「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(341ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic EL display 1 includes a transparent substrate 10, a first electrode pattern 14, an insulating pattern 16 formed with an inorganic material, a separator 18, an organic EL layer 20, a second electrode pattern 22, a protective layer 24 formed with an inorganic material, a resin layer 26, a protective member 28, a semiconductor chip 30 and a flexible print circuit board 32.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１は、透明基板１０と、第１電極パターン１４と、無機材料によって構成された絶縁パターン１６と、分離体１８と、有機ＥＬ層２０と、第２電極パターン２２と、無機材料によって構成された保護層２４と、樹脂層２６と、保護部材２８と、半導体チップ３０と、フレキシブルプリント回路基板３２とを備える。 - 特許庁

The gas barrier film laminate is a laminate having first transparent gas barrier films: a resin layer laminated on the first transparent gas barrier films; and a second transparent gas barrier film laminated on the resin layer, wherein the resin layer is composed of the ethylene-vinyl alcohol copolymer resin.例文帳に追加

第１の透明ガスバリア性フィルムと、該第１の透明ガスバリア性フィルム上に積層された樹脂層と、該樹脂層上に積層された第２の透明ガスバリア性フィルムとを有する積層体であって、該樹脂層がエチレン−ビニルアルコール共重合樹脂からなることを特徴とするガスバリア性フィルム積層体を提供することにより上記目的を達成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: field effect transistors formed above a single crystal semiconductor substrate; first conductive layers formed on the field effect transistors; an organic compound layer formed on the first conductive layers; and a second conductive layer formed on the organic compound layer.例文帳に追加

単結晶半導体基板上に形成された電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタの上に設けられた第１の導電層と、第１の導電層上に設けられた有機化合物層と、有機化合物層上に設けられた第２の導電層とを有し、第１の導電層と有機化合物と前記第２の導電層とで記憶素子を構成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic photoelectric conversion element 10 having the photoelectric conversion layer 14 between a first electrode and a second electrode, a step of forming the photoelectric conversion layer includes a step in which a solution for photoelectric conversion layer formation is jetted from a plurality of nozzles of an inkjet device.例文帳に追加

第一の電極と第二の電極の間に光電変換層１４を有する有機光電変換素子１０の製造方法において、前記光電変換層の形成工程がインクジェット装置の複数のノズルから光電変換層形成の溶液が射出される工程を含むことを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。 - 特許庁

A semiconductor laser device 40 configuring the semiconductor laser apparatus includes a first semiconductor laser device 10, a second semiconductor laser device 20 including an electrode layer 26 electrically connected to a side of a semiconductor layer 23, and a wiring electrode 11 formed in contact with the surface of a semiconductor layer 3 in the first semiconductor laser device 10.例文帳に追加

この半導体レーザ装置を構成する半導体レーザ素子４０は、第１半導体レーザ素子１０と、半導体層２３側と電気的に接続される電極層２６を含む第２半導体レーザ素子２０と、第１半導体レーザ素子１０の半導体層３の表面に直接接触して形成される配線用電極１１とを備える。 - 特許庁

The thin film AC-driven electroluminescence element 10 comprises at least one dielectric layer 18 and a luminous layer 20 on a conductive substrate 12, the luminous layer containing a continuous phase consisting of a first semiconductor and particulates of a second semiconductor having an average particulate size of 10 nm or smaller.例文帳に追加

導電性基板１２上に少なくとも一つの誘電体層１８と発光層２０とを有する薄膜型交流駆動エレクトロルミネッセンス素子１０において、前記発光層が、第一の半導体からなる連続相と、平均粒子サイズが１０ｎｍ以下の第二の半導体の微粒子とを含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor element to be formed on a substrate includes a structure where a semiconductor layer with a distortion is interposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, where doping is performed in low concentration or the dopant is not doped.例文帳に追加

基板上に形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子において、第１の半導体層と第１の半導体層よりも低濃度にドーピングされた、もしくはドーパントがドーピングされていない第２の半導体層との間に、歪を有する半導体層が介在している構造を有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a DRAM section 102, including a transistor consisting of a first diffusion layer 108 formed in a silicon substrate 101, a gate electrode 118 formed on the silicon substrate 101, and a second diffusion layer 106 provided on the side opposite to the first diffusion layer 108, while holding the gate electrode 118 in between.例文帳に追加

半導体装置１００は、ＤＲＡＭ部１０２を含み、ＤＲＡＭ部１０２に、シリコン基板１０１内に形成された第１拡散層１０８と、シリコン基板１０１上に形成されたゲート電極１１８と、ゲート電極１１８を挟んで第１拡散層１０８の反対側に設けられた第２拡散層１０６とから構成されるトランジスタを含む。 - 特許庁

The light emitting device has: a semiconductor laser element which includes at least a substrate, a first conductivity type clad layer, an active layer, a second conductivity type clad layer in this order; and a phosphor which absorbs laser light emitted by the semiconductor laser element and radiates fluorescence, the semiconductor laser element being a self-excited laser element.例文帳に追加

少なくとも基板と、第１導電型クラッド層と、活性層と、第２導電型クラッド層とを、少なくともこの順に備えている半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が発するレーザ光を吸収して蛍光を放射する蛍光体とを備える発光装置であって、半導体レーザ素子が自励発振レーザ素子であることを特徴とする、発光装置。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step for preparing a semiconductor substrate SUB, and a step for forming a first metal electrode LEL1 having an aluminum layer AC1 on one main surface of the semiconductor substrate SUB, a dielectric layer DEC on the first metal electrode LEL1, and a second metal electrode UEL on the dielectric layer DEC.例文帳に追加

本製造方法は、半導体基板ＳＵＢを準備する工程と、半導体基板ＳＵＢの一方の主表面上に、アルミニウム層ＡＣ１を有する第１の金属電極ＬＥＬ１と、第１の金属電極ＬＥＬ１上の誘電体層ＤＥＣと、誘電体層ＤＥＣ上の第２の金属電極ＵＥＬとを形成する工程とを備える。 - 特許庁

A vertical magnetic layer 5 is formed by laminating a number of first magnetic layers 5a of Co containing Co or an oxide and a number of second magnetic layers 5b of Pt and Pd containing Pt and Pd or an oxide and the vertical magnetic layer is provided on a non-magnetic substrate 1 via a Ru base layer 4 containing oxygen.例文帳に追加

【解決手段】 Ｃｏまたは酸化物を含有するＣｏの第１の磁性層５ａと、Ｐｔ，Ｐｄ、または酸化物を含有するＰｔ，Ｐｄの第２の磁性層５ｂとを多数積層して垂直磁性層５を構成し、この垂直磁性層を酸素を含有するＲｕ下地層４を介して非磁性基板１上に設けることとした。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor activity element arranged at the first principal surface of the semiconductor chip 21 and the ground pad 11 of the semiconductor activity element, a first metal layer 24a arranged on the side wall surface of the semiconductor chip perpendicular to the first principal surface, and a second metal layer 25a connected to the first metal layer 24a and extending onto the ground pad 11.例文帳に追加

半導体チップ２１の第１主面に配置された半導体能動素子及び半導体能動素子のグランドパッド１１と、第１主面に対して垂直な半導体チップの側壁面上に配置された第１メタル層２４ａと、第１メタル層２４ａに接続され、グランドパッド１１上まで延在する第２メタル層２５ａとを備える。 - 特許庁

In order to exfoliate the material layer from the substrate in the interface of the substrate 1 and the material layer 2, to a work 3 in which the material layer 2 is formed on the substrate 1, through the substrate 1, a pulse laser light is irradiated so that adjacent each irradiation region is overlapped in the work 3, while changing the irradiation region to the work 3 every second.例文帳に追加

基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。 - 特許庁

In this layered structure, a first soft magnetic layer 13 relatively high in saturation magnetic flux density is arranged at the main magnetic pole side, a second soft magnetic layer 14 relatively low in saturation magnetic flux density is arranged on it, and a third soft magnetic layer 12 relatively high in saturation magnetic flux density is arranged further on it.例文帳に追加

磁気シールド１５は、飽和磁束密度の異なる複数の軟磁性層の積層構成からなり、主磁極側に相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層１３が配置され、その上に相対的に低い飽和磁束密の第２軟磁性層１４が配置され、更にその上に相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層１２が配置される。 - 特許庁

According to the structure of the braille block, a first cushioning layer 12 extending perpendicularly to a traveling direction of passengers, and second cushioning layers 13 softer than the first cushioning layer 12, on both sides of the first cushioning layer 12, are arranged on a bottom plate 11, and a top plate 14 is mounted on the cushioning layers 12, 13.例文帳に追加

本発明の点字ブロックは、底板１１の上方に、通行者の進行方向に対して垂直方向に伸びる第１クッション層１２と、当該第１クッション層１２の両側に、前記第１クッション層１２より軟らかい第２クッション層１３をそれぞれ配設し、前記クッション層１２，１３の上方に天板１４を載置する構成を採用する。 - 特許庁

In a structure in which a second conductor 21 is brought into contact with the semiconductor layer 51 laminated further on an insulating layer 31 laminated on a first conductor 11, the carriers whose polarities are different each other are injected after a fixed time, thus efficiently injecting the carriers, having the different polarity, into the semiconductor layer 51.例文帳に追加

第１の導体１１上に積層した絶縁層３１の上にさらに積層された半導体層５１に対して第２の導体２１が接触する構造において、極性の互いに異なるキャリアを一定時間をおいて注入するように構成して、半導体層５１に極性の異なるキャリアを効率よく注入できるようにした。 - 特許庁

In the side face light emitting optical fiber having a core at the central part and a clad arranged around the core, the clad is composed of a first transparent layer which comes into contact with the core and a second light diffusing layer which is formed in the outside of the first layer, and moreover both layers are integrally formed.例文帳に追加

中央部のコアと、前記コアの周囲に配置されたクラッドとを備える側面発光性光ファイバーにおいて、前記クラッドが、前記コアと接する透明な第１層と前記第１層の外側に形成された光拡散性の第２層とからなり、かつ両層が一体的に成形されてなることを特徴とする、側面発光性光ファイバー。 - 特許庁

An insulating layer 4 is formed on a first wiring pattern 3 of a printed wiring board 2 by the resin composition and the surface of the insulating layer 4 is chemically treated thereby removing the inorganic filler to form unevenness on the surface followed by electroless plating thereby forming a conductor layer (a second wiring pattern 5) to give a multilayered printed wiring board 1.例文帳に追加

また、プリント配線基板２の第１の配線パターン３上に上記樹脂組成物によって絶縁層４を形成し、この絶縁層４の表面を化学的に処理して無機フィラーを除去して表面に凹凸を形成した後に、無電解めっきを施すことによって導体層（第２の配線パターン５）を形成して多層配線基板１とした。 - 特許庁

In a skin 10 consisting of two layers comprising a powder slush molded product covering the surface of a foam, a first layer 11 becoming an outer layer comprises a thermoplastic polyurethane resin containing an isocyanate component being an aliphatic or acyclic isocyanate and a second layer 13 becoming a foam side comprises a thermoplastic polyurethane resin containing an isocyanate component being an aromatic isocyanate.例文帳に追加

発泡体の表面を覆うパウダースラッシュ成形品からなる二層の表皮１０であって、外側となる第一層１１がイソシアネート成分を脂肪族または脂環式イソシアネートとする熱可塑性ポリウレタン樹脂からなり、発泡体側となる第二層１３がイソシアネート成分を芳香族イソシアネートとする熱可塑性ポリウレタン樹脂からなる。 - 特許庁

Or else, this optical probe is characterized in that a first metallic coat layer is formed on a core part on its end, further, a medium layer containing an infrared inactive medium is formed so that the diameter thereof increases toward the end, and then decreases toward the end, and a second metallic coat layer is formed on at least a part of a domain where the diameter decreases.例文帳に追加

さらに、先端のコア部に第１の金属コート層が形成され、さらに、赤外不活媒質を含有する媒質層が、先端に向かって拡径した後さらに先端に向かって縮径するように形成され、前記縮径する領域の少なくとも一部に第２の金属コート層が形成されていることを特徴とする近接場光プローブである。 - 特許庁

In the magnetic head having a first ferromagnetic layer/nonmagnetic intermediate layer/second ferromagnetic layer formed on a substrate, and a pair of electrodes provided in the direction of the film thickness of a laminated film, crystal grains of at least a part of the layers of the laminated film are tilted in a prescribed direction, with respect to the normal direction.例文帳に追加

基体上に形成された第１の強磁性層／非磁性中間層／第２の強磁性層と、前記積層膜の膜厚方向に設けられた一対の電極とを有する磁気ヘッドにおいて、前記積層膜の少なくとも一部の層の結晶粒が、前記基体の法線方向に対して所定の方向に傾斜していることを特徴とする。 - 特許庁

The optical element comprises a columnar part 130 having an upper surface 132 with a light emitted and entered; and an electrode 150 comprising a plurality of layers including at least a first conductive layer 160 and a second conductive layer 170 laminated over the first conductive layer 160, and electrically connected to the upper surface 132 of the columnar part 130.例文帳に追加

光素子は、光が出射又は入射する上面１３２を有する柱状部１３０と、少なくとも第１の導電層１６０及び該第１の導電層１６０の上方に積層された第２の導電層１７０を含む複数層からなり、柱状部１３０の上面１３２と電気的に接続された電極１５０と、を含む。 - 特許庁

A first oxide layer 2 based on an oxide high in the reactivity with the active component is formed on the surface of the carrier substrate 1 and a second oxide layer 3 based on an oxide low in the reactivity with the active component is formed on the surface thereof and a catalyst layer 4 supporting at least a noble metal and the active component is formed on the surface thereof.例文帳に追加

活性成分との反応性の高い酸化物を主とする第１酸化物層２を担体基材１の表面に形成し、その表面に活性成分との反応性の低い酸化物を主とする第２酸化物層３を形成し、その表面に少なくとも貴金属と活性成分とを担持した触媒層４を形成した。 - 特許庁

The liquid crystal display device 40 has a first substrate 43 prepared by laminating a TFT circuit layer 1, insulating layer 2, pixel electrode 3 and alignment film 10 in this order on a transparent substrate 4, and a second substrate 44 prepared by laminating a color filter layer 5, spacer 19, counter electrode 6 and alignment film 11 in this order on a transparent substrate 7.例文帳に追加

液晶表示装置４０は、透明基板４上にＴＦＴ回路層１、絶縁層２、絵素電極３および配向膜１０をこの順に積層した第１基板４３と、透明基板７上に、カラーフィルタ層５、スペーサ１９、対向電極６および配向膜１１をこの順に積層した第２基板４４とを有する。 - 特許庁

The image recording method is characterized by including a first process for recording a lustrous image layer on a medium to be recorded with a lustrous ink composition including a metal pigment, and a second process in which a finishing layer is recorded on the lustrous image layer with a black ink composition including a black pigment to decrease brightness of the lustrous image.例文帳に追加

被記録媒体上に金属顔料を含む光輝性インク組成物で光輝画像層を記録する第一の工程と、前記光輝画像層上に黒色顔料を含む黒色インク組成物で仕上げ層を記録することによって前記光輝画像の明度を低下させる第二の工程と、を有することを特徴とする画像記録方法。 - 特許庁

The radiation image conversion plate 4 is equipped with a support 7 placed on the side where radiation A is incident, a first stimulable phosphor layer 9 placed on the side where excitation light B is incident on the support 7 and a second stimulable phosphor layer 10 placed on the side where the excitation light B is incident on the first stimulable phosphor layer 9.例文帳に追加

放射線画像変換プレート４は、放射線Ａの入射側に設けられる支持体７と、この支持体７上で励起光Ｂの入射側に設けられる第１の輝尽性蛍光体層９と、この第１の輝尽性蛍光体層９上で励起光Ｂの入射側に設けられる第２の輝尽性蛍光体層１０とを備える。 - 特許庁

A first insulating layer 58 made of an inorganic insulating material is formed on a layered body 62, and a second insulating layer 63 made of an organic insulating material is formed on both sides more than the end surfaces of both sides of the layered body 62 from ends 58a of both sides of the first insulating layer 58 in a track width direction.例文帳に追加

積層体６２上に無機絶縁材料で形成された第１絶縁層５８を形成し、前記第１絶縁層５８のトラック幅方向における両側端部５８ａ上から前記積層体６２の両側端面６２ｂよりもさらに両側にかけて有機絶縁材料で形成された第２絶縁層６３が形成されている。 - 特許庁

A transparent electrode 12 and an auxiliary electrode 13, of a prescribed pattern installed on the surface of the transparent electrode, are formed on a transparent glass substrate 11, a first insulating layer 16 and a second insulating layer 17 to cover the auxiliary electrode 13 are formed in a lamination structure, and an organic EL layer 18 is formed over the transparent electrode 12.例文帳に追加

透明ガラス基板１１上において、透明電極１２および該透明電極１２表面に配設された所定パターンの補助電極１３が形成され、該補助電極１３を被覆する第１の絶縁層１６および第２の絶縁層１７が積層構造に形成され、透明電極１２上に有機ＥＬ層１８が形成される。 - 特許庁

To provide a polishing composition capable of keeping high flatness of a metal surface polished by chemical mechanical polishing (CMP) and a polishing composition for two-stage polishing achieving high polishing speed ratio between the copper layer in the first stage polishing and the barrier layer in the second stage polishing to enable the selective polishing of the copper layer.例文帳に追加

ＣＭＰによる研磨後の金属表面の平坦性を高度に保持することができる研磨組成物、さらには高度の表面平坦性を与え、しかも２段研磨において、第１段研磨における銅層と第２段研磨におけるバリア層との研磨速度の比が高く、銅層を選択的に研磨することのできる研磨組成物を提供すること。 - 特許庁

First, a first electrode structure 11 having the surface which forms at least two-height levels is formed on a substrate 1, a ferroelectric- material layer 13 having a variety of layer thickness is laminated on the first electrode structure 11 by spin coating, and in succession, a second electrode structure 12 is formed on the ferroelectric-material layer 13.例文帳に追加

まず、基板１上に、少なくとも２つの高さレベルを形成する表面を有する第１の電極構造体１１を形成し、該第１の電極構造体１１の上に、スピンコーティング法によって、層厚さ変化を有する強誘電体層１３を堆積させ、引き続き、該強誘電体層１３の上に第２の電極構造体１２を形成する。 - 特許庁

A first adhesive resin layer 2 which is stuck to a mounting wiring board, hardened, and peeled and removed, and a second adhesive resin layer 3 which is stuck to a semiconductor device and hardened with higher mechanical strength and a smaller coefficient of thermal expansion than the first layer 2, are layered between the semiconductor device 1 and a soldered mounting wiring board 4.例文帳に追加

はんだ接続した半導体装置1と実装用配線基板４の間に、実装用配線基板に接着し硬化した剥離、除去が可能な第一接着剤樹脂層２と半導体装置に接着し硬化した第一接着剤樹脂層２より、機械強度が高く、熱膨張係数が小さい第二接着剤樹脂層３で充填させた。 - 特許庁

The pattern forming method includes steps 201 and 202 of forming a chemically amplified resist layer on a semiconductor substrate; a step 203 of patternwise exposing the chemically amplified resist layer; a step 204 of heating the chemically amplified resist layer after the exposure; a first developing step 205 in which alkali concentration is high; and a second developing step 206 in which alkali concentration is low.例文帳に追加

半導体基板上に化学増幅型レジスト層を形成する工程２０１、２０２と、化学増幅型レジスト層をパターン露光する工程２０３と、露光処理後に化学増幅型レジスト層を加熱する工程２０４と、アルカリ濃度の高い第一現像処理工程２０５、その後アルカリ濃度の低い第二の現像処理工程２０６を含む。 - 特許庁

The semiconductor variable resistor 10 is provided with a substrate 1, a first conductive semiconductor layer 2 formed on the substrate 1, a plurality of second conductive diffusion resistors 3 formed in the semiconductor layer 2, an insulating film 4 formed on the semiconductor layer 2, and a control electrode 5 formed on the insulating film 4.例文帳に追加

本発明に係る半導体可変抵抗素子１０は、基板１と、基板１上に形成され第１導電型を有する半導体層２と、その半導体層２中に形成され第２導電型を有する複数の拡散抵抗３と、その半導体層２上に形成された絶縁膜４と、その絶縁膜４上に形成された制御電極５とを備える。 - 特許庁

The channel forming regions are constituted of an inverted layer forming region (a surface region of a substrate SUB which constitutes the CH1) which is composed of second conductivity semiconductor and in which a channel is formed of an inverted layer, and accumulation layer forming regions ACLa, ACLb which are composed of first conductivity semiconductor and in which channels are formed of storage layers composed of majority carrier.例文帳に追加

チャネル形成領域が、第２導電型半導体からなり、反転層によりチャネルが形成される反転層形成領域（ＣＨ１をなす基板ＳＵＢの表面領域）と、第１導電型半導体からなり、多数キャリアの蓄積層によりチャネルが形成される蓄積層形成領域ＡＣＬａ，ＡＣＬｂとからなる。 - 特許庁

The package for housing the electronic components comprises a first heater 13 provided so as to correspond to a metal layer 12 inside a substrate 11; a lid 14 joined to the metal layer 12 through the sealing member 18; and a second heater 15 provided so as to correspond to the metal layer 12 on the lid 14, whose heat generation amount is larger than the one of the first heater 13.例文帳に追加

基体１１の内部に金属層１２に対応するように設けられた第１のヒータ部１３と、金属層１２に封止材１８を介して接合される蓋体１４と、蓋体１４に金属層１２に対応するように設けられており、第１のヒータ部１３より発熱量の大きい第２のヒータ部１５とを備えている。 - 特許庁

The electro-optical device (liquid crystal light bulb) uses, as one substrate, a composite substrate including a quartz substrate having a first thermal expansion coefficient (substrate body 10A), an insulator layer formed on the quartz substrate (underlayer insulation film 12) and a single crystal silicon layer having a second thermal expansion coefficient formed on the insulation film (semiconductor layer 1a).例文帳に追加

本発明の電気光学装置（液晶ライトバルブ）は、第１の熱膨張係数を持つ石英基板（基板本体１０Ａ）と、石英基板上に形成された絶縁体層（下地絶縁膜１２）と、絶縁体層上に形成された第２の熱膨張係数を持つ単結晶シリコン層（半導体層１ａ）とを有する複合基板を一方の基板としたものである。 - 特許庁

This method of manufacturing the high-voltage transistor with the extended drain region comprises the formation of a first-conductivity type epitaxial layer 101 on a first-conductivity type substrate 10 and the etching of the epitaxial layer 101 to form a pair of spaced-apart trenches that define the first and second sidewall portions of the epitaxial layer 101.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法は、第一の導電型である基板１０上に第一の導電型であるエピタキシャル層１０１を形成し、そして、エピタキシャル層１０１をエッチングして、エピタキシャル層１０１の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

The method includes in a first reaction chamber converting at least a part of the copper containing surface layer 4 into a copper halide surface layer 5 and in a second reaction chamber removing at least a part of the copper halide surface layer 5 by exposing it to a photon atmosphere 6, thereby initiating formation of volatile copper halide products 8.例文帳に追加

この方法は、第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。 - 特許庁

The optical memory composed of a core layer and a clad layer stacked together and an uneven section 8 between them to reproduce information is manufactured by sequentially performing a coating process, a first irradiation process, a coating process, a stamper attaching process, a second irradiation process, a stamper separation process in this order on the resin layer 5a formed on a glass substrate 20.例文帳に追加

交互に積層されたコア層とクラッド層との界面に情報再生用の凹凸部８を形成してなる光メモリは、ガラス基板２０上に設けられた樹脂基体５ａ上に、塗布工程、第１硬化工程、塗布工程、スタンパ貼着工程、第２硬化工程、スタンパ剥離工程の順に各工程を繰り返し実施して製造される。 - 特許庁

By having the gate electrode of the non-linear element connected to the scanning line or the signal line, the first wiring layer or the second wiring layer of the non-linear element is directly connected to the gate electrode layer so that the potential of the gate electrode is applied and thereby stable operation is performed due to the reduction of connected resistance and the occupied area of the connection part is reduced.例文帳に追加

非線形素子のゲート電極は走査線又は信号線と接続され、非線形素子の第１配線層又は第２配線層がゲート電極の電位が印加されるようにゲート電極層と直接接続されていることで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積を縮小する。 - 特許庁

A display device according is characterized in that a first electrode, an insulating layer covering a peripheral edge of the first electrode, a layer containing an organic compound, which is formed on the first electrode, and a second electrode are formed in a display area, and that the first electrode and the insulating layer are doped with an impurity element imparting one conductivity type.例文帳に追加

本発明の表示装置の一は、第１の電極と、該第１の電極の周辺端部を覆う絶縁層と、第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、第２の電極とが表示領域に形成され、第１の電極と、絶縁層とには、一導電型の不純物元素が添加されていることを特徴とする。 - 特許庁

The image formation device comprises a first inkjet recording head for forming a layer with an unevenness corresponding to the image to be recorded, a second inkjet recording head for carrying out image recording, and a third inkjet recording head for forming a layer with an unevenness corresponding to the image to be recorded which is smaller than the unevenness of the layer formed by the first inkjet recording head.例文帳に追加

記録する画像に応じた凹凸を有する層を形成する第１のインクジェット記録ヘッドと、画像記録を行う第２のインクジェット記録ヘッドと、第１インクジェット記録ヘッドが形成する層の凹凸よりも小さい、記録する画像に応じた凹凸を有する層を形成する第３のインクジェット記録ヘッドとを有することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium has a magnetic layer comprising a first magnetic layer 14 of CoCr based alloy having a granular structure in which non-magnetic grain boundary is formed of an oxide or an nitride of a metal, and a second magnetic layer 15 of CoCr based alloy having a non-granular structure in which non-magnetic grain boundary does not contain an oxide or a nitride of a metal.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体の磁性層を、非磁性粒界が金属の酸化物または窒化物からなるグラニュラ構造のＣｏＣｒ系合金の第１の磁性層１４と、非磁性粒界に金属の酸化物や窒化物を含有しない非グラニュラ構造のＣｏＣｒ系合金の第２の磁性層１５で構成することとした。 - 特許庁

A powder magnetic core comprises a soft magnetic particle, a first coating layer which is formed of heat-hardening silicon resin and covers the surface of the soft magnetic particle, and a second coating layer which is formed of low softening point glass having a lower softening point than the annealing temperature of the soft magnetic particle and covers the surface of the first coating layer, and has high specific resistance and strength.例文帳に追加

本発明の圧粉磁心は、軟磁性粒子と、加熱硬化型のシリコーン樹脂からなり軟磁性粒子の表面を被覆する第１被覆層と、軟磁性粒子の焼鈍温度よりも低い軟化点を有する低軟化点ガラスからなり第１被覆層の表面を被覆する第２被覆層と、からなる比抵抗および強度に優れることを特徴とする。 - 特許庁

In a process of manufacturing the optical semiconductor device, a diffraction grating is formed in an active layer, a wafer is placed in a growth device (steps S1 and S2), a thermal deformation prevention layer is formed on the surface of the diffraction grating at a first temperature (step S3), and then a temperature is raised to a second temperature for forming a buried layer of the diffraction grating (step S4).例文帳に追加

光半導体装置の製造過程において、活性層に回折格子を形成してウェハを成長装置内に配置し（ステップＳ１，Ｓ２）、この成長装置内で、第１の温度で回折格子表面に熱変形防止層を形成した後（ステップＳ３）、回折格子の埋め込み層を形成する第２の温度まで昇温する（ステップＳ４）。 - 特許庁