「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(335ページ目) - Weblio英語例文検索

In the remote management system, the remote manager is operable to form an instruction to be sent to the first host bus adaptor by a second host bus adaptor through a common transport layer of a fiber channel.例文帳に追加

遠隔管理者は、第２のホスト・バス・アダプタによって第１のホスト・バス・アダプタへ、ファイバ・チャネルの共通トランスポート層を介して送られるべき命令を形成するように、動作可能である。 - 特許庁

Since etching speed in the first region 66R becomes smaller than etching speed in the second region 66L, a recessed part 62 of left-right asymmetry is formed in a copper plated layer 64.例文帳に追加

第１領域６６Ｒにおけるエッチング速度が、第２領域６６Ｌにおけるエッチング速度よりも小さくなるため、左右非対称の凹部６２が、銅めっき層６４に形成される。 - 特許庁

An exciting coil 2 comprising a first coil 2a and a second coil 2b arranged so as to face each other on both sides of a carrying body 1 having a heat generating layer 12 on the inside is installed.例文帳に追加

内部に発熱層１２を有する搬送体１の両側に、互いに対向するように配置される第１のコイル２ａと第２のコイル２ｂとからなる励磁コイル２を設ける。 - 特許庁

A side surface of each of wiring 111h and 211h exposed at side end portions of a first semiconductor chip 100 and a second semiconductor chip 200 is coated with a conductive layer 401.例文帳に追加

各配線１１１ｈ，２１１ｈにおいて、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００の側端部にて露出した側面を、導電層４０１で被覆される。 - 特許庁

On the upper surface of a layer comprising the internal electrode 3 and the dielectric 4 for step cancellation, a second ceramic green sheet 2 is formed by die-coating, and thus an intermediate laminate 10 is formed.例文帳に追加

この内部電極３と段差解消用誘電体４とからなる層の上面に、第２のセラミックグリーンシート２をダイコートにより形成して、中間積層体１０を形成する。 - 特許庁

A metal film layer corresponding to at least a gate electrode shape and a scanning line wiring shape is etched for two times by double patterning in first and second patterning processes.例文帳に追加

第１及び第２のパターニング工程により、少なくともゲート電極形状、および走査線の配線形状に対応した金属膜層は、２回のパターニングによって２回エッチングされる。 - 特許庁

Among the opposite side face 51 to the face contacted to the organic layer 4 of the cathode 5, the part not covered with the sealing film 6 is exposed to become a cathode terminal 8 as a second terminal.例文帳に追加

陰極５の有機層４と接する面とは反対側の面５１のうち、封止膜６で覆われていない部分は露出しており、第２端子としての陰極端子８となっている。 - 特許庁

In the multilayer coating for an electric wire made of a plurality of hardened light-hardening resin layers, Young's modulus is 5-100 MPa, and the Young's modulus of a second layer is 50-1,000 MPa.例文帳に追加

複数の光硬化性樹脂硬化層からなる多層被覆であって、第一層のヤング率が５〜１００MPaであり、第二層のヤング率が５０〜１０００MPaである電線用多層被覆。 - 特許庁

A second electrode 49 has a main body portion 49a stacked on the piezoelectric layer 47 and an extending portion 49b extended therefrom and connected to the auxiliary electrode 48 in the recessed portion region.例文帳に追加

第２電極４９は、圧電層４７に積層された本体部４９ａと、そこから延出して凹部領域の内部において補助電極４８に接続された延出部４９ｂとを有する。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises a second metal layer 10b formed in the insulation films 6 and 7, and below the external connection electrode 13a, and connected with an undersurface of the metal distribution line 10c.例文帳に追加

更に、絶縁膜６及び７内で且つ外部接続電極１３ａの下方に形成され、金属配線１０ｃの下面に接続された第２の金属層１０ｂを備える。 - 特許庁

Third light p3 having an angle smaller than a predetermined angle with respect to the first boundary layer 11, of the totally reflected second light p2, is directly reflected on a reflection surface 2a of the collimator 2.例文帳に追加

全反射した第２の光ｐ２のうち、第１の境界層１１に対して所定の角度より小さい角度の第３の光ｐ３は、直接コリメータ２の反射面２ａで反射する。 - 特許庁

The photoelectric conversion layer 4 is isolated to a first photoelectric conversion region 6, a second photoelectric conversion region 7, and a third photoelectric conversion region 8 via an element isolation region 5.例文帳に追加

光電変換層４は、素子分離領域５により、第１光電変換領域６、第２光電変換領域７および第３光電変換領域８に分離されている。 - 特許庁

Since the groove formed with the upper part electrode material 10b is filled with an insulator 201, a second layer 202, which covers the upper part electrode material 10b, is formed satisfactorily in terms of covering characteristics.例文帳に追加

上部電極材１０ｂが成す溝は絶縁体２０１で充填されているので、上部電極材１０ｂを覆う第２層２０２は被覆性良く形成することができる。 - 特許庁

Subsequently, a shading layer 110 is formed in the second opening 121 and on the interlayer insulating film 108, and a bit line contact plug 112 is formed in the first opening 120.例文帳に追加

その後、第２の開口部１２１内及び層間絶縁膜１０８上に遮光膜１１０を形成するとともに、第１の開口部１２０内にビット線コンタクトプラグ１１２を形成する。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer is formed as a fine crystal structure having a high insulating property and is coated with a nitride film, thereby mitigating an increase of the leakage current caused by formation of the nitride film.例文帳に追加

そして第２の窒化物半導体層を絶縁性の高い微結晶構造とし、窒化膜で被覆することで、窒化膜の形成により生じるリーク電流の増加を緩和する。 - 特許庁

Next, the upper surface of the SOI layer 3 is exposed by removing the silicon oxide film 6aa in the first and second element forming regions by wet etching using fluoric acid, etc.例文帳に追加

次に、フッ酸等を用いたウェットエッチング法により、第１及び第２の素子形成領域におけるシリコン酸化膜６ａａを除去してＳＯＩ層３の上面を露出する。 - 特許庁

When the zipper tape 3 is welded on the bag 2 and the bag is sealed with the sealing layer 5, vacant spaces are formed between the cut tape 4 and the first protrusion 35 and the second protrusion 36.例文帳に追加

チャックテープ３を袋体２に融着し、シール層５によって密封する際は、カットテープ４と、第一の凸状部３５および第二の凸状部３６との間に空隙部が形成される。 - 特許庁

The waveguide layer 30 is divided into an incident waveguide 32, an optical branching filter 33, a first branching waveguide 34, a second branching waveguide 36, an optical multiplexer 37 and an emission waveguide 38.例文帳に追加

導波路層３０は、入射導波路３２、光分波器３３、第１分岐導波路３４、第２分岐導波路３６、光合波器３７及び出射導波路３８に区分されている。 - 特許庁

After removing the photoresist layer 10, the silicon substrate 1 is thermally oxidized, and an SiO_2 film 8c that is thinner than the second gate insulating film 8b is formed at the third region R3.例文帳に追加

次に、ホトレジスト層１０を除去した後に、シリコン基板１を熱酸化し第３の領域Ｒ３に第２のゲート絶縁膜８ｂよりも薄いＳｉＯ２膜８ｃを形成する。 - 特許庁

The second ferromagnetism layer comprises a body part 11a in a major axis direction, and one projection part 11b projecting in a direction which is different from the long axis of the body part 11a.例文帳に追加

第２強磁性層は、長軸方向を持つ本体部１１ａと、本体部１１ａから長軸とは異なる方向に突出する１つの突出部１１ｂとから構成される。 - 特許庁

The optical disk 1 is provided with a first recording layer 4A having a recording part in which a surface flattened part A1 representing first data and a recessed part A2 representing second data are formed.例文帳に追加

光ディスク１は、第１のデータを表す表面が平坦な部分Ａ１と、第２のデータを表す凹部Ａ２とが形成された記録部を有する第１の記録層４Ａを備えている。 - 特許庁

The second electrode 4 has a translucent part 4a formed so as to contact the organic layer 3 and a reflecting part 4b formed so as to contact the translucent part 4a laminated.例文帳に追加

第二電極４は、有機層３と接するように形成される透光部４ａと、透光部４ａと接するように形成される反射部４ｂと、を積層形成してなる。 - 特許庁

An insulating film 25 is formed on the surface of the semiconductor layer 24 thereafter and in the insulating film 25, the thickness of a portion 25b within the second region 32 is optically measured.例文帳に追加

この後、半導体層２４の表面上に、絶縁膜２５を形成し、この絶縁膜２５のうち、第２領域３２内の絶縁膜部分２５ｂの膜厚を光学的に測定する。 - 特許庁

The quantum dots of the first and second infrared ray absorbing layers 54a and 54b are respectively formed from InAs, and the intermediate layer is formed respectively from Al_0.5Ga_0.5As.例文帳に追加

第１及び第２の赤外線吸収層５４ａ，５４ｂの量子ドットはいずれもＩｎＡｓにより形成されており、中間層はいずれもＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓにより形成されている。 - 特許庁

The atomic layer deposition apparatus disposes a substrate S in a second internal space 15 within a cylindrical reactor vessel 14 provided in a first internal space 22 within a deposition vessel 12.例文帳に追加

原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。 - 特許庁

Therefore, troubles such as the disconnection of a second wiring layer 3 caused by the fissures occurring in the protective film 4 can be prevented, and the semiconductor integrated circuit device of high reliability can be obtained.例文帳に追加

したがって、上記の保護膜４の亀裂等に起因した第２配線層３の断線等の不具合を防止することができ、信頼性の高い半導体集積回路装置となる。 - 特許庁

(d) Then, a combined substrate 30 is formed by superposing the first substrate obtained in (c) on a second substrate 20, and (e) thereafter the combined substrate 30 is divided at a portion of the ion implanted layer 13.例文帳に追加

次いで、（ｃ）に示す第１基板を第２基板２０に重ね合わせて結合基板３０を形成し（ｄ）、その後、結合基板３０をイオン注入層１３の部分で分割する（ｅ）。 - 特許庁

The first fuse wiring 109, the second fuse wiring 110, and the first impurity diffusion layer of the plurality of fuse elements are arranged at predetermined intervals almost in parallel, respectively.例文帳に追加

複数のヒューズ素子部の第１のヒューズ配線１０９、第２のヒューズ配線１１０および第１の不純物拡散層１０４は、それぞれ、所定のピッチ間隔で、略平行に並置される。 - 特許庁

The organic EL element 39 comprises a first electrode 34 of stripe type, insulating layers 35, 45, an organic layer 36, and second electrodes 37c-37d, and is laminated on a substrate 32.例文帳に追加

有機ＥＬ素子３９は、ストライプ状の第一電極３４と、絶縁層３５，４５と、有機層３６と、第二電極３７ａ〜３７ｄとを有し、基板３２に積層形成されている。 - 特許庁

First metal foil, a resin layer and second metal foil are laminated in this order in the reinforcing member for the flexible wiring board.例文帳に追加

本発明のフレキシブル配線板用の補強部材は、フレキシブル配線板用の補強部材であって、第１金属箔と、樹脂層と、第２金属箔とをこの順に積層してなることを特徴とする。 - 特許庁

Further, an air layer 5 is provided between the first glass prism 2 and a second glass prism 3, and the angle is decided so as to totally reflect only the light diffracted by the diffraction grating 4.例文帳に追加

また第１のガラスプリズム２と第２のガラスプリズム３との間には、空気層５が設けられ、回折格子４にて回折した光のみを全反射するように角度が決められている。 - 特許庁

In the first paste electrode layer 21, a first part 21d covering the center part 13a of the long side face 13 is thicker than a second part 21b covering the ridge part 17.例文帳に追加

第１のペースト電極層２１は、長側面１３の中央部１３ａを覆う第１の部分２１ｄの厚みが、稜部１７を覆う第２の部分２１ｂの厚みより厚い。 - 特許庁

The resin layer 30 is formed to overlap the second region 16 while avoiding the region from the circumferential edge of the semiconductor substrate 10 to the first end 15 of the electrode 14.例文帳に追加

樹脂層３０は、半導体基板１０の周縁から電極１４の第１の端部１５までの領域を避けて、第２の領域１６とオーバーラップするように形成されてなる。 - 特許庁

The opening sections 24 of the insulating layer 23 are provided at intersections between the first electrodes 22 and the second electrodes 26, and the inner wall faces of the opening sections 24 are formed into a tapered shape.例文帳に追加

絶縁層２３の開口部２４は、第１の電極２２と第２の電極２６との交差部に設けられているとともに、開口部２４の内壁面がテーパ状に形成されている。 - 特許庁

By the other reaction of oxidation and reduction caused by voltage applied to the sensing material layer, a second change reversed to the first change is generated in the absorption characteristics.例文帳に追加

前記センシング材料層に印加される電圧による酸化及び還元の他方の反応により、前記吸収特性において前記第１変化とは逆の第２変化が生じる。 - 特許庁

Then, at the time of performing recording and reproducing to the second signal recording layer 5, only the part turned to the crystal state out of the land part and the groove part is irradiated with the laser beam 20.例文帳に追加

そして、この第２の信号記録層５に対して記録再生を行う際には、ランド部又はグルーブ部のうち結晶状態とされた方だけに対してレーザ光２０を照射する。 - 特許庁

The adhesive is interposed between a first substrate and a second substrate and the water-borne adhesive is heated to thereby form the adhesive layer comprising the compound oxide.例文帳に追加

この接着剤を、第一の基材１と第二の基材２との間に介在させ、水系接着剤を加熱することによって、複合酸化物からなる接着層を生成させる。 - 特許庁

The base portion comprises a first material, and the contact layer comprises a second material having satisfactory electrical connection properties with the organic semiconductor compared with that of the first material.例文帳に追加

ベース部分は第一材料を含んで構成され、コンタクト層は有機半導体との電気接触性が第一材料に比べて良好な第二材料を含んで構成される。 - 特許庁

A recessed portion 15 is formed on the electron supply layer 5 and the gate electrode 8 is disposed on an underside 16 of the recessed portion 15 via the second insulating film 10 made of silicon nitride.例文帳に追加

電子供給層５に凹部１５が形成され、この凹部１５の底面１６の上にシリコン窒化物から成る第２の絶縁膜１０を介してゲート電極８が配置されている。 - 特許庁

The second resin layer 6 containing 0.5 to 2.8 pts., by mass, of a silicon series anti-foaming agent based on 100 pts., by mass, of UV curing resin is formed by a screen printing method.例文帳に追加

第二の樹脂層６は、１００質量部の紫外線硬化性樹脂に対し、０．５ないし２．８質量部のシリコン系消泡剤を含み、スクリーン印刷法によって形成されている。 - 特許庁

The first and second decorative films include a soft material and are bonded to two opposed surfaces of the intermediate layer by primary injection molding so as to cover the opposed surfaces.例文帳に追加

前記第一装飾膜及び前記第二装飾膜は、軟質材料からなり且つ第一次射出成形により前記中間層の対向する２つの表面を被覆して接合される。 - 特許庁

A short-circuit defect is prevented by forming a second interlayer insulation layer 15 under an upper electrode power-feeding wire to be a power supply line to an upper electrode 13 of a thin-film electron source array.例文帳に追加

薄膜型電子源アレイの上部電極１３への給電線となる上部電極給電配線の下に、第二層間絶縁層１５を形成して短絡不良を防止する。 - 特許庁

Signal power is supplied to the first semiconductor chip 3 or the second semiconductor chip 4 through a rewiring layer 5 formed on a principal surface of the first semiconductor chip 3.例文帳に追加

第１の半導体チップ３の主面に形成された再配線層５を介して第１の半導体チップ３又は第２の半導体チップ４に信号電源が供給される。 - 特許庁

The exposing step is a step of exposing the transparent resin layer by using a grating mask having a first transmission region and a second transmission region with transmittance higher than that of the first transmission region.例文帳に追加

露光する工程は、第１の透過領域、およびこの領域よりも高い透過率の第２の透過領域を有するグレーティングマスクを用いて透明樹脂層を露光する工程である。 - 特許庁

Then, the second program can perform authentication to a next layer program by constructing an authentication token including information within the authentication token received from the first program.例文帳に追加

次いで、第２のプログラムは、第１のプログラムから受信した認証トークン内の情報を含む認証トークンを構築することによって、次層プログラムに対して認証を行うことができる。 - 特許庁