「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(350ページ目) - Weblio英語例文検索

This exhaust gas cleaning catalyst includes a first catalytic layer supporting rhodium and a second catalytic layer supporting platinum and palladium, with the ratio (y/x; molar ratio) of the deposit amount (y) of palladium to the deposit amount (x) of platinum satisfying 0<y/x≤1.0, formed, in that order, from the support base material side, on this base material.例文帳に追加

支持基材の上に、ロジウムが担持された第１の触媒層と、白金及びパラジウムが担持され、前記白金の担持量（ｘ）に対する前記パラジウムの担持量（ｙ）の比率（ｙ／ｘ；モル比）が０＜ｙ／ｘ≦１．０を満たす第２の触媒層と、を前記支持基材側から順に有している。 - 特許庁

The mobile body device in an example of the present invention comprises: a curved member 2 constituted of at least a first elastic layer 20 and a second elastic layer 21, being curved, and having a recessed face is placed on a placing face; and a light source 3 irradiating the curved member 2 with a laser beam L.例文帳に追加

本発明の一の実施形態による移動体装置は、少なくとも第１の弾性層２０と第２の弾性層２１とから構成され、湾曲し、凹面側が載置面に面して載置される湾曲部材２と、この湾曲部材２にレーザ光Ｌを照射する光源３と、を備える。 - 特許庁

In a plan view (an assembled printed circuit board 50 is viewed in a board thickness direction), a separating portion 110 provided in a solid pattern 102 of a second metal layer 68 and a separating portion 112 provided in a solid pattern 104 of a third metal layer 74 are arranged so as not to be overlapped with each other.例文帳に追加

平面視（集合プリント配線基板５０を板厚方向から見た矢視）において、第２金属層６８のべたパターン１０２に設けられた切離部１１０と、第３金属層７４のべたパターン１０４に設けられた切離部１１２とは、重ならないように配置されている。 - 特許庁

A first joint seal structure 1-1 is formed of the left side long cylinder 5, the central long cylinder 6, and the water impermeable wall layer 7 between these long cylinders in Fig., and a second joint seal structure 1-2 is formed of the right side long cylinder 5, the long cylinder 6, and the water impermeable wall layer 7 between these long cylinders in Fig.例文帳に追加

図中左側の長筒（５）と中央の長筒（６）およびこれらの間の不透水壁層（７）とで第１の目地シール構造（１−１）を形成し、図中右側の長筒（５）と長筒（６）およびこれらの間の不透水壁層（７）とで第２の目地シール構造（１−２）を形成する。 - 特許庁

A frame part 108 of a pressure sensor 1 and a diaphragm layer 20 are joined together using a first joint material 40, and a pair of base parts 16b of a pressure sensitive element layer 10 and a pair of support parts 210 are joined together using a second joint material 50 having a melting point higher than the melting point of the first joint material 40.例文帳に追加

圧力センサー１の枠部１０８とダイアフラム層２０とは第１接合材４０で接合され、感圧素子層１０の一対の基部１６ｂと一対の支持部２１０とは、第１接合材４０の融点よりも高い融点を有する第２接合材５０で接合されている。 - 特許庁

In the second substrate 20, a light-shielding sign is arranged for indicating an attribute of the product name of the liquid crystal device 100 and the like, and in particular this light-shielding sign is arranged as an intra-light-shielding layer sign 29 with a light-shielding film 106 in an area where the light-shielding layer 108 is formed.例文帳に追加

第２基板２０には、液晶装置１００の製品名等の属性を示す遮光性の標示が設けられているが、かかる遮光性の標示は、遮光層１０８が形成されている領域内に、遮光膜１０６によって遮光層内標示２９として設けられている。 - 特許庁

The electron emission part 15 is constituted of a first electron emission layer 15-1 where a plurality of aperture parts 151-1 are provided at a part of the base material 141 of the toner regulating blade 14 and which is coated with photoelectric film 100 and a second electron emission layer 15-2 laminated on it.例文帳に追加

電子放出部１５は、トナー規制ブレード１４の基材１４１の一部に複数の開口部１５１−１が設けられると共に光電膜１００が成膜されてなる第１の電子放出層１５−１と、これに積層された第２の電子放出層１５−２とからなる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 50 is coated with the third solution and the solvent is removed, thereby forming just above a tunnel insulating layer 54 a mixed film 55 as a charge retention layer wherein particles 12a made of a second organic material are dispersed in a first organic material 11a.例文帳に追加

半導体基板５０上に第３の溶液を塗布して溶媒を除去することにより、トンネル絶縁層５４の直上に、第１の有機材料１１ａ中に第２の有機材料からなる微粒子１２ａが分散した電荷保持層としての混合膜５５が形成される。 - 特許庁

This antenna device is constructed by providing the radiating element 1 consisting of the microstrip antenna disposed in parallel to a ground conductor plate 2 on the ground conductor plate 2 through the first dielectric layer 3 and providing a parasitic element 5 consisting of a conductor plate on the radiating element through the second dielectric layer 4.例文帳に追加

地導体板２上に第１の誘電体層３を介して該地導体板と平行に設けられたマイクロストリップアンテナからなる放射素子１を設け、この放射素子の上に第２の誘電体層４を介して導体板からなる無給電素子５を設けてアンテナ・ユニットを構成する。 - 特許庁

Each of the wiring parts WP includes a wiring layer WL containing a first conductive film and a second conductive film formed of Al or a conductive material having Al as a principal composition and a third conductive film efc connected on the uppermost face of the wiring layer and formed of ITO.例文帳に追加

各配線部ＷＰは、Ａｌ若しくはＡｌを主成分とする導電材料で形成された第１導電膜、並びに第２導電膜を含んだ配線層ＷＬと、配線層の最上面に接続されＩＴＯで形成された第３導電膜ｅｆｃと、を有している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10; an insulating layer 20 that is provided over the semiconductor substrate 10, and has a groove 22 formed in a second plane on the side opposite to a first plane opposed to the semiconductor substrate 10; and a conductor 30 provided over the insulating layer 20.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に設けられてなり、半導体基板１０と対向する第１の面とは反対側の第２の面に形成された溝２２を有する絶縁層２０と、絶縁層２０上に設けられた導電部３０とを有する。 - 特許庁

The light emitting deice includes an active layer provided with a quantum dot formed of a first material whose forbidden band width becomes wider with temperature rise, and a barrier layer formed of a second material whose forbidden band width becomes narrower with temperature rise and having the quantum dot embedded therein.例文帳に追加

温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。 - 特許庁

An envelope of the image display apparatus has a first substrate 10 on which a fluorescent screen 16 containing a phosphor layer is formed and a second substrate 12 arranged to face the first substrate with a gap and provided with a plurality of electron emission sources 18 exciting the phosphor layer.例文帳に追加

画像表示装置の外囲器は、蛍光体層を含む蛍光面１６が形成された第１基板１０と、第１基板と隙間をおいて対向配置されているとともに蛍光体層を励起する複数の電子放出源１８が設けられた第２基板１２とを有している。 - 特許庁

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4.例文帳に追加

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 - 特許庁

Next, etching treatment is performed by using a second treatment gas containing gaseous SF_6 and gaseous CHF_3, thus the lens shape of the intermediate layer 32 is transferred to the lens material layer 31, so as to form a microlens 3 where the flat part interval between the adjacent lens is narrower than the initial interval.例文帳に追加

次いでＳＦ_６ガスとＣＨＦ_３ガスとを含む第２の処理ガスを用いてエッチング処理を行うことにより、前記レンズ材料層３１に中間層３２のレンズ形状を転写し、隣接するレンズ間の平坦部間隔が初期間隔よりも狭いマイクロレンズ３を形成する。 - 特許庁

A second layer 12 accumulated thereon is made of cloth that comprises fibers having a larger strength per unit cross-sectional area than that of the fibers of the first layer and is weaved with 30-200 μm diameter yarns to have a mesh of 10-200 and an opening size of 50-800 μm.例文帳に追加

その上に積層される第二層１２は、第一層の繊維よりも単位断面積あたりの強度の強い繊維からなり線径が３０〜２００μｍの糸を用いて、１０〜２００メッシュで織り上げ、開口寸法を５０〜８００μｍとしたクロスにより構成される。 - 特許庁

The first and second terminals 21 and 22 of the chip capacitor housed in a recess 30a of a core substrate 30 are connected to a via hole 46 formed at an inter-layer resin insulating layer 40 through a conductive bump 31 and a conductor circuit 34, for a high connection reliability.例文帳に追加

また、コア基板３０の凹部３０ａに収容されたチップコンデンサ２０の第１、第２端子２１，２２と、層間樹脂絶縁層４０に形成されたバイアホール４６とを、導電性バンプ３１と導体回路３４とを介して接続するため、高い接続信頼性を達成することができる。 - 特許庁

Specified spaces 15 surrounded by the board 18, first inter-layer insulating films 19 and a second inter-layer insulating film 21 are formed among the side faces 24 of the resistance-changing film 12 that constitute the memory cell 17 and region isolating films 16 and the resistance-changing film 12 is isolated.例文帳に追加

メモリセル１７を構成する抵抗変化膜１２の側面２４と領域分離膜１６との間には、基板１８と第１の層間絶縁膜１９および第２の層間絶縁膜２１とで囲まれた所定の空間１５が設けられて抵抗変化膜１２が分離されている。 - 特許庁

To provide a pelletizing method with which pseudo-particle having a first coated layer and a second coated layer can be obtained when sintering material is pelletized as a pre-treatment, in order to stably produce sintered ore having excellent property so as to be easily reduced and excellent cold strength.例文帳に追加

優れた被還元性を有し、かつ優れた冷間強度を有する焼結鉱を安定して製造するために、事前処理として焼結原料を造粒する際に、第１被覆層および第２被覆層を有する擬似粒子を得ることができる造粒方法を提供する。 - 特許庁

Each of the pixel electrodes 360 is electrically connected to a second conductive pattern layer M2 via one of connection openings 392, and a prescribed part of the pixel electrode 360 is connected to a first conductive pattern layer M1 via one of opening hole 394 to form a storage capacitor.例文帳に追加

ピクセル電極３６０は接続開口部３９２の１つを介してそれぞれ第２導電パターン層Ｍ２に電気的に接続され、またピクセル電極３６０の所定の部分は開孔３９４の１つを介して第１導電パターン層Ｍ１に接続されてストレージキャパシタが形成される。 - 特許庁

To provide a resin multilayer substrate where via conductors having predetermined performance are formed by preventing a conductive paste from protruding from a via conductor formed in a second resin layer, when the conductive paste constituting a via conductor formed on a first resin layer enters a setting state.例文帳に追加

第１樹脂層に形成したビア導体を構成する導電性ペーストが硬化状態になる際、第２樹脂層に形成したビア導体から導電性ペーストがはみ出すことを防止し、所定の性能を有するビア導体を形成した樹脂多層基板を提供する。 - 特許庁

Second layer gate oxide films 17 of silicon oxide, control gate electrodes 18 formed of n-type polysilicon and upper protective insulating films 19 are formed in sequence respectively on the floating gate electrodes 16 and above the first layer gate oxide films 15.例文帳に追加

フローティングゲート電極１６の上における第１層ゲート酸化膜１５の上方の領域には、酸化シリコンからなる第２層ゲート酸化膜１７、ｎ型ポリシリコンからなるコントロールゲート電極１８及び酸化シリコンからなる上部保護絶縁膜１９が順次形成されている。 - 特許庁

At least part of at least one power source cable from among a plurality of the power source cables 103R, 103G and 103B is formed of a conductive film provided on a first wiring layer 135 and a conductive film provided on a second wiring layer 136, thereby narrowing width of the power source cable.例文帳に追加

複数の電源線１０３Ｒ，１０３Ｇ，及び１０３Ｂのうちの少なくとも１つの電源線の少なくとも１部を第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。 - 特許庁

A signal line 2 for transmitting an image signal to each pixel is formed with a second metal layer, a shield line 12 is disposed between a capacitor electrode 10 constituting the capacitor and the signal line 2, with a first metal layer, a fixed potential is applied and, thereby, a shield is provided to prevent the occurrence of the cross-talk.例文帳に追加

各画素に画像信号を伝送する信号線２を第２メタル層で形成し、保持容量を構成する容量電極１０と信号線２との間に第１メタル層でシールド線１２を配置し、固定電位を与え、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。 - 特許庁

An optical IP network is configured in a manner that a relay node apparatus 100 advertises resource / attribute information of a path of the subordinate layer, a sender node apparatus 200 generates second pass request information including a path request condition requested to a superordinate layer on the basis of the resource / attribute information and transmits the request information to the relay node apparatus 100.例文帳に追加

中継ノード装置１００が下位レイヤのパスのリソース・属性情報を広告し、発信者ノード装置２００がこの情報を基に、上位レイヤに要求するパス要求条件を含めた第２のパス要求情報を生成し、中継ノード装置１００に送信する構成とした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting device, capable of efficiently forming a current diffusion layer having an n-type of conductivity as a first problem, and provide a light emitting device capable of improving the life of a device while using the n-type current diffusion layer as a second problem.例文帳に追加

導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供することを第一の課題とし、ｎ型とされる電流拡散層を用いつつも、素子ライフを向上可能な発光素子を提供することを第二の課題とする。 - 特許庁

The silicon layer is doped with ions at an angle based on the height of a second field effect transistor adjacent to the first one so that ions of a predetermined type, which have concentration that is the same as that of a portion adjacent to the channel region of the silicon layer and is not equal to zero, are implanted into one portion of the channel region.例文帳に追加

シリコン層は、シリコン層のチャネル領域に隣接する部分と同じゼロでない濃度の特定のタイプのイオンがチャネル領域の一部に注入されるように、第１電界効果型トランジスタに隣接する第２電界効果型トランジスタの高さに基づいた角度でイオンをドープされている。 - 特許庁

The thermal transfer recording medium comprises a first resin layer having a glass transition point lower by 80°C than a heat adhesive temperature T, and a second resin layer having a glass transition point 60°C or higher and lower by 50°C or more than that of a heat fusible ink, laminated thereon on a support.例文帳に追加

支持体上に、熱接着温度Ｔよりも８０℃低いガラス転移点を有する第１の樹脂層、及び第１の樹脂層のガラス転移点より高く、かつ６０℃以上かつ熱溶融性インクのガラス転移点よりも５０℃以上低いガラス転移点を有する第２の樹脂層を積層する。 - 特許庁

The film thickness of the stacked-layer film is larger than film thickness of each of a photosensitive polyimide resin film 11 formed on the lower layers of the Cu wiring 10 and the bump-land 10A, an inorganic passivation film 26, a third Al wiring 25, the bump-pad BP, and a second inter-layer insulating film 24.例文帳に追加

この積層膜の膜厚は、Ｃｕ配線１０およびバンプ・ランド１０Ａの下層に形成された感光性ポリイミド樹脂膜１１の膜厚、無機パッシベーション膜２６の膜厚、第３層Ａｌ配線２５およびボンディングパッドＢＰの膜厚、第２層間絶縁膜２４の膜厚に比べて厚い。 - 特許庁

In the filter 3-1 for inactivating the allergen composed of a plurality of layers which clean at least external air, a carrying layer 32 of carrying the chemicals having the substance inactivating the allergen is formed on and after the second layer from the upstream side in the flowing direction of the external air.例文帳に追加

少なくとも外気を清浄する複数の層から形成されているアレルゲン不活性化フィルタ３−１であって、アレルゲンを不活性化する物質を有する薬剤を添着する添着層３２が外気の流れ方向の上流側から２層目以降に形成されている。 - 特許庁

The wiring board 101 is provided with the signal conductor wire 126 or the like on the substrate surface 112, a surface side first ground layer 129K or the like extending to one side of the signal conductor wire 126 or the like, and a surface side second ground layer 129L or the like stretching to the other side.例文帳に追加

配線基板１０１は、基板表面１１２の信号導体線１２６等と、信号導体線１２６等の一方の側に拡がった表面側第１グランド層１２９Ｋ等及び他方の側に拡がった表面側第２グランド層１２９Ｌ等とを備える。 - 特許庁

The thin-film inductor 10 has a structure wherein an interlayer insulation film 16, a lower magnetic thin film 19, an interlayer insulation film 20, a first layer conductor pattern 22, an interlayer insulation film 26, a second layer conductor pattern 28, an interlayer insulation film 32 and an upper magnetic thin film 34 are stuck in sequence on a substrate 12.例文帳に追加

薄膜インダクタ１０は、基板１２上に、層間絶縁膜１６，下部磁性薄膜１８，層間絶縁膜２０，第１層導体パターン２２，層間絶縁膜２６，第２層導体パターン２８，層間絶縁膜３２，上部磁性薄膜３４が積層された構造となっている。 - 特許庁

A level (interface level) capable of delivering/receiving charges to/from the vicinity of interface between an SiO_xN_y layer and the second SiO_2 layer and the interior of the SiO_xN_y has a function similar to that of fine particles of small particle size effectively and can retain stored charges stably.例文帳に追加

ＳｉＯ_x Ｎ_y 層と第２のＳｉＯ_2 層の間の界面付近およびＳｉＯ_x Ｎ_y 層内部に電荷を授受することのできる準位（界面準位）が、実効的に粒径の小さな微粒子体と同様の機能を有し、蓄積された電荷を安定に保持することができる。 - 特許庁

This device is capable of reading data from an optical disk 102 having a plurality of information recording layers including a first information recording layer having a relatively small distance from a disk surface, and a second information recording layer having a relatively large distance from the disk surface.例文帳に追加

本発明の光ディスク装置は、ディスク表面からの距離が相対的に小さい第１の情報記録層と前記ディスク表面からの距離が相対的に大きい第２の情報記録層とを含む複数の情報記録層を備える光ディスク１０２からデータを読み出すことができる。 - 特許庁

The solid electrolytic capacitor 1 is formed through steps of forming a first electrolytic layer in an element main body 20 through chemical polymerization, placing the element main body 20 in a 1-10 wt% of thiophene-based solution, and passing a current through the element main body 20 for electrolytic polymerization to form a second electrolytic layer.例文帳に追加

固体電解コンデンサ1は、素子本体20に化学重合にて第１の電解質層を形成する工程と、該素子本体20を１−１０ｗｔ％のチオフェン系溶液に入れる工程と、該素子本体20に通電して電解重合し、第２の電解質層を形成する工程を経て形成される。 - 特許庁

The authenticity of the object 10 is correctly determined by its first authenticity discriminating function backed up by a diffraction action of the permeable volume hologram layer 20, and by its second authenticity discriminating function supported by the polarized light selectivity of the polarized light selective reflection layer 30.例文帳に追加

この真正性表示体によれば、透過型体積ホログラム層の回折作用に基づく第１の真正性識別機能と、偏光選択反射層の偏光選択性に基づく第２の真正性識別機能と、によってその真正性を正確に判定することができる。 - 特許庁

A signal line 2 for transmitting an image signal to each pixel is formed with a second metal layer, a shield line 12 is disposed between a capacitor electrode 10 constituting a holding capacitor and the signal line 2, with a first metal layer, a fixed potential is applied and, thereby, a shield is provided to prevent occurrence of cross-talk.例文帳に追加

各画素に画像信号を伝送する信号線２を第２メタル層で形成し、保持容量を構成する容量電極１０と信号線２との間に第１メタル層でシールド線１２を配置し、固定電位を与え、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。 - 特許庁

A fixing device and an image forming device comprises: a fixing rotating body 21 having a first heat generating layer that is electromagnetic induction-heated by an exciting coil part 25; and a heat generating member 23 having a second heat generating layer that is electromagnetic induction-heated by the facing exciting coil part 25 through the fixing rotating body 21.例文帳に追加

励磁コイル部２５によって電磁誘導加熱される第１発熱層を具備する定着回転体２１と、定着回転体２１を介して対向する励磁コイル部２５によって電磁誘導加熱される第２発熱層を具備する発熱部材２３と、を備える。 - 特許庁

The method for hydrocracking wax comprises circulating olefin-containing wax to a first catalytic layer containing a catalyst having substantially no acid function and a second catalytic layer containing a catalyst having hydrocracking ability in this order.例文帳に追加

上記課題を解決するワックスの水素化分解方法は、水素存在下、オレフィンを含有するワックスを、実質的に酸機能を有していない触媒を含む第１の触媒層、及び、水素化分解能を有する触媒を含む第２の触媒層にこの順序で流通させることを特徴とする。 - 特許庁

This cap liner material 10 mounted on a metallic cap which is turned to be opened comprises the first layer 11 made of a thermoplastic resin composite and the drink contacting second layer made of polyester having a 20-60 mass% degree of crystallinity.例文帳に追加

本発明のキャップ用ライナー材１０は、回転させて開栓する金属製キャップに設けられるものであり、熱可塑性樹脂組成物からなる第１の層１１と、結晶化度が２０〜６０質量％のポリエステルからなり、飲料に接する第２の層とが設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a first electrode formed in a semiconductor substrate 10 and including: a first germanium-doped region; a first dielectric layer 23 formed on the first electrode and containing a semiconductor oxide and a stable metal; and a second electrode formed on the first dielectric layer 23.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０内に設け、第１のゲルマニウムドープト領域を含む第１の電極と、第１の電極上に設け、半導体酸化物及び安定金属を含む第１の誘電体層２３と、第１の誘電体層２３上に設ける第２の電極とを備える。 - 特許庁

The process cartridge uses an electrophotographic photoreceptor containing a polyarylate resin or a polycarbonate resin in a charge transport layer, and a charging member of which the outermost layer consists of composite particles formed by covering first metal oxide particles with carbon black, second metal oxide particles and a binder.例文帳に追加

電荷輸送層にポリアリレート樹脂あるいはポリカーボネート樹脂を含有する電子写真感光体と、最外層が第１の金属酸化物粒子にカーボンブラックを被覆した複合粒子、第２の金属酸化物粒子及び、バインダーから構成された帯電部材を用いる。 - 特許庁

Another lightning device includes a layer comprising a light emission material, and a mixed layer between a first electrode and a second electrode, comprising molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide or molybdenum trioxide and a material having a hole mobility not less than 10^-6cm^2/Vs.例文帳に追加

または、第１の電極と第２の電極との間に、発光性の物質を含む層、及び混合層を有し、前記混合層は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、または三酸化モリブデンと、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質とを含む。 - 特許庁

The toner container is formed of a container wall having a layered structure formed by layering at least two resins, wherein the first resin layer includes at least polybutylene succinate and the second resin layer includes at least a polyglycolic acid.例文帳に追加

少なくとも２つの樹脂が積層されてなる積層構造の容器壁によって形成されてなるトナー容器であって、第１の樹脂層が少なくともポリブチレンサクシネートを含有してなり、第２の樹脂層が少なくともポリグリコール酸を含有してなることを特徴とするトナー容器。 - 特許庁

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated.例文帳に追加

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。 - 特許庁