「resistance change」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

RESISTANCE-CHANGE MEMORY例文帳に追加

抵抗変化型メモリ - 特許庁

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置 - 特許庁

NONLINEAR RESISTANCE CHANGE ELEMENT例文帳に追加

非線形抵抗変化素子 - 特許庁

The resistance change extraction unit extracts change in the resistance.例文帳に追加

抵抗変化抽出部は、その抵抗の変化を抽出する。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF FORMING RESISTANCE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子及びその形成方法 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING RESISTANCE CHANGE ELEMENT例文帳に追加

抵抗変化型素子および抵抗変化型素子製造方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF RESISTANCE CHANGE MEMORY, RESISTANCE CHANGE MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD OF RESISTANCE CHANGE MEMORY例文帳に追加

抵抗変化メモリのフォーミング方法、抵抗変化メモリ、及び、抵抗変化メモリの製造方法 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

抵抗変化型不揮発性記憶装置 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

抵抗変化型メモリデバイス - 特許庁

NON VOLATILE RESISTANCE CHANGE ELEMENT例文帳に追加

不揮発性抵抗変化素子 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE TYPE GAS SENSOR CIRCUIT例文帳に追加

抵抗変化型ガスセンサ回路 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE DETECTION MATERIAL例文帳に追加

抵抗変化検出材料 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY DEVICE例文帳に追加

抵抗変化型メモリデバイス - 特許庁

CHANGE IN RESISTANCE TYPE STORAGE DEVICE例文帳に追加

抵抗値変化型記憶装置 - 特許庁

DETECTION CIRCUIT FOR MINUTE RESISTANCE CHANGE例文帳に追加

微小抵抗変化の検出回路 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE-TYPE INFRARED SENSOR例文帳に追加

抵抗変化型赤外線センサ - 特許庁

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

抵抗変化型半導体メモリ - 特許庁

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

抵抗変化型メモリ装置 - 特許庁

A change in resistance value of the resistance change element 23 to the magnitude of reading voltage corresponds to a change in resistance value of the resistance change element 13.例文帳に追加

読み出し電圧の大きさに対する抵抗変化素子２３の抵抗値の変化は、抵抗変化素子１３の抵抗値の変化と対応する。 - 特許庁

NONVOLATILE RESISTANCE CHANGE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE RESISTANCE CHANGE ELEMENT例文帳に追加

不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, PRODUCTION METHOD THEREOF, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY例文帳に追加

抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY例文帳に追加

抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ - 特許庁

TEST APPARATUS AND METHOD OF RESISTANCE CHANGE MEMORY, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

抵抗変化メモリのテスト装置、方法および抵抗変化メモリ装置 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for improving the stability in a resistance change and a resistance change ratio of a resistance change type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance-change memory for preventing deterioration of switching characteristics of a resistance-change film and reducing variation of the characteristics.例文帳に追加

抵抗変化膜のスイッチ特性が劣化するのを防ぐとともに、特性ばらつきを低減する。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

抵抗変化素子とその製造方法ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, RESISTANCE CHANGE MEMORY EMPLOYING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法 - 特許庁

This offers a resistance change rate (ΔR/R) that is stabler and higher than a conventional resistance change rate.例文帳に追加

これにより従来に比べて安定して高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY USING THE SAME ELEMENT例文帳に追加

抵抗変化素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ - 特許庁

DRIVING METHOD OF RESISTANCE CHANGE ELEMENT, NONVOLATILE STORAGE DEVICE, RESISTANCE CHANGE ELEMENT AND MULTIPLE VALUE STORAGE METHOD例文帳に追加

抵抗変化素子の駆動方法、不揮発性記憶装置、抵抗変化素子および多値記憶方法 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF FORMING RESISTANCE CHANGE LAYER例文帳に追加

抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法 - 特許庁

To provide a medium for thermal recording excellent in warm water resistance, color change resistance and plasticizer resistance.例文帳に追加

耐温水性、耐変色性及び耐可塑剤性に優れた感熱記録用媒体を提供すること。 - 特許庁

When a resistance value change request means 30a1 requests a change of resistance value to a plurality of setting resistance values to a detection resistance part RL in an optional order, the measuring resistance part RL changes the resistance value to the setting resistance value.例文帳に追加

抵抗値変更要求手段３０ａ１が検出抵抗部ＲＬに複数の設定用抵抗値への変更を任意の順番で要求すると、測定抵抗部ＲＬはその設定用抵抗値に抵抗値を変更する。 - 特許庁

One embodiment includes a resistance change sensor.例文帳に追加

一実施形態は、抵抗変化センサを含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING RESISTANCE CHANGE ELEMENT例文帳に追加

抵抗変化素子を有する半導体メモリ - 特許庁

The upper electrode layer is disposed above the resistance change layer.例文帳に追加

上部電極層は、抵抗変化層の上に配されている。 - 特許庁

The lower electrode layer is disposed under the resistance change layer.例文帳に追加

下部電極層は、抵抗変化層の下に配されている。 - 特許庁

The resistance change element for constituting the resistance change memory has a lower electrode, a resistance change film contacting with at least a part of a sidewall of the lower electrode and an upper electrode laminated on the resistance change film.例文帳に追加

抵抗変化メモリを構成する抵抗変化素子は、下部電極と、前記下部電極の側壁の少なくとも一部と接する抵抗変化膜と、前記抵抗変化膜上に積層される上部電極とを有する。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING RESISTANCE CHANGE ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

抵抗変化素子の制御方法、および、半導体装置 - 特許庁

A semiconductor device includes a resistance change element 10.例文帳に追加

半導体装置は、抵抗変化素子１０を有している。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

抵抗変化型メモリおよびその作製方法 - 特許庁

The magnetoresistive film 41 is increased in quantity of a resistance change.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜４１の抵抗変化量は増大する。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD THEREOF例文帳に追加

抵抗変化型メモリデバイスおよびその動作方法 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT AND OPERATION METHOD THEREOF例文帳に追加

抵抗変化素子及びその動作方法 - 特許庁

PHASE CHANGE RECORDING FILM HAVING HIGH ELECTRIC RESISTANCE例文帳に追加

電気抵抗が高い相変化記録膜 - 特許庁