＳｉＣｌ_４ガス及びＯ_２ガスと共に鉄を含む金属で形成された配管６１を介してＡｌＣｌ_３ガスを供給して加熱することにより、Ａｌがドープされたガラス化したＳｉＯ_２を堆積させる際に、ＡｌＣｌ_３ガスを供給する配管６１の温度を２１５℃以下に設定する。 - 特許庁

After a GaN semiconductor crystal containing p-type impurities is grown by a vapor-phase growing method, a process is provided in which, at the crystal growth temperature, an atmosphere is changed to a cooling atmosphere containing ammonia by 0.1-30 vol.%, and the semiconductor crystal is cooled in the cooling atmosphere.例文帳に追加

気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体結晶を成長させた後、その結晶成長温度において、雰囲気を、アンモニアを０．１〜３０ｖｏｌ％の割合で含む冷却用雰囲気に切り替え、該冷却用雰囲気中において前記半導体結晶を冷却する工程を有するｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。 - 特許庁

This invention comprises the increase of molecular extinction coefficient of a colorant by ion-exchanging method to enable the increase of B (resin) of P/B and the design and adoption of a composition effective for increasing the concentration of polar groups and improve the quality required as a resin, thereby increasing the molecular extinction coefficient to the limit as far as possible and excluding process inhibiting factors.例文帳に追加

本発明の構成は、色素物質のイオン交換法で分子吸光係数を高め、これによりＰ／ＢのＢ（樹脂）を増加できる余地を作り、次いで、樹脂の役割である、極性基濃度を上げる効果とその質を高める組成を設計採用し、出来るだけ分子吸光係数の限界値に到達を可能ならしめ、この間のプロセス阻害因子を排除するという内容となっている。 - 特許庁

The cellulose acylate film to be formed by the solution casting method is manufactured by the process comprising a casting step of casting a cellulose acylate composition containing a cellulose acylate, a compound (H) which generates an acid by light, a hydroxyaryl group-containing oligomer (P), and a compound (K) which crosslinks by the acid and a photoirradiation step.例文帳に追加

溶液流延方法により形成されるセルロースアシレートフィルムにおいて、セルロースアシレート、光により酸を発生する化合物（Ｈ）、ヒドロキシアリール基を含有するオリゴマー（Ｐ）、及び酸により架橋する化合物（Ｋ）を含有するセルロースアシレート組成物を流延する流延工程と光照射の工程とを含む工程により作製されたことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。 - 特許庁

In a trench forming process, a trench 15 is formed that makes round parting both the n-type semiconductor region 13 and p-type semiconductor region 14 appearing adjacent on the top surface of the semiconductor substrate 9 and extends sufficiently deep, to penetrate the injection ranges 12 and 14 of the impurities from the top surface of the semiconductor substrate 9 to the reverse surface of the semiconductor substrate 9.例文帳に追加

トレンチ形成工程では、半導体基板９の表面に隣接して出現しているｎ型半導体領域１３とｐ型半導体領域１４の双方を分断して一巡するととともに半導体基板９の表面から半導体基板９の裏面に向けて不純物の注入範囲１２、１４を貫通する深さにまで伸びているトレンチ１５を形成する。 - 特許庁

The method for producing a liquid crystalline resin comprises, in reacting a monomer mixture containing hydroquinone and p-hydroxybenzoic acid with acetic anhydride for acetylation and further polymerizing to produce a liquid crystalline resin, before carrying out the acetylation reaction, including a process for mixing the monomer mixture with acetic anhydride at ≥30°C and <55°C to slurry the mixture.例文帳に追加

ヒドロキノンおよびｐ−ヒドロキシ安息香酸を含むモノマー混合物を、同一系で無水酢酸と反応させ、アセチル化を行った後、さらに、重合して液晶性樹脂を製造する際に、アセチル化反応を行う前に該モノマー混合物と無水酢酸を３０℃以上５５℃未満の温度で混合してスラリー化する工程を含むことを特徴とする液晶性樹脂の製造方法。 - 特許庁

This forming method of fluorescent screen for a plasma display panel has a process using a coating head having plural discharge holes, relatively moving the coating head facing a substrate, and filling phosphor paste in cells partitioned by ribs on the substrate, and the amount of the phosphor paste P filled in each cell partitioned by the ribs 3 is specified.例文帳に追加

複数の吐出孔を有する塗布ヘッドを使用し、この塗布ヘッドを基板と対向させて相対的に移動させながら、基板上のリブで区画されたセルに蛍光体ペーストを充填するようにしたプラズマディスプレイパネルの蛍光面形成方法において、リブ３によって仕切られた各セル部に蛍光体ペーストＰを充填する際における充填量を規定する。 - 特許庁

The liquid crystal aligning agent comprises the imidized polymer which has 0.05-10 dL/g intrinsic viscosity and recurring units obtained by reacting alicyclic tetracarboxylic acid dianhydride such as 1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dianhydride with a combination of an diamine compound having nitrogen-containing heterocycle such as 2,6-diaminopyridine and an aromatic diamine such as p-phenylendiamine, and the agent is coated by a printing process.例文帳に追加

１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物の如き脂環式テトラカルボン酸二無水物と、２，６−ジアミノピリジンの如き含窒素複素環を有するジアミン化合物およびｐ−フェニレンジアミンの如き芳香族ジアミンとの組合せとを反応して得られるイミド繰返し単位を有する固有粘度０．０５〜１０ｄｌ／ｇのイミド化重合体を含有しそして印刷法により塗布する液晶配向剤。 - 特許庁

Namely, the shape of the microparticle P itself appears as a projection shape on the surface of the phosphor layer 504, thereby eliminating steps for forming a rugged shape on the surface of the phosphor layer 504, for example, for transferring a fine convexoconcave shape onto the surface of the phosphor layer by a stamper, or for applying an etching process to the surface of the phosphor layer.例文帳に追加

すなわち、微小粒子Ｐ自体の形状が蛍光体層５０４表面に突起形状として現れることで、蛍光体層５０４表面に凹凸形状を形成することを目的とする工程、例えば、蛍光体層の表面にスタンパによって微細な凹凸形状を転写する工程や、蛍光体層の表面にエッチング処理を施す工程を、不要とする。 - 特許庁

To reduce the number of PEPs, improve throughput, and reduce the cost by simultaneously implanting impurities into a capacity region and each region of the source and drain of each N-type and P-type TFT, by utilizing features that an original impurity conductivity-type stays even if an opposing impurity is implanted into an already implanted impurity region in the manufacturing process of a TFT array.例文帳に追加

ＴＦＴアレイの製造過程にあって、既に注入済の不純物領域に、後から相対する不純物を注入しても、元の不純物導電型のままであるという特徴を生かして、容量領域とＮ型、Ｐ型の各ＴＦＴのソース、ドレインの各領域の不純物注入を同時に行うようにしてＰＥＰ数を低減し、スループットを向上し併せてコストを低減する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a photoelectric conversion element exhibiting good interface characteristics to both an oxide based transparent conductive film and a photoelectric conversion layer in which a high conductivity is ensured while suppressing the quantity of light absorption by preventing the film quality of a p-layer from deteriorating due to the discomposition effect of hydrogen from a semiconductor layer of impurities while securing good interface characteristics.例文帳に追加

良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるｐ層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An elastic resin composition containing 10 to 20 wt.% thermoplastic styrene elastomer, 5 to 15 wt.% tackifier, and 65 to 85 wt.% process oil and having a melt viscosity of 10 cP to 300 P at a melt temperature of 160°C is used as a tire tube filling elastic resin composition which is poured into a tire tube through its air injection valve.例文帳に追加

タイヤの空気注入用バルブを介してタイヤチューブ内に注入充填されるタイヤチューブ充填用弾性樹脂組成物として、スチレン系熱可塑性エラストマーを１０〜２０重量％、粘着付与剤を５〜１５重量％、プロセスオイルを６５〜８５重量％の割合で含み、溶融温度１６０℃において溶融粘度が１０ｃＰ〜３００Ｐである弾性樹脂組成物を用いる。 - 特許庁

In a plurality of liquid crystal display modules ML held in a heating chamber 14 with a proper interval, a driver chip 10 and a flexible wiring board 11 are subjected to thermo compression bonding to an extension part 2a of one glass substrate 2 where the connection terminal line of a lead wiring connected to the electrode of a panel P is formed in a previous process via an anisotropic conductive bonding sheet 12.例文帳に追加

加熱チャンバ１４内に適長間隔を空けて保持された複数の液晶表示モジュールＭＬにおいては、それぞれ、パネル部Ｐの電極に連なるリード配線の接続端子列を形成した一方のガラス基板２の延出部２ａに、異方性導電接着シート１２を介してドライバチップ１０とフレキシブル配線基板１１が、前工程でそれぞれ熱圧着接合されている。 - 特許庁