「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(345ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a structure for connection between substrates, which makes characteristics of transmission of an electric signal between the substrates proper by preventing the deformation and breakage of a first substrate and a conductive layer, even when a second substrate is superposed on the first substrate and the conductive layer, having a fragile structure, and a package.例文帳に追加

脆弱な構造を有する第１基板や導電層に第２基板を積層した場合でも、第１基板や導電層の変形や破損を防止することによって、基板間での電気信号の伝送特性が良好な基板間接続構造およびパッケージを提供する。 - 特許庁

To transmit recording light or reproducing light for recording/ reproducing with respect to a first recording layer 3 with high transmissivity without making thin a second recording layer 5 arranged on a side to make incident the recording light or the reproducing light in an optical recording medium having two or more recording layers.例文帳に追加

２層以上の記録層を有する光記録媒体において、記録光又は再生光が入射する側に配された第２の記録層５の膜厚を薄くすることなく、第１の記録層３の記録再生を行うための記録光又は再生光を高い透過率にて透過させる。 - 特許庁

The reflecting electrode 2 formed on a substrate 1 has a first Al-(Ni/Co)-X alloy layer 2a containing X of Ni and/or Co of 0.1-2 atom% and La or the like of 0.1-2 atom% and a second Al oxide layer 2b containing Al and O (oxygen).例文帳に追加

基板１上に形成される反射電極２は０．１〜２原子％のＮｉ及び／又はＣｏ、並びに０．１〜２原子％のＬａなどのＸを含有する第１のＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｘ合金層２ａと、ＡｌとＯ（酸素）を含有する第２のＡｌ酸化物層２ｂとを有している。 - 特許庁

A method of manufacturing a gas tank includes: a first step of winding a fiber impregnated with a thermosetting resin around the outer circumference of a container 20 to form the fiber reinforced resin layer 21 on the outer circumference of the container 20; and a second step of thermally setting the fiber reinforced resin layer 21.例文帳に追加

ガスタンクの製造方法は、熱硬化性樹脂が含浸された繊維を内容器２０の外周に巻回して内容器２０の外周に繊維強化樹脂層２１を形成する第１の工程と、繊維強化樹脂層２１を熱硬化する第２の工程と、を有している。 - 特許庁

On the liquid crystal layer side of the first substrate, a plurality of gate lines 12, a plurality of source lines 14, a TFT element 20, and a pixel electrode 16 electrically connected to the TFT element 20 are placed, while a common electrode is placed on the liquid crystal layer side of the second substrate.例文帳に追加

第１の基板の液晶層側には、複数のゲート線１２と、複数のソース線１４と、ＴＦＴ素子２０と、ＴＦＴ素子２０に電気的に接続された画素電極１６とが配置され、第２の基板の液晶層側には共通電極が配置されている。 - 特許庁

In this light emitting element, a light emitting layer or a plurality of organic layers containing the light emitting layer are formed between a pair of electrodes, and this light emitting element contains a first light emitting material expressed by (chemical formula 1) and a second light emitting material capable of emitting a short wave from the first light emitting material.例文帳に追加

一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数の有機層が形成された発光素子であって、一般式（Ｉ）で表される第一の発光材料と、第一の発光材料より短波発光可能な第二の発光材料とを含有する発光層を有する発光素子。 - 特許庁

The second substrate 30 onto which the uppermost layer portion 12b of the density region 12 is transferred is used as a semiconductor substrate to be acquired by this method, and the first substrate 20 in which the lower layer 12a of the density region 12 remains is re-utilized as a substrate as epitaxial growth.例文帳に追加

低転位密度領域１２の表層部１２ｂが転写された第２の基板３０は本発明の製造方法で得られる半導体基板とされ、低転位密度領域１２の下層部１２ａが残存した状態の第１の基板２０は再度エピタキシャル成長用の基板として利用される。 - 特許庁

A lens sheet 30 comprises: a sheet-like translucent substrate 33; a lens layer 32 arranged on a first face of the sheet-like translucent substrate 33 and provided with a plurality of substantially parallel lens arrays; and a light diffusion layer 34 arranged on a second face of the sheet-like translucent substrate 33.例文帳に追加

レンズシート３０は、シート状透光性基材３３と、シート状透光性基材３３の第１の面に付されており且つ略平行な複数のレンズ列を有するレンズ層３２と、シート状透光性基材３３の第２の面に付された光拡散層３４とを備える。 - 特許庁

A metal silicide film is formed only on the surface of the gate electrode out of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the first transistor of a memory cell array, and a metal silicide film is formed on the surfaces of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the second transistor of a logic circuit.例文帳に追加

また、メモリセルアレイ部の第１のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極のうちゲート電極の表面のみに金属シリサイド膜が形成され、ロジック回路部の第２のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極の表面に金属シリサイド膜が形成される。 - 特許庁

The tip of the welding rib 19 welds only to the solid portion by fusing itself while fusing the thin walled solid layer 13 by pressingly and contactingly vibrating against the thin walled solid layer 13 corresponding to the thick walled solid part 17 so as to weldingly integrate the first resin panel 3 and the second resin panel 5.例文帳に追加

溶着リブ１９先端を、厚肉ソリッド部１７に対応する薄肉ソリッド層１３との圧接振動により薄肉ソリッド層１３を溶融させつつ自身も溶融してソリッド部分のみと溶着させ、第１樹脂パネル３と第２樹脂パネル５とを溶着一体化する。 - 特許庁

Then, in the Ni-P film 8, the first layer 10 has a P content of 3 to 6 wt.%, and the second layer 11 has a P content of >6 to 9 wt.%, and the thickness thereof is 0.1 to 1.0 μm.例文帳に追加

そして、Ｎｉ−Ｐ皮膜８のうち、第１層１０は、Ｐ含有率が３重量％以上６重量％以下であり、第２層１１は、Ｐ含有率が６重量％を超えかつ９重量％以下であってその厚みは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。 - 特許庁

The second main surface of a lead frame 13 bonded to a resin insulating layer 14 is set larger in area than its first main surface where a semiconductor element 11 is mounted, and the lead frame is bonded to a base board 15 in one piece through the intermediary of the resin insulating layer 14.例文帳に追加

リードフレーム１３の半導体素子１１を載置する面である第１の主面に比較して、樹脂絶縁層１４に接着する面である第２の主面の面積をより大きく確保して、リードフレームを樹脂絶縁層１４を介してベース板１５と接着して一体化した構造を持つ。 - 特許庁

The band ply 9A includes a first ply piece 9a covering only one end side of the belt layer 7, and a second ply piece 9b adjacent to the first ply piece 9a, continuously covering a central part and the other end side of the belt layer 7 and wider than the first ply piece 9a.例文帳に追加

バンドプライ９Ａは、ベルト層７の一方の端部側のみを覆う第１のプライ片９ａと、この第１のプライ片９ａに隣り合いかつベルト層７の中央部と他方の端部側とを連続して覆う前記第１のプライ片９ａよりも幅広の第２のプライ片９ｂとを含む。 - 特許庁

Subsequently, a resist film 110 composed of a chemically amplified resist material is formed on the low permittivity insulating film 101 on which the first molecular layer 105 and the second molecular layer 109 are formed and the resist film 110 is subjected to pattern exposure and development, thus forming a resist pattern.例文帳に追加

次に、第１の分子層１０５及び第２の分子層１０９が形成されている低誘電率絶縁膜１０１の上に化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜１１０を形成し、該レジスト膜１１０に対してパターン露光及び現像を行なって、レジストパターンを形成する。 - 特許庁

The first and the second interlayer insulating films 13 and 14 for insulating the top and bottom layers of a semiconductor layer 1a constitute a multilayer structure comprising PSG films 13a and 14a, a semiconductor layer 1a, and NSG films 13b and 14b formed in between the PSG films 13a and 14a.例文帳に追加

半導体層１ａの下層及び上層を絶縁する第１，第２層間絶縁膜１３，１４を、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａと、半導体層１ａとＰＳＧ膜１３ａ，１４ａとの間に形成されたＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂとを有する多層構造で構成する。 - 特許庁

To prevent a defect from being generated in a separation process in a method for creating a laminated substrate by laminating first and second substrates with a porous layer and separating the laminated substrate into two substrates at the part of the porous layer for manufacturing an SOI substrate.例文帳に追加

多孔質層を有する第１の基板と第２の基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成し、該貼り合わせ基板を基板を多孔質層の部分で２枚の基板に分離してＳＯＩ基板を製造する方法において、分離工程における欠陥の発生を防止する。 - 特許庁

A multilayered film formed of a first layer for adsorbing a specific gas and a second layer reduced in adsorption is utilized as a detection film, the detection film is put in the direction vertical to a light path and a change in stress occurring in the detection film by the adsorption of the gas is optically detected as coupling loss or the like.例文帳に追加

特定のガスを吸着する第一の層と吸着の少ない第二の層から形成される多層膜を検知膜として利用、光路と垂直な方向に検知膜を入れ、ガス吸着により検知膜に発生する応力変化を、結合損失等として光学的に検知する。 - 特許庁

To provide a particle moving type display device wherein suitable pixel display according to a voltage signal is obtained by reducing fluctuation of connection states of a resistance layer and a second electrode of a display surface for every pixel in the whole display device without increasing film thickness of the resistance layer.例文帳に追加

抵抗層の膜厚を増すことなく、表示装置全体で、画素ごとの表示面の抵抗層と第二電極との接続状態のばらつきを減らして、電圧信号に応じた適正な画素表示が得られるようにした粒子移動型表示装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate, two or more wiring layers formed on the substrate, a fuse formed in the top layer among the wiring layers, a first insulating film formed in contact with the fuse surface on the wiring layer, and a second insulating film formed on the first insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、基板と、基板上に形成された複数層の配線層と、配線層うち最上層に形成されたヒューズと、配線層上に、ヒューズ表面に接して形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを備える。 - 特許庁

A light diffusion plate 10 obtained by dispersedly mixing light scattering particles 13 into a resin 12 includes at least two layers of the first resin layer 20 having a light transmission of T1% and the second resin layer 21 having a light transmission of T2% (T1%<T2%).例文帳に追加

樹脂１２に光散乱粒子１３が分散混入されてなる光拡散板１０を、全光線透過率がＴ１％である第１樹脂層２０と全光線透過率がＴ２％（Ｔ１％＜Ｔ２％）である第２樹脂層２１との少なくとも２層から構成する。 - 特許庁

A second face 38 of the semiconductor substrate 10 is etched with a first etchant having the property that the etching amount of the semiconductor substrate 10 is larger than that of the insulation layer 28 so that the conductive part 30 can be protruded in the condition of being coated with the insulation layer 28.例文帳に追加

半導体基板１０に対するエッチング量が絶縁層２８に対するエッチング量よりも多くなる性質の第１のエッチャントによって、半導体基板１０の第２の面３８をエッチングし、絶縁層２８にて覆われた状態で導電部３０を突出させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element is provided with the translucent positive electrode formed on the p-type semiconductor layer through the p-type contact layer and, in this case, the translucent positive electrode is constituted of a first semiconductor film, a metal film, and a second semiconductor film which are laminated in this sequence.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された透光性の正電極を備える半導体発光素子であって、前記透光性の正電極が、第１の半導体膜、金属膜、第２の半導体膜がこの順に積層されてなる半導体発光素子。 - 特許庁

An oxygen barrier layer 108A connected to the upper end of the plug 107 is formed on the first protective insulation film 103, and the oxygen barrier layer 108A is composed of multiple nitride which is the mixture of a first conductive nitride and a second insulating nitride or an alloy.例文帳に追加

第１の保護絶縁膜１０３の上には、プラグ１０７の上端と接続する酸素バリア層１０８Ａが形成されており、該酸素バリア層１０８Ａは、導電性を有する第１の窒化物と、絶縁性を有する第２の窒化物との混合物又は合金である複合窒化物からなる。 - 特許庁

An interval 12a, between a first N-type embedded diffused layer 2 and a second N-type diffused layer 3 formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1, is adjusted so that the fluctuations of a punch-through voltage becomes smaller according to the impurity concentration of the substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の表面に形成された第１のＮ型埋め込み拡散層２と第２のＮ型埋め込み拡散層３との間隔１２ａは、Ｐ型半導体基板１の不純物濃度に応じてパンチスルー電圧のばらつきが小さくなるように調整される。 - 特許庁

A cholesteric liquid crystal polymer layer 27 is formed on the entire surface of a second large glass plate 63 for forming counter substrates 12 and then the cholesteric liquid crystal polymer layer 27 in a cutting line 64 area is thermally removed by using a laser device 70 and the like or mechanically removed by using a rubber blade 72.例文帳に追加

対向基板１２を形成する第２の大型ガラス板６３全面にコレステリック液晶ポリマー層２７を形成後、裁断線６４領域のコレステリック液晶ポリマー層２７をレーザ装置７０等により加熱除去し、あるいはゴムブレード７２により機械的に除去する。 - 特許庁

At this point, the overlap of a fore porous insulating layer 11 with the first coupling member 16 is sewed up, and the overlap of a rear porous insulating layer 12 with the second coupling member 17 is sewed up to form the veneer speakers 10 into the shape of a curtain.例文帳に追加

ここで、前部多孔質絶縁層１１と第１連結部材１６との重ね合わせ部が縫合されているとともに、後部多孔質絶縁層１２と第２連結部材１７との重ね合わせ部が縫合されることにより一体化されてカーテン状に形成されている。 - 特許庁

An alloy used for the solder layer 60 of the semiconductor module 10 comprises a first metal 62 composed of Bi which decides the melting point of the solder layer 60 substantially, and a second metal 64 which mixedly exists in the first metal 62 and has properties of a martensitic transformation.例文帳に追加

半導体モジュール１０のはんだ層６０に用いられている合金は、はんだ層６０の融点を実質的に決定するBiからなる第１金属６２と、第１金属６２に混在しているとともにマルテンサイト変態の性質を有する第２金属６４を備えている。 - 特許庁

In other words, the thick film electrode 210 is arranged from the mid part of the side wall 202a of the piezoelectric/electrostriction layer 202 over the first wiring pattern 208A, and a third wiring pattern 208C is formed at a part including a second piezoelectric/electrostriction layer 202B and the thick film electrode 210.例文帳に追加

すなわち、圧電／電歪層２０２の側壁２０２ａの途中から第１の配線パターン２０８Ａ上にかけて厚膜電極２１０が配置され、２層目の圧電／電歪層２０２Ｂと厚膜電極２１０とを含む部分に第３の配線パターン２０８Ｃが形成されている。 - 特許庁

The film mirror is formed by laminating a first stretched film and a second stretched film via an adhesive layer while sandwiching a silver reflection layer provided on the first stretched film.例文帳に追加

つまり、軽量で柔軟性があり、製造コストを抑え大面積化、大量生産することのでき、しかも耐久性に優れ、太陽光に対して良好な正反射率を有するフィルムミラー、その製造方法及びそのフィルムミラーを用いた太陽熱発電用反射装置を提供すること。 - 特許庁

Each layer of the plurality of light modulating electric reaction layers consists of a polymer having dispersion of a cholesteric liquid crystal material which can be controlled into a first light-reflection state and a second light- transmitting state, and is formed on at least a part of the conductive layer.例文帳に追加

前記複数の光変調電気的反応層の各層は、第１の光反射状態と第２の光透過状態とに制御可能なコレステリック液晶物質が分散したポリマーで形成され、前記透明な導電性層上の少なくとも一部に設けられている。 - 特許庁

A laminated dielectric filter is provided with a strip line resonator L1 consisting of an inductor 2 consisting of a plurality of dielectric layers, at least first and second strip line conductor layers 13, 16 and ground conductor layers 22, 25, a conductor layer 30a for wavelength reduction, and an input/ output conductor layer 28.例文帳に追加

積層型誘電体フィルタは、複数の誘電体層から成る誘導体２と少なくとも第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６とグランド導体層２２，２５とから成るストリップライン共振器Ｌ１、波長短縮用導体層３０ａ及び入出力導体層２８を具備している。 - 特許庁

The wavelength conversion element 20A includes: the substrate 1 for wavelength conversion; a first conductive layer 6A formed so as to contact the +Z surface 1a of the substrate 1 for wavelength conversion; and a second conductive layer 6B formed so as to contact the -Z surface 1b of the substrate 1 for wavelength conversion.例文帳に追加

波長変換素子２０Ａは、波長変換用基板１、波長変換用基板１の＋Ｚ面１ａに接触するように形成された第一の導電層６Ａ、および波長変換用基板１の−Ｚ面１ｂに接触するように形成された第二の導電層６Ｂを備えている。 - 特許庁

The first optical compensation element 1 compensates wavelength dependence of the rotary polarization angle of polarized light passing through the liquid crystal layer 12 in a black display state and the second optical compensation element 2 compensates wavelength dependence of the ellipticity of the polarized light passing through the liquid crystal layer 12 in the black display state.例文帳に追加

第１の光学補償素子１は、黒表示状態において液晶層１２を通過する偏光の旋光度の波長依存性を補償し、第２の光学補償素子２は、黒表示状態において液晶層１２を通過する偏光の楕円率の波長依存性を補償する。 - 特許庁

In the semiconductor laser device where the semiconductor lasers having a couple of wavelengths are formed on one substrate, the layers above a clad layer of a second conductivity type at the upper part of an active layer of each semiconductor laser are simultaneously crystal-grown to conduct in common the step of forming the current pinching part.例文帳に追加

２つの波長の半導体レーザを１つの基板上に作成する半導体レーザ素子において、各半導体レーザの活性層上部の第２導電型のクラッド層より上の層を同時に結晶成長させ、電流狭窄部の形成工程を共通化する。 - 特許庁

The optical modulating element 101 has a grating layer 3 where grating members 5 are cyclically arranged, and a first conductive member 2 and a second conductive member 4 to which a voltage is applied at right angles to a waveguide direction of the grating layer 3, on a substrate.例文帳に追加

本発明の光変調素子１０１は、基板１上に、格子部材５が周期的に配置される格子層３と、格子層３における導波方向に対して垂直の方向に電圧を印加するようになっている第１の導電性部材２と第２の導電性部材４とを備えている。 - 特許庁

In a recording and reproducing method, the magnetization direction of the first magnetic layer is initialized in the prescribed direction, a current is made to flow in the write line, the magnetization direction of the second magnetic layer of the magnetic resistive element is decided and information is recorded, an absolute value of resistance of the magnetic resistance element is detected, and recorded information is reproduced.例文帳に追加

記録再生方法は、第１の磁性層の磁化方向を所定方向に初期化し、書込み線に電流を流して、磁気抵抗素子の第２磁性層の磁化方向を決定して情報を記録し、磁気抵抗素子の抵抗の絶対値を検出して、記録情報を再生する。 - 特許庁

The fuse element 5 is formed by connecting in series two or more sets of fuse units Fu1 to Fu3 connecting in parallel the fuses F1 to F3 consisting of a first conductive lead layer, and resistors R1 to R3 consisting of a second conductive lead layer, and is provided on a semiconductor substrate on which circuit elements are arranged.例文帳に追加

回路素子が設けられた半導体基板上に第１の導電線層からなるヒューズＦ１〜Ｆ３と第２の導電線層からなる抵抗Ｒ１〜Ｒ３とを並列接続した２組以上のヒューズ単位Ｆｕ１〜Ｆｕ３を直列接続してなるヒューズ素子５を設ける。 - 特許庁

In the electro-optical device, a linewidth of at least one power source line among a plurality of power source lines 103R, 103G, and 103 B is narrowed by at least partially consisted of a conductive film arranged in a first wiring layer 135 and a conductive film arranged in a second wiring layer 136.例文帳に追加

複数の電源線１０３Ｒ，１０３Ｇ，及び１０３Ｂのうちの少なくとも１つの電源線の少なくとも１部を第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。 - 特許庁

After the reinforced seed layer is subjected to an electroless copper plating to fill the contact hole 14 and the inside of the wiring groove 15 with copper, a copper film exposed to the interlayer insulating film of the second layer is removed to form an embedded wiring having a dual-damascene structure.例文帳に追加

補強されたシード層１７Ａの上に銅の電解めっきを行なって、コンタクトホール１４及び配線溝１５の内部に銅膜を充填した後、第２層の層間絶縁膜の上に露出している銅膜を除去してデュアルダマシン構造を有する埋め込み配線を形成する。 - 特許庁

The first conductor layer 20 has such a pattern that a unit shape constituted by linking a pair of patch 21 and branch 22 in an (x) direction is further arranged cyclically in the (x) direction, and an EBG body structure is constituted together with the dielectric substrate 10 and the second conductor layer 30.例文帳に追加

第１導電体層２０は、一対のパッチ２１及びブランチ２２をｘ方向に連結してなるような単位形状を更にｘ方向に周期的に配置してなるようなパターンを有しており、誘電体基板１０及び第２導電体層３０と共にＥＢＧ構造体を構成する。 - 特許庁

The electromagnetic field coupling between a power supply line 5 and a first layer distributed constant line 3 as well as a second layer distributed constant line 4 which comprise a required high-frequency characteristics in electromagnetic coupling is reduced by a through hole 8, to which the electric potential connecting ground patterns 6 and 7 are grounded.例文帳に追加

電磁界的に結合して所要の高周波特性を持つ第１層分布定数線路３及び第２層分布定数線路４と給電線路５の間の電磁界的結合が、グランドパターン６，７を接続する電位が接地されたスルーホール８によって低減される。 - 特許庁

Since minus ions are irradiated from the static electricity-removing device 7 on the rotator collector 5, the plus electric charge of the nanofibers of insulator accumulated in the second layer and the third layer is neutralized to give the accumulation product of the nanofibers oriented in one direction without being repelled by the same polar electric charge.例文帳に追加

回転体コレクタ５に対して、静電除去装置７から、マイナスイオンを照射しているため、２層目、３層目と積層されていく絶縁体であるナノ・ファイバの＋電荷が中和されて同極性の電荷の反発は発生せず、揃った配向の一方向ナノ・ファイバの集積体が得られる。 - 特許庁

When additionally recording in the optical disk, the optical axis angle of the angle variable rising mirror 10 is adjusted such that a tracking error signal of a recording layer detected by the first light beam becomes almost zero, in a state that tracking control to a guide layer is performed by the second light beam.例文帳に追加

光ディスクに追加記録する際、第２の光ビームでガイド層へのトラッキング制御を行っている状態で、第１の光ビームで検出される記録層のトラッキング誤差信号がほぼゼロとなるように角度可変立上げミラー１０の光軸角度を調整する。 - 特許庁

When an activation switch SW0 of a first circuit A is closed, a power supply 16 applies voltage E1 between a first electrode layer 3 and a second electrode layer 4, and a free end 10B of an actuator body 10 is deformed upward to set the key 11 at a protruding state.例文帳に追加

第１回路Ａの起動スイッチＳＷ０を閉じると、電源１６から第１の電極層３と第２の電極層４との間に電圧Ｅ１が印加され、アクチュエータ本体１０の自由端１０Ｂが上方に変形してキー１１を突出状態に設定する。 - 特許庁

Since a convex portion of the first interlayer insulating film 92 having a height corresponding to the film thickness of the first Al layer 94 exists on the light receiver where the pattern of the first Al layer 94 is not formed, the surface of a second interlayer insulating film 96 laminated thereon is formed flatly.例文帳に追加

第１Ａｌ層９４のパターンが形成されない受光部に、第１Ａｌ層９４の膜厚に応じた高さの第１層間絶縁膜９２の凸部が存在することで、その上に積層される第２層間絶縁膜９６の表面が平坦に形成される。 - 特許庁