「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(338ページ目) - Weblio英語例文検索

A field plate electrode 14 is formed on a bottom side of a trench formed in the second semiconductor layer 12 so as to be embedded in a lower part of the trench via a first insulation film 13.例文帳に追加

フィールドプレート電極１４が第２半導体層１２に形成されたトレンチの底面側であって、第１絶縁膜１３を介してトレンチの下部を埋め込むように形成されている。 - 特許庁

At least an optical functional layer is sandwiched between a first electrode 102 and a second electrode 108 on a flexible substrate 100, and an intersecting point of both the electrodes has a display part 124.例文帳に追加

可撓性基板１００上の第一電極１０２、第二電極１０８の間に少なくとも光機能層が挟持され、両電極の交点が表示部１２４を有する。 - 特許庁

The laser absorbing layer 4 is heated thereafter up to the fusion temperature or more, by irradiating the second irradiation range P3 provided within the first irradiation range P2, with the laser beam L.例文帳に追加

その後、第１照射範囲Ｐ２内に設けた第２照射範囲Ｐ３にレーザ光Ｌをレーザ吸収層４に照射することにより、レーザ吸収層４を融着温度以上に加熱する。 - 特許庁

In the foamed layer, a plurality of first foam cells 4 and a plurality of second foam cells 5 formed between the first foam cells 4 and smaller than the first foam cells 4, are formed.例文帳に追加

発泡層には、複数の第１の発泡セル４と、第１の発泡セル４同士の間に形成され、第１の発泡セル４より小さい複数の第２の発泡セル５と、が形成されている。 - 特許庁

A p electrode 12 is formed of a first Pd film 13, a Ta film 14 and a second Pd film 15, and is formed on a p type contact layer 11 of a nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４および第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。 - 特許庁

The method configured to synchronize databases includes the steps of establishing a transport layer connection for synchronization between a first and a second device which synchronize databases.例文帳に追加

本発明は、データベースの同期を構成する方法であって、データベースを同期化する第１及び第２デバイス間の同期のためにトランスポート層コネクションを確立するステップを有している。 - 特許庁

The transfer inhibitory layer 3 is formed of a strong acidic porous oxide having a stronger solid acidity than the first porous oxide and the second porous oxide, e.g. silicalite as a main component.例文帳に追加

移動抑制層３は、第１多孔質酸化物及び第２多孔質酸化物よりも強い固体酸性をもつ強酸性多孔質酸化物、例えばシリカライトを主体として構成されている。 - 特許庁

Next the second etchant that may be the same as the defect etchant or different from it is used to corrode the SiGe layer 14 under the pit while Si 16 is kept unhurt.例文帳に追加

次いで、欠陥エッチング液と同じか異なるものとすることができる第２のエッチング液を用いて、ピットの下のＳｉＧｅ層１４を浸食する一方で、Ｓｉ１６は無傷のままとする。 - 特許庁

A first insulating film formed on a semiconductor layer of a wafer is exposed to plasma containing N (nitrogen) and N atoms are doped into the first insulating film to form a second insulating film.例文帳に追加

ウエハの半導体層上に形成された第１の絶縁膜をＮ（窒素）を含むプラズマに暴露し、Ｎ原子を第１の絶縁膜に導入して、第２の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

First inner electrodes 14 are arranged in a dielectric element assembly 12, and second inner electrodes 16 are arranged below the first inner electrodes 14, interposing a ceramic layer 12A.例文帳に追加

誘電体素体１２内に第１の内部電極１４が配置され、セラミック層１２Ａを隔てた第１の内部電極１４の下方に第２の内部電極１６が配置される。 - 特許庁

The first cylindrical part is made of any of ferrite type stainless steel, chromium-based alloy and nickel-based alloy, and the second cylindrical part has a multilayer structure made of different materials containing a layer of zirconia principal phase.例文帳に追加

第１の円筒部は、フェライト系ステンレス鋼、クロム基合金、ニッケル基合金のいずれかであり、第２の円筒部はジルコニア主相の層を含んだ材質の異なる多層構造体である。 - 特許庁

The light control layer is provided with a first electrode 2 to electroplate a metal, and a second electrode 4 facing the first electrode via an electrolyte solution 3 including the metal ion.例文帳に追加

調光層は、金属が電気めっきされる第１の電極２と、金属イオンを含む電解質溶液３を介して第１の電極に対向する第２の電極４とを備える。 - 特許庁

The liquid crystal display has a first substrate, a second substrate and a vertical alignment type liquid crystal layer provided therebetween and containing liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy.例文帳に追加

第１基板と、第２基板と、これらの間に設けられ、負の誘電異方性を有する液晶分子を含む垂直配向型の液晶層とを有する液晶表示装置である。 - 特許庁

The first transfer electrode 3-1, the second transfer electrode 3-2, and the third transfer electrode 3-3 of a single layer transfer electrode structure are repeatedly arrayed in a vertical direction V.例文帳に追加

単層転送電極構造の第１転送電極３−１、第２転送電極３−２、第３転送電極３−３が、垂直方向Ｖに繰り返し配列されている。 - 特許庁

Then, the crystal structure of the amorphous layer 101 is recovered with a heat treatment for a region from the first depth A up to a second depth B shallower than the first depth A.例文帳に追加

次に、熱処理によってアモルファス層１０１の結晶構造を第１の深さＡから第１の深さＡよりも浅い第２の深さＢまでの領域について回復させる。 - 特許庁

This is an inorganic film light-emitting device that comprises a substrate, a first electrode, a coated layer containing zinc sulfide nano-particles that are not doped in substance, and a second electrode.例文帳に追加

基質、第１の電極、実質的にドーピングされていない硫化亜鉛ナノ粒子を含む被覆層、および第２の電極を含んで成る無機薄膜発光装置が記載されている。 - 特許庁

The single layer of the graphene sheet includes a first region including graphene and a second region surrounded by the first region and having higher light transmittance than the first region.例文帳に追加

単層の導電性グラフェンシートは、グラフェンからなる第１領域と、第１領域で囲まれるとともに第１領域よりも光透過率の高い第２領域とを含んで構成されている。 - 特許庁

The two-dimensional diffraction lattice layer has a plurality of portions provided in a medium having a first refractive index so as to constitute a two-dimensional diffraction lattice and to have a second refractive index.例文帳に追加

二次元回折格子層は、第１の屈折率を有する媒質内に、二次元回折格子を構成するように設けられた第２の屈折率を有する複数の部分を有している。 - 特許庁

The ions in the polymer (resin) of the first layer are moved by impressing the voltage between the second layers to move solvent in the resin and generate stress of the effect.例文帳に追加

第２層間に電圧が印加されることによって、この第１層である高分子（樹脂）内にあるイオンが移動することによって、樹脂内の溶媒も移動し、その効果で応力が発生する。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device 1 comprises a first conductivity type silicon carbide semiconductor substrate 6, an epitaxial growth layer 2, and second conductivity type silicon carbide semiconductor regions 3-5.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置１は、第１導電型の炭化珪素半導体基板６と、エピタキシャル成長層２と、第２導電型の炭化珪素半導体領域３〜５とを備える。 - 特許庁

Further, the second seed layer can be constituted also of Cr or a Cr alloy including Cr and at least one element selected from a constitution element group A:Ti, Mo, W.例文帳に追加

さらに，第二シード層をＣｒ，もしくはＣｒと構成元素群Ａ：Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗから選ばれた少なくとも１種の元素を含むＣｒ合金で構成することも可能である。 - 特許庁

A first main electrode on the inside and a second main electrode on the outside formed in the surface region of a semiconductor layer on a substrate are connected by the resistive field plate.例文帳に追加

基板上における半導体層の表面領域において形成された内側の第１の主電極及び外側の第２の主電極とを抵抗性フィールドプレートで接続する。 - 特許庁

A pair of counter electrodes 4 includes a first electrode 4a formed of a metallic electrode and a second electrode 4b wherein the metallic electrode part is coated with an insulating layer thin film 5.例文帳に追加

１対の対向電極４は、金属電極部からなる第１電極４ａと、金属電極部が絶縁層薄膜５により被覆されてなる第２電極４ｂとからなる。 - 特許庁

The conductive layer 106 includes the third electrode part 106a facing the first electrode part 103a and the fourth electrode part 106b facing the second electrode part 103b.例文帳に追加

導電層１０６は、第１の電極部１０３ａと対向する第３の電極部１０６ａ及び第２の電極部１０３ｂと対向する第４の電極部１０６ｂを含む。 - 特許庁

A first insulation film 4 is formed on a semiconductor layer 3, a polysilicon film 6 is formed on the first insulation film 4 and a second insulation film 8 is formed on the polysilicon film 6.例文帳に追加

半導体層３上に第１の絶縁膜４を形成し、第１の絶縁膜４にポリシリコン膜６を形成した後、ポリシリコン膜６上に第２の絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 100 of a normally-off type comprises: a semiconductor layer 16 constituting a heterojunction; a first recess 8; a second recess 4 shallower than the first recess 8; and a gate portion 5.例文帳に追加

ノーマリオフ型の半導体装置１００は、ヘテロ接合を構成する半導体層１６と、第１リセス部８と、第１リセス部８よりも浅い第２リセス部４と、ゲート部５を備えている。 - 特許庁

The maximum outer width of the main light extraction surface is 0.8 mm or more, and the second electrode is formed surrounded by the semiconductor layer.例文帳に追加

この発光ダイオードは主たる光取り出し面の外形の最大幅が０．８ｍｍ以上であり、第２の電極の形成位置は、その周囲を半導体層に囲まれている構成からなる。 - 特許庁

The first electrode 15 formed on the substrate 12 side comprises a transparent electrode formed by an ITO layer, and a metal having reflectivity to light is used for the second electrode 16.例文帳に追加

基板１２側に形成された第１電極１５はＩＴＯ層で形成された透明電極からなり、第２電極１６には光に対する反射性を有する金属が使用されている。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device 10 includes a first main electrode, connected to the third diffusion layer 2, a second main electrode connected to the semiconductor substrate 21 and a bus line 12 connected to both ends of the gate electrode.例文帳に追加

さらに、第３の拡散層２７と接続する第１主電極と、半導体基板２１と接続する第２主電極と、ゲート電極の両端に接続されるバスライン１２とを含む。 - 特許庁

A first conductivity-type source layer 17 is formed adjacent to both sides of the trench of the first gate electrode 15 and to the sidewall in one side of the trench of the second gate electrode 16a.例文帳に追加

第１導電型のソース層１７は、第１のゲート電極１５のトレンチの両側及び第２のゲート電極１６ａのトレンチの片側の側壁に隣接するように形成されている。 - 特許庁

Further, this antenna has a signal feeder separated from the ground plane by a second dielectric layer and the signal feeder is shielded from the patch element by the ground plane.例文帳に追加

本アンテナは更にアース面から第２誘電体層によって分離されている信号給電線を有し、その信号給電線はアース面によってパッチ・エレメントからシールドされている。 - 特許庁

Then, a first dividing groove which exposes the first conductivity type semiconductor layer is formed, and a second dividing groove which reaches the substrate from the first dividing groove is formed by using a laser beam.例文帳に追加

その後、第１の導電型の半導体層を露出する第一の割溝を形成し、さらに第一の割溝上から基板に達する第二の割溝をレーザー光を使用して形成する。 - 特許庁

This manufacturing method is to manufacture the organic EL element formed by laminating an organic layer 5 having at least luminescent layers (first and second luminescent layers) 5b, 5c between a pair of electrodes.例文帳に追加

少なくとも複数の発光層（第一，第二の発光層）５ｂ，５ｃを有する有機層５を一対の電極間に積層形成してなる有機ＥＬ素子の製造方法である。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first node connecting conductive layer NC1 is formed on first and second contact plugs P1 and P2 formed in vertical columnar states on a silicon semiconductor substrate 1.例文帳に追加

シリコン半導体基板１に対して垂直柱状に形成された第１および第２のコンタクトプラグＰ１およびＰ２の上に第１のノード接続導電層ＮＣ１が形成されている。 - 特許庁

The boundary between the first and second ferromagnetic films 13 and 15 and another layer is a surface (111), and the diffusion of iron atoms or cobalt atoms or the like from the intermediate firm 14 is inhibited.例文帳に追加

第１および第２の強磁性膜１３，１５における他の層との界面は（１１１）面となっており、中間膜１４からの鉄原子やコバルト原子などの拡散が抑制される。 - 特許庁

That is, a second semiconductor layer is provided on a part different from a region where the light L2 passes through from the surface light-emitting semiconductor laser 2 to the side of the semiconductor photodetector 1.例文帳に追加

つまり、第２半導体層は、面発光型半導体レーザ２から半導体光検出器１側に射出される光Ｌ２が通過する領域とは異なる部分に設けられている。 - 特許庁

The adhesive layer 3 comprises a resin composition having a fluorene skeleton and the thickness of at least one of the first and second substrates 1 and 2 is 0.1-10 μm.例文帳に追加

接着層３がフルオレン骨格を有する樹脂組成物からなり、第１の基材１と第２の基材２の少なくとも一方の厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下である。 - 特許庁

A first conductivity-type gallium nitride-based semiconductor region 13, the active layer 17, and a second conductivity-type gallium nitride-based semiconductor region 15 are disposed in a predetermined axis Ax direction.例文帳に追加

第１導電型窒化ガリウム系半導体領域１３、活性層１７および第２導電型窒化ガリウム系半導体領域１５は、所定の軸Ａｘの方向に配列されている。 - 特許庁

By properly controlling states of voltages applied to the first electrode group 14 and the second electrode group 24, a lens effect on the liquid crystal layer 3 is controlled properly.例文帳に追加

それら第１の電極群１４と第２の電極群２４とに印加する電圧の状態を適切に制御することで液晶層３におけるレンズ効果を適切に制御する。 - 特許庁

A first insulation film 4 and a second insulation film as a gate insulation film are provided between a semiconductor layer 2 formed on an insulation substrate 1 and a gate electrode 3.例文帳に追加

絶縁基板１上に形成される半導体層２と、ゲート電極３との間には、ゲート絶縁膜としての第１の絶縁膜４及び第２の絶縁膜が備えられている。 - 特許庁

A second electrode formed of a transparent electrode is formed on the luminescent layer, and the auxiliary electrodes are formed to expose the region of the first electrode being the luminescent region.例文帳に追加

前記発光層上には、透明電極からなる第２電極を形成し、前記補助電極は前記発光領域である第１電極の領域を露出させるように形成される。 - 特許庁

Since the first and second NiFe layers 50a, 50b have magnetostriction constants which are opposite in sign, net magnetostriction constant of the free layer 50 is extremely reduced.例文帳に追加

第１および第２のＮｉＦｅ層５０ａ，５０ｂは、磁歪定数の符号が互いに逆なので、この両者の組み合わせにより、フリー層５０の正味の磁歪定数が極めて小さくなる。 - 特許庁

In the pixel B, a pixel electrode 21B having a plurality of slits SB is formed by a second layer transparent electrode and connected to a thin film transistor 1B through the contact hole CH4.例文帳に追加

画素Ｂについては、第２層透明電極で複数のスリットＳＢを有する画素電極２１Ｂが形成され、コンタクトホールＣＨ４を通して薄膜トランジスタ１Ｂに接続されている。 - 特許庁

Providing a plurality of second vias 8 designed as such enlarges the surface areas of recesses 9a and increases corrugations on the third metal layer 10, and this further improves bonding wire adhesion.例文帳に追加

そして、そのような第２のビア８を複数設けることで、凹部９ａの面積が増加して、第３の金属層１０の凹凸も増加するため、ボンディングワイヤーの密着性は更に向上する。 - 特許庁

Or, a catalyst layer is provided which has a linear first carbon body and a second carbon body which carries a catalyst and is adsorbed on the surface of the first carbon body.例文帳に追加

または、線状の第１の炭素体と、触媒を担持し、前記第１の炭素体の表面に吸着した第２の炭素体と、を備えたことを特徴とする触媒層が提供される。 - 特許庁