「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(347ページ目) - Weblio英語例文検索

A power module according to the present invention comprises a surface side solder layer 45 formed between a surface electrode 25 and a second electrode pad 5a of a semiconductor element 20, and a rear face side solder layer 43 formed between a back electrode 23 and a first electrode pad 3a.例文帳に追加

本発明に係るパワーモジュールでは、半導体素子２０の表面電極２５と第２電極パッド５ａとの間に表面側半田層４５が形成され、半導体素子２０の裏面電極２３と第１電極パッド３ａとの間に裏面側半田層４３が形成されている。 - 特許庁

A metal oxide layer 18 is formed on a deposited underlying metal layer 16 using an anode oxidation procedure, a second metal 20 is deposited thereon and planarized by chemical mechanical polishing or other procedure to fabricate a metal/insulator/metal capacitor structure in a semiconductor substrate.例文帳に追加

堆積した下地金属層１６上で陽極酸化手順を使用し、金属酸化物層１８を形成し、引き続いて第２金属２０を堆積し、化学的機械的研磨または他の手順によって平坦化することによって金属・絶縁物・金属キャパシタ構造を半導体基板内に形成する。 - 特許庁

The liquid crystal aberration correction device 4 corrects wave aberration of a light beam advancing to the objective lens, and has a liquid crystal molecule layer 24, a first electrode pattern 41-45 arranged on one surface of the liquid crystal molecule layer and a second electrode pattern arranged on the other surface thereof.例文帳に追加

対物レンズに向かう光線の波面収差を補正する液晶収差補正装置４であって、液晶分子層２４と、液晶分子層の一方の面に備えられた第１の電極パターン４１〜４５と、他方の面に備えられた第２の電極パターンとを有する。 - 特許庁

A flexible printed wiring board 1 is provided with a first polyimide system resin layer 3 to support a copper foil on one surface of the copper foil 2 patterned corresponding to the circuit, and a second polyimide system resin layer 5 to coat and protect the circuit on the other surface of the copper foil 2.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板１は、回路に応じてパターニングされた銅箔２の一方の面に銅箔２を支持する第１のポリイミド系樹脂層３が形成されるとともに、銅箔２の他方の面に上記回路を被覆して保護する第２のポリイミド系樹脂層５が形成されてなる。 - 特許庁

In the decorative sheet S, a surface-matte and transparent first resin base material sheet 1 made of a matte agent-added fluororesin, a transparent second resin base material sheet 2 made of acrylic resin wit no matte agent added thereto, and further, suitably, a decorative layer 4 and an adhesive layer 5 are laminated in order from the surface.例文帳に追加

表面から順に、艶消し剤を添加したフッ素樹脂からなる表面艶消しで透明な第１樹脂基材シート１と、艶消し剤無添加のアクリル樹脂からなる透明な第２樹脂基材シート２、更に適宜装飾層４及び接着剤層５を積層した加飾シートＳを用いる。 - 特許庁

The exposure mask comprising a first layer portion 13 provided with an opening pattern 13a and a second layer portion 14 provided with an opening pattern 14a which are laminated, wherein the opening patterns 13a and 14a are disposed in a state of partly intersecting with each other.例文帳に追加

開口パターン１３ａが設けられた第１層部分１３と、開口パター１４ａが設けられた第２層部分１４とを積層してなる基板１２を備えた露光マスク１０であり、開口パターン１３ａと開口パターン１４ａとは、部分的に交差させた状態で配置されている。 - 特許庁

The first kind ferroelectric memory MC1 is provided with such an adhesion layer 25 being in contact with the lower surface of a lower electrode 24 that is made of titanium oxide, and the second ferroelectric memory MC2 is provided with such an adhesion layer 26 being in contact with the lower surface of the lower electrode 24 that is made of tantalum oxide.例文帳に追加

第１種の強誘電体メモリ素子ＭＣ１は、例えば下部電極２４の下面に接触する密着層２５が酸化チタンで形成されており、第２種の強誘電体メモリ素子ＭＣ２は、下部電極２４の下面に接触する密着層２６が酸化タンタルで形成されている。 - 特許庁

A thermal conduction film 1 is formed by laminating a thermal conduction layer 2 made of a first constituent material that includes C (carbon) and conducts heat in the direction toward the inside of the film and in the direction of film thickness, and a distortion relaxing layer 3 made of a second constituent material that relaxes the distortion of the first constituent material.例文帳に追加

熱伝導膜１は、C（炭素）を含む材料で、熱を膜内及び膜厚方向に伝導する第１の構成材料からなる熱伝導層２と、第１の構成材料のひずみを緩和する第２の構成材料からなるひずみ緩和層３とを積層してなる。 - 特許庁

The optical waveguide layer 3 is further provided with first holders 36a, 36b and second holders 37a, 37b that include the parts 32d-32g situated in the same layer and composed of the same material as the cores 32a, 32b and that hold the wavelength filter 4 sandwiched in-between.例文帳に追加

光導波路層３は、コア部３２ａ及び３２ｂと同じ層に位置するとともに同じ材料からなる部分３２ｄ〜３２ｇを含み波長フィルタ４を互いの間に挟み込んで保持する第１の支持部３６ａ、３６ｂ及び第２の支持部３７ａ、３７ｂを更に有する。 - 特許庁

In an area of at least one substrate CF in the first substrate and the second substrate, the area where the sealing material overlaps, such a color layer 9 is formed that transmits light in a shorter wavelength area than in the color layer that mainly transmits light at the shortest wavelength in the plurality of color layers.例文帳に追加

第１基板および第２基板のうち少なくとも一方の基板ＣＦのシール材と重なる領域には、複数の着色層のうち主として透過する光の波長が最も短い着色層よりも、短波長側の光を透過する着色層９が形成されている。 - 特許庁

This capsule-like micro light emitting element comprises a light emitting part having at least a light emitting layer 13 and constituting one pixel, a capsule-like sealing layer 17 independently sealing the light emitting part, and a first electrode 11 and a second electrode 15 for applying a voltage to the light emitting part.例文帳に追加

発光層１３を少なくとも有し且つ一画素を構成する発光部と、前記発光部を個別に封止するカプセル状の封止層１７と、前記発光部に電圧を印加するための第一電極１１及び第二電極１５とを備えることを特徴とするカプセル状マイクロ発光素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor module which even after undergoing a repetitive cold cycle, still has high bonding reliability of a first solder layer bonding a circuit-side metal plate and a semiconductor element together and a second solder layer bonding a heat-dissipation-side metal plate and a heat dissipation base plate together.例文帳に追加

繰り返し冷熱サイクルを経てもなお回路側金属板と半導体素子とを接合する第一のはんだ層と放熱側金属板と放熱ベース板とを接合する第二のはんだ層に高い接合信頼性を有する半導体モジュールを提供することである。 - 特許庁

In the semiconductor device wherein a first layer wiring M1, a second wiring layer M2, and a third wiring M3 are situated under a plurality of electrode pads PD1-PDn arranged in the active region, the occupancy of each wiring in the region of the electrode pads PD is made uniform.例文帳に追加

半導体チップのアクティブ領域に配置された複数の電極パッドＰＤ１〜ＰＤｎ下の第１層配線Ｍ１、第２層配線Ｍ２および第３層配線Ｍ３の配線層毎に、電極パッドＰＤの領域内に配置される配線の占有率が均一になるようにした。 - 特許庁

A transparent electrode 2, a first photovoltaic element 3 where an amorphous silicon film is used as an optically active layer, a reflecting film 4, a second photovoltaic element 5 where a microcrystal silicon film is used as an optically active layer, and a back electrode 6, are successively formed on a support substrate 1.例文帳に追加

支持基板１上に、透明電極２、非晶質シリコン膜を光活性層に用いる第１の光起電力素子３、反射膜４、微結晶シリコン膜を光活性層に用いる第２の光起電力素子５および裏面電極６が順に形成されている。 - 特許庁

Since the second electrode 34b formed on the top of the insulating layer 38 is connected to an anode-wiring 28 on a board 12 through a conductor layer 40, wiring for carrying a current to the positive electrode 34 does not need to be formed around the positive electrode 34.例文帳に追加

また、凸状絶縁層３８の頂部に設けられた第２陽極３４ｂは前記導体層４０を介して基板１２上の陽極配線２８に接続される為、その陽極３４に通電する為の配線をその陽極３４の周囲に設ける必要がない。 - 特許庁

The common mode choke coil is provided with leading-out conductors 31, 32 formed on a resin insulating layer 15B, and in the resin insulating layer 15B, a recess 53 is formed on a region between a first portion 51 covered with the leading-out conductor 31 and a second portion 52 covered with the leading-out conductor 32.例文帳に追加

樹脂絶縁層１５Ｂ上に形成された引き出し導体３１，３２を備え、樹脂絶縁層１５Ｂには、引き出し導体３１に覆われた第１の部分５１と、引き出し導体３２に覆われた第２の部分５２との間の領域において、凹部５３が形成されている。 - 特許庁

First and second optical retardation plates 110, 130 are stuck to front and rear faces of a liquid crystal cell 410 comprising a liquid crystal layer and a pair of substrates interposing the liquid crystal layer, and further polarizing plates 120, 140 are stuck to the respective optical retardation plates so as to make the absorption axes form 90° angle with each other.例文帳に追加

液晶層と、これを狭持する一対の基板よりなる液晶セル４１０の表裏には、第１および第２位相差板１１０，１３０が貼着され、さらにそれぞれの位相差板上に吸収軸が互いに９０°となるように偏光板１２０，１４０が貼着されている。 - 特許庁

The process for producing a substrate for solar cell comprises (i) a step for forming an insulation layer 12 of first insulating material on a metal plate 11 by sol-gel method, and (ii) a step for forming an insulation portion 14 of second insulating material on the surface of the metal plate 11 at a part facing the pinhole portion of the insulation layer 12.例文帳に追加

（ｉ）金属板１１上に、ゾル・ゲル法で第１の絶縁材料からなる絶縁層１２を形成する工程と、（ii）絶縁層１２のピンホール部分に面する金属板１１の表面に、第２の絶縁材料からなる絶縁部１４を形成する工程とを含む。 - 特許庁

A TFT is formed in a structure that a first insulating layer is embedded in a semiconductor film formed on a base insulating film, a second insulating layer is partially formed on the semiconductor film, and a laser beam is irradiated from the side of the surface (or both sides of the side of the surface and the side of the rear) of a substrate.例文帳に追加

下地絶縁膜上に形成された半導体膜中に第１の絶縁層を埋め込み、前記半導体膜上に部分的に第２の絶縁層を形成し、基板の表面側（または、表面側及び裏面側の両側）からレーザビームを照射する。 - 特許庁

The method for manufacturing a gas tank includes: a first step for winding a fiber, impregnated with a thermosetting resin, around the outer periphery of an inner container 20 to form a fiber-reinforced resin layer 21 on the outer periphery of the inner container 20; and a second step for heat curing the fiber-reinforced resin layer 21.例文帳に追加

ガスタンクの製造方法であって、熱硬化性樹脂が含浸された繊維を内容器２０の外周部に巻回して内容器２０の外周部に繊維強化樹脂層２１を形成する第１の工程と、繊維強化樹脂層２１を熱硬化する第２の工程と、を有する。 - 特許庁

Here, since the first and second semiconductor construction bodies 2a and 2b are laminated and embedded into an insulator, constituted of the lower layer insulatingfilm 1, the insulatinglayer 32, and the upper layer insulatingfilm 33, the package density can be made larger than when one semiconductor constructing body is embedded.例文帳に追加

この場合、下層絶縁膜１、絶縁層３２および上層絶縁膜３３からなる絶縁材内に第１、第２の半導体構成体２ａ、２ｂを積層して埋め込んでいるので、１つの半導体構成体を埋め込む場合と比較して、実装密度を大きくすることができる。 - 特許庁

A thermoelectric power generation module includes: a metallic heat conductor; a first heat insulation layer covering a part of a lower surface of the heat conductor; a second heat insulation layer covering an upper surface of the heat conductor; a thermoelectric element disposed on the upper surface; and a heat radiation part disposed on the thermoelectric element.例文帳に追加

熱電発電モジュールは、金属性の熱伝導体と、熱伝導体の下面の一部を覆う第１の断熱層と、熱伝導体の上面を覆う第２の断熱層と、上面上に配置された熱電変換素子と、熱電変換素子上に配置された放熱部と、を有する。 - 特許庁

In the n-type current block layer, a current injection part 108a which is a first opening and a current shutoff part 108b which is a second opening are formed, and the p-type light guide layer 111 is also formed in the current injection part 108a and the current shutoff part 108b.例文帳に追加

ｎ型電流ブロック層には、第１の開口部である電流注入部１０８ａと第２の開口部である電流遮断部１０８ｂとが形成されており、ｐ型光ガイド層１１１は、電流注入部１０８ａ及び電流遮断部１０８ｂにも形成されている。 - 特許庁

A substrate 210 is provided, a photo-resist layer comprising a first pattern and having a chamfered cross section is formed on the substrate, at least one electro-conductive membrane is deposited, the photo-resist layer is released, and a second pattern electro-conductive membrane complementary with the first pattern is held on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板を提供し、第１パターンを具えて断面が面取り形状のホトレジスト層を該基板の上に形成し、少なくとも一つの導電薄膜を堆積させ、該ホトレジスト層を剥離して該基板表面に第１パターンと相補する第２パターン導電薄膜を保留する。 - 特許庁

To transmit write light or read light for read/write of a first recording layer 3 without decreasing thickness of a second recording layer 5 disposed in a side where the write light or the read light is incident in an optical recording medium having at least two recording layers.例文帳に追加

２層以上の記録層を有する光記録媒体において、記録光又は再生光が入射する側に配された第２の記録層５の膜厚を薄くすることなく、第１の記録層３の記録再生を行うための記録光又は再生光を高い透過率にて透過させる。 - 特許庁

The concrete blocks 1A are stacked on the connected concrete blocks A so that the four angle parts 9a-9d of the bottom plates 3 of the second layer concrete blocks 1A are superposed on the angle parts 9A-9D of the top plates 2 of the first layer concrete blocks 1, respectively.例文帳に追加

この連設された第１層目のコンクリートブロック１の上から第２層目のコンクリートブロック１Ａの底板３の４つの角部９ａ〜９ｄが４個の第１層目のコンクリートブロック１の天板２の角部９Ａ〜９Ｄ上にそれぞれ重なるように積み重ねた構造を有する。 - 特許庁

A first gas discharge groove portion 340 is formed on the exposed surface of the solder mask layer 330, does not extend through the solder mask layer 330, is connected to the first opening 331 and extends to sides 313, 314 of the surface 311, and does not couple together with the second opening 332 and the third opening 333.例文帳に追加

第一排気溝部３４０は、はんだマスク層３３０の露出表面に形成され、はんだマスク層３３０を貫通せず、第一開口３３１に接続して表面３１１の側辺３１３、３１４に伸び、第二開口３３２と第三開口３３３とに連結しない。 - 特許庁

The sealing structure 3 consists of a sealing layer 5, intercalated between the ceramic tube 1 and the metal plate 2, a first ring 4, intercalated between the sealing layer 5 and the metal plate 2, and a second ring 11 as a part of the metal plate 2, intercalated between the first ring 4 and the metal plate 2.例文帳に追加

シール構造３は、セラミック管１と金属板２との間に介設されるシール層５と、シール層５と金属板２との間に介設される第１リング４と、金属板２の一部分であり第１リング４と金属板２との間に介設される第２リング１１とを備えている。 - 特許庁

The method for producing the medicine-containing composite fine particles is characterized by compounding biocompatible nanoparticles comprising a medicine and a biocompatible polymer with a liquid raw material comprising a sugar alcohol by a spray-drying type fluidized layer granulating method in the fluidized layer space 13 of a powder-treating apparatus 11 to obtain the second composite particles 66.例文帳に追加

薬物および生体適合性高分子からなる生体適合性ナノ粒子と、糖アルコールとを含む液体原料Ｓを、粉体処理装置１１の流動層空間１３において噴霧乾燥式流動層造粒法により複合化して第２のコンポジット粒子６６とする。 - 特許庁

The second magnetic layer 3b (upper layer) contains ferromagnetic fine powder, mainly made of Fe and Co with major axis length of 100 nm or smaller and carbon black, and a relation between the major axis length (L) of the ferromagnetic fine powder, and the particle size α of the carbon black is set to L≤a<250 nm.例文帳に追加

前記上層の第二磁性層３ｂは、長軸長が１００ｎｍ以下のＦｅおよびＣｏを主成分としてなる強磁性体微粉末と、カーボンブラックを含有してなり、かつ、強磁性体微粉末の長軸長Ｌとカーボンブラックの粒子サイズαの関係を、Ｌ≦α＜２５０ｎｍとする。 - 特許庁

The electronic substrate 1 includes: a first conductive pattern 3 provided on the substrate 1; an inter-layer insulating film 5 provided on the substrate 1 in a state of covering the first conductive pattern 3; and a second conductive pattern 9 provided on the inter-layer insulating film 5 in a state of partially overlapping the first conductive pattern 3.例文帳に追加

基板１上に設けられた第１導電パターン３と、これを覆う状態で基板１上に設けられた層間絶縁膜５と、第１導電パターン３上に一部を重ねた状態で層間絶縁膜５上に設けられた第２導電パターン９とを備えている。 - 特許庁

A second alignment layer external edge regulating section Z2 which is formed inside the sealing area SL and on a section closer to the sealing area SL than the first alignment layer external edge regulating section Z1 comprises slits ST which are formed on the transparent electrode TE in a direction parallel to the sealing material application area SL.例文帳に追加

またシール領域ＳＬの内側で第１の配向膜外縁規制部Ｚ１よりもシール領域ＳＬに近い部分に形成された第２の配向膜外縁規制部Ｚ２は、シール塗布領域ＳＬと平行な方向で透明電極ＴＥに形成したスリットＳＴで構成する。 - 特許庁

The TC material has a first temperature dependent state which the TC material undergoes when the temperature of the layer of the TC material is lower than the transition temperature of the TC material and has a second temperature dependent state which the TC material undergoes when the temperature of the layer of the TC material is higher than the transition temperature of the TC material.例文帳に追加

ＴＣ材料は、ＴＣ材料の層の温度がＴＣ材料の遷移温度未満のときにＴＣ材料が取る第１の温度依存性状態と、ＴＣ材料の層の温度が遷移温度より大きいときにＴＣ材料が取る第２の温度依存性状態とを有する。 - 特許庁

At this time, the shape of corner parts of the side wall frame is controlled so that the radius of curvature of the pedestal member of the second layer to be painted becomes larger than that of the painted pedestal member of the first layer, and the distortion of shape generated when calcinating the side wall frame 12 is reduced.例文帳に追加

このとき、側壁枠１２のコーナ部分の形状は塗布される第２層目の台座部材の曲率半径が、塗布された第１層目の台座部材の曲率半径より大きくなるように制御され、側壁枠１２の焼成時に生じる形状歪みが少なくなるようにする。 - 特許庁

On a base board, there are provided a first region having a semiconductor single-crystal layer formed by implanting ions into a semiconductor single-crystal basal plate, applying the basal plate onto the base board, and subsequently heat-treating the basal plate, to have the basal plate partly remain therein; and a second region having a semiconductor non-single crystal layer.例文帳に追加

基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。 - 特許庁

This Schottky barrier diode is prepared by forming a polysilicon film 6 on the surface with a 2.0 to 3 μm thickness epitaxial layer 2 formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 1, and evaporating and diffusing a second conductivity-type impurity from the film 6 to form a 0.2 to 0.5 μm thickness annular guard ring layer 4.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成した厚さ２．０〜３μｍのエピタキシャル層２の表面にポリシリコン膜６を形成し、このポリシリコン膜６上から第２導電型の不純物を蒸着、拡散して厚さ０．２〜０．５μｍのガードリング層４を環状に形成する。 - 特許庁

The polarized light-emitting element is provided with: a reflecting electrode; a light-emitting layer; a transparent electrode; and a light polarization element layer including a first lattice structure having a wavelength spectroscopic function to divide visual light into each wavelength, and a second lattice structure having a polarized light separating function to separate visual light by the polarization plane, in this order.例文帳に追加

反射電極と、発光層と、透明電極と、可視光を波長ごとにわける波長分光機能を有する第一格子構造、及び、可視光を偏波面によってわける偏光分離機能を有する第二格子構造を備える偏光素子層とを、この順に設ける。 - 特許庁

The occlusion obtaining tool 1 is equipped with a flat core material 2, a first obtaining layer 3 located on one surface of the core material 2, and a second obtaining layer 4 located on the other surface of the core material 2 equipped with an anti-sliding means for preventing the sliding at a slanting surface between upper and lower teeth.例文帳に追加

咬合採得用具１は、平坦な芯材２と、該芯材２の一方の面に位置する第１の採得層３と、該芯材２の他方の面に位置する第２の採得層４とを備え、該芯材２は、上下の歯の傾斜面で生じるスライドを防止するためのスライド防止手段を備えている。 - 特許庁

Next, it is subjected to a second heat treatment in an atmosphere without external magnetic field, an exchange pinning magnetic field decreases, an anisotropy is generated in the pinned-synthetic composite layer due to generation of stress, and the magnetization direction of the pinned-synthetic composite layer is aligned in the long axis direction of magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加

次いで、外部磁場のない雰囲気中において第２の熱処理が施され、交換ピンニング磁場が減少されると共に、発生応力によりピンドシンセティック複合層に異方性が生じ、ピンドシンセティック複合層の磁化方向が磁気トンネル接合素子の長軸方向に揃う。 - 特許庁

The circuit board 101 comprises the signal conductor wire 126 or the like of the surface 112 of the board, a surface side first ground layer 129K or the like extended to the one side of the wire 126 or the like and a surface side second ground layer 129L or the like extended to the other side.例文帳に追加

配線基板１０１は、基板表面１１２の信号導体線１２６等と、信号導体線１２６等の一方の側に拡がった表面側第１グランド層１２９Ｋ等及び他方の側に拡がった表面側第２グランド層１２９Ｌ等とを備える。 - 特許庁

The resist pattern is removed, and plating process for a conductive film is performed for the surface of the insulation layer to form a second conductive pattern, and further the via hole in which a conductive plating film is formed in the thickness direction of the insulation layer is formed as a feed via in the porous region.例文帳に追加

レジストパターンを除去し、絶縁層の表面に対し導電膜のめっき処理を行なうことで第２の導電パターンを形成するとともに、多孔質領域に絶縁層の厚さ方向に導導めっき膜を形成したバイアホールをフィードビアとして形成する。 - 特許庁

A first bonding layer 14 and a second bonding layer 24 are brought into contact with each other to place a predetermined load on the sensor substrate 1 and cap substrate 2 (Fig.1(a)), and then degassing processing for removing gas components adsorbed in the sensor substrate 1 and cap substrate 2 respectively is carried out (Fig.1(b)).例文帳に追加

第１の接合層１４と第２の接合層２４とを接触させてセンサ基板１およびキャップ基板２に所定の荷重を印加し（図１（ａ））、続いて、センサ基板１およびキャップ２それぞれに吸着しているガス成分を除去する脱ガス処理を行う（図１（ｂ））。 - 特許庁

Further, the photoelectric conversion module has: a coating layer 8 coating the photoelectric conversion part 1; and a second substrate 9 having a light receiving surface 9a and a non-light receiving surface 9b which corresponds to a rear surface of the light receiving surface and is provided so that the non-light receiving surface 9b contacts with the coating layer 8.例文帳に追加

さらに、光電変換モジュールは、光電変換部１を被覆する被覆層８と、受光面９ａおよび該受光面の裏面に相当する非受光面９ｂを有し、該非受光面９ｂが被覆層８と接触するように設けられた第２基板９とを有する。 - 特許庁

The photosensitive dry film resist has a multilayer structure including a first photosensitive layer containing, as essential components, (A1) binder polymer, (B1) (meth)acrylic compound, (C1) photoreaction initiator and (D1) flame retardant, and a second photosensitive layer containing, as essential components, (A2) a binder polymer and (B2) a (meth)acrylic compound.例文帳に追加

（Ａ１）バインダーポリマー、（Ｂ１）（メタ）アクリル系化合物、（Ｃ１）光反応開始剤、及び（Ｄ１）難燃剤を必須成分として含有する第１感光層と、（Ａ２）バインダーポリマー、及び（Ｂ２)（メタ）アクリル系化合物を必須成分として含有する第２感光層とを含む多層構造とする。 - 特許庁

The semiconductor is constituted so that a 1 μm or more-thick β-SiC single crystalline thin film 5 is formed on an Si single crystalline substrate 2 by interposing a 3 to 20 nm-thick first SiC layer 3 containing amorphous and a 10 to 50 nm-thick second SiC layer 4 consisting of a number of β-SiC growth nucleuses one by one.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にアモルファスを含む厚さ３〜２０ｎｍの第１ＳｉＣ層３及び多数のβ−ＳｉＣ成長核からなる厚さ１０〜５０ｎｍの第２ＳｉＣ層４を順に介在して厚さ１μｍ以上のβ−ＳｉＣ単結晶薄膜５が形成されている。 - 特許庁