| 意味 | 例文 |
second-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21455件
As to the playback of the DVD having the maximum frequency in use, the discriminating operation for the drive of the second layer source 46 is performed after the discriminating operation of the drive of the first laser source 45, then this operation can shift to the playback operation keeping the successive driving operation of the second laser source 46 as it is.例文帳に追加
最大使用頻度のDVDの再生にあたっては、第1レーザ源45の駆動の判別用動作の後に、第2レーザ源46の駆動の判別用動作を行い、その第2レーザ源46の駆動を引続き行ったままで、再生動作に移行することができる。 - 特許庁
A lenticular lens sheet 120 of the present invention has second and fourth scatter preventive layers 123 and 122 laminated integrally on both surfaces of a second glass substrate 121 and the fourth scatter preventive layer provided on an incidence side is provided with a lenticular lens portion 122a to solve the problem.例文帳に追加
本発明によるレンチキュラーレンズシート120は、第2のガラス基板121の両面に、第2及び第4の飛散防止層123,122を一体的に積層し、入射側に設けられた第4の飛散防止層122にレンチキュラーレンズ部122aを設けることにより課題を解決した。 - 特許庁
A gate insulation film GI between a semiconductor substrate SUB and a gate electrode layer GE includes a first silicon oxide film OX1, a first silicon nitride film NI1, a second silicon oxide film OX2, a second silicon nitride film NI2, and a third silicon oxide film OX3.例文帳に追加
半導体基板SUBとゲート電極層GEとの間のゲート絶縁膜GIは、第1のシリコン酸化膜OX1と、第1のシリコン窒化膜NI1と、第2のシリコン酸化膜OX2と、第2のシリコン窒化膜NI2と、第3のシリコン酸化膜OX3とからなっている。 - 特許庁
A substrate side GaN foundation layer nearest to the silicon substrate among the plurality of GaN foundation layers includes a first and a second low concentration foundation parts of low Si concentration, and a local high concentration foundation part of high Si concentration thinner than a total thickness of the first and the second low concentration foundation parts.例文帳に追加
複数のGaN下地層のうちでシリコン基板に最も近い基板側GaN下地層は、低Si濃度の第1、第2低濃度下地部と、高Si濃度で、第1、第2低濃度下地部の厚さの合計よりも薄い局所高濃度下地部と、を有する。 - 特許庁
A ring-like second seal ring contact part 32 comprising a peripheral part of a second plating resist film 28 for forming a columnar electrode 10 is formed inside a plating connection terminal 8a on the upper surface of a base material metal layer 8 formed over the entire surface on a semiconductor wafer 21.例文帳に追加
半導体ウエハ21上の全面に形成された下地金属層8の上面においてメッキ用接続端子部8aの内側には、柱状電極10形成用の第2のメッキレジスト膜28の周辺部からなるリング状の第2のシールリング接触部32が形成されている。 - 特許庁
The protective fitting is formed of: a long retaining fitting 2 consisting of a first side surface 2a abutted on the waterproof layer 20, and a second side surface 2b extending from one edge of the first side surface 2a; and a long water dripping fitting 3 detachably fixed to the second side surface 2b of the retaining fitting 2.例文帳に追加
前記防水層20に当接される第1側面2aと、この第1側面2aの一方の縁から延設された第2側面2bとからなる長尺の押さえ金具2と、この押さえ金具2の第2側面2bに着脱自在に固定される長尺の水切り金具3とを備えている。 - 特許庁
The polarizing plate of at least one of the first and the second optical layered bodies is specified as being a combination type polarizing plate, having first and second polarizing plates 1 and 2 formed in parallel, on the surface opposite to the liquid crystal cell of the optical compensation layer so that at least a pair of end surfaces thereof are opposed to each other.例文帳に追加
第1及び第2の光学積層体のうち少なくとも一方は、少なくとも1組の端面が対向するように、光学補償層の液晶セルと反対側の面に並設された第1の偏光板1及び第2の偏光板2を有する組み合わせ型偏光板とされる。 - 特許庁
The semiconductor device includes an optically active image element and a first supporting substrate 6 is formed on the first major surface of a semiconductor substrate 2 on which an active element region and a first wiring layer 4 are formed, whereas a second supporting substrate 10 is formed on the second major surface becoming the light receiving surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
光学的に活性な画像素子を含み、能動素子領域及び第1の配線層が形成された半導体基板の第1の主面上に第1の支持基板を形成し、前記半導体基板の受光面となる第2の主面上に第2の支持基板を設ける。 - 特許庁
The DC current is either a constant value DC current, or a DC current that swept and/or stepped from a first value toward a second value in a manner whereupon the electric field and, hence, a DC voltage induced across the dielectric layer 4 increases as the DC current approaches the second value.例文帳に追加
直流電流は一定値の直流電流、または直流電流が第2の値に近づくと電界、つまり誘電層4を横切って誘起される直流電圧が増大する形で、第1の値から第2の値へ掃引され、および/またはステップされる直流電流のいずれかである。 - 特許庁
The first substrate 14 and the second substrate 18 are affixed to each other, while the metallic reflection film also used for the first electrode film 12 and the second electrode film 16 face each other with a PTC flat heater layer 20 formed of conductive paste 20a having the PTC characteristic being held therebetween.例文帳に追加
第一基板14と第二基板18を、金属反射膜兼第一電極膜12と第二電極膜16どうしを対面させて、PTC特性を有する導電性ペースト20aで構成されるPTC面状発熱体層20を間に挟み込んで貼り合わせる。 - 特許庁
To suppress the remainder after etching in the second insulating film 2 or generation of side etching for a device separating structure comprising the first and second insulating films for suppressing a mixed colors and avoiding short-circuiting in a display of an organic electroluminescence in which a luminescence layer is formed by an ink-jet process.例文帳に追加
インクジェットプロセスにより発光層が形成される有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、混色抑制と短絡回避のために、第1の絶縁膜および第2の絶縁膜を備えた素子分離構造に対して、第2の絶縁膜2のエッチング残さやサイドエッチの発生を、抑制する。 - 特許庁
The first semiconductor layer has a first part and a second part that has a lower specific resistance than the first part and is provided, between the first part and the first primary surface, among the plurality of second semiconductor regions and outside the third semiconductor region.例文帳に追加
前記第1半導体層は、第1部分と、前記第1部分よりも比抵抗が低く、前記第1部分と前記第1主面とのあいだであって、前記複数の第2半導体領域のあいだ、及び前記第3半導体領域の外側に設けられた第2部分と、を有する。 - 特許庁
The layer 14 is imparted by characteristics for color developing the second leuco dye by breaking the capsule under a predetermined pressure at a first temperature range, and by characteristics for color developing the first leuco dye in a first to second temperature range included in the first temperature range.例文帳に追加
層14には、カプセルが所定の圧力下でしかも第1の温度範囲内で破壊されて第2のロイコ染料を発色させる特性と、第1の温度範囲内に含まれる第1の温度以上の第2の温度範囲で第1のロイコ染料を発色させる特性とが与えられる。 - 特許庁
As the developing solution 20d reaches the bottom and near the bottom of the aperture 10w, the second resist layer 17 in the region from a part on the pad electrode 12 to the dicing line DL is reliably removed to reliably expose a part of the second insulating film 16.例文帳に追加
ここで、現像液20dが開口部10wの底部及びその近傍に行き渡り、当該底部のパッド電極12の一部上からダイシングラインDLに至る領域の第2のレジスト層17が確実に除去されて、第2の絶縁膜16の一部が確実に露出される。 - 特許庁
The method is for manufacturing the organic EL display device provided with an organic EL element having a first electrode and second electrode formed on a substrate and at least one of which is transparent, and an organic light-emitting layer formed between the first electrode and second electrode for emitting light when a current is applied.例文帳に追加
基板の上に形成され、少なくとも一方が透明な第一電極及び第二電極と、該第一電極と該第二電極との間に形成され電流印加により発光する有機発光層とを有する有機EL素子を備える有機EL表示装置の製造方法である。 - 特許庁
At least one of the first and the second optical lamination bodies is the combination type polarizing plate having a first polarizing plate 1 and a second polarizing plate 2 arranged on the surface of the optical compensation layer opposite the liquid crystal cell side-by-side in such a way that at least a set of end faces are opposite each other.例文帳に追加
第1及び第2の光学積層体のうち少なくとも一方は、少なくとも1組の端面が対向するように、光学補償層の液晶セルと反対側の面に並設された第1の偏光板1及び第2の偏光板2を有する組み合わせ型偏光板とされる。 - 特許庁
A first inclination α, between a first inclined surface part 28a formed on a connecting plate part 28 of a ring part 27 of the gas flow passage forming member 21 and the separator 23, is set smaller than a second inclination β between a second inclined plate part 28b, formed on the connecting plate part 28 and the gas diffusion layer 19.例文帳に追加
ガス流路形成部材21のリング部27の連結板部28に形成された第1傾斜板部28aと、セパレータ23との第1傾斜角αを、連結板部28に形成された第2傾斜板部28bとガス拡散層19との第2傾斜角βよりも小さくする。 - 特許庁
The negative electrode includes: an negative electrode collector; an negative electrode active material layer formed at an negative electrode coating part of the negative electrode collector; a first negative electrode plain part located at the first side of the electrode group; and a second negative electrode plain part located at a second side of the electrode group opposed to the first side.例文帳に追加
負極は、負極集電体、負極集電体の負極コーティング部に形成される負極活物質層、電極群の第1側に位置する第1負極無地部、および第1側の反対である電極群の第2側に位置する第2負極無地部を含む。 - 特許庁
The front plate for display includes a glass substrate having a first surface and a second surface and a ceramic layer formed on at least a part of a marginal area of the second surface, wherein stress strain unevenness within the surface is significantly suppressed.例文帳に追加
第1の表面および第2の表面を有するガラス基板と、前記第2の表面の周縁部の少なくとも一部に設置されたセラミック層とを有するディスプレイ用の前面板であって、面内の応力ひずみムラが有意に抑制されていることを特徴とするディスプレイ用の前面板。 - 特許庁
The wire includes a first base material 2 containing Sn, Nb and Cu, a second base material 3 disposed adjacent to the first base material and containing Nb, and an Nb_3Sn compound layer generated between the first and second base materials by diffusion reaction of Nb with Sn.例文帳に追加
SnとNbとCuを含む第1の基材2と、前記第1の基材に隣接して配置されたNbを含む第2の基材3と、NbとSnとの拡散反応により前記第1の基材と前記第2の基材との間に生成されたNb_3Sn化合物層とを有する。 - 特許庁
Upon detecting "input absent" based on the bit configuration of parallel data P, a second detection circuit 132 outputs a second control signal ctr2 for allowing the upper layer to output the power supply control signal ctr0 for turning off the power supply of each of the receiver circuit 120 and the recovery conversion circuit 122.例文帳に追加
第2の検出回路132は、パラレルデータPのビット構成に基づいて「入力無し」を検出したときに、レシーバー回路120とリカバリ変換回路122の電源をオフする電源制御信号ctr0を上位層に出させるための第2の制御信号ctr2を出力する。 - 特許庁
AC current is supplied to a resistance heating layer of a fixing belt 31 by a first power feed member 37a and a second power feed member 37b which are respectively connected to an AC power source 34 via a first current path 44 and a second current path 45.例文帳に追加
定着ベルト31の抵抗発熱層には、交流電源34に第1電流経路44および第2電流経路45を介してそれぞれ接続された第1給電部材37aおよび第2給電部材37bによって交流電流が供給される。 - 特許庁
A second electrode 5 and a third electrode 6 are provided confronting a first electrode 3 with a dielectric substance layer 4 interposed, and two feeding conditions are provided to be changed over, one to feed the first 3 and second electrodes 5 and the other to feed the first 3 and third electrodes 6.例文帳に追加
誘電体層4を間にして第一電極3と対向する第二電極5と第三電極6とを備え、第一電極3と第二電極5とに給電する給電条件と、第一電極3と第三電極6とに給電する給電条件とを変え得るように構成する。 - 特許庁
The via plug 111 and upper-layer wiring 112 each have first and second barrier metal films 107 and 108 and a Cu film 110 laminated in order, wherein the first barrier metal film 107 contains nitrogen and the second barrier metal film 108 contains platinum group metals.例文帳に追加
ビアプラグ111および上層配線112では、それぞれ、第1および第2のバリアメタル膜107,108とCu膜110とが順に積層されており、第1のバリアメタル膜107は窒素を含有し、第2のバリアメタル膜108は白金族元素を含有している。 - 特許庁
This invention relates to a conductive adhesive tape comprising a web of polyester film having a first surface and a second surface, a conductive metal film which is directly coated on the second surface of the polyester film and a layer of conductive adhesive which is applied onto the conductive metal film.例文帳に追加
本発明は、第1表面および第2表面を有するポリエステルフィルムのウェブ;該ポリエステルフィルムの第2表面に直接被覆された導電性金属フィルム;および該導電性金属フィルム上に適用された導電性接着剤の層;を含む導電性接着テープに関する。 - 特許庁
The organic EL element 100 is provided with a substrate 41 having an insulating surface, a first electrode 42 and a second electrode 50 formed on the insulating surface of the substrate 41, and an organic EL layer 44 formed between the first electrode 42 and the second electrode 50.例文帳に追加
有機EL素子100は、絶縁性表面を有する基板41と、基板41の絶縁性表面の上に形成された第1電極42および第2電極50と、第1電極42および第2電極50の間に形成された有機EL層44とを備える。 - 特許庁
The lower case part 2 includes a second inner case 2a engaged with and fixed to the first inner case 1a and a lower covering member 2b which is formed of a soft material, covers the second inner case 2a, and constitutes the surface layer portion of the holder section 3a together with the upper covering member 1b.例文帳に追加
下部ケース部2は、第1インナーケース1aに係合固定される第2インナーケース2aと、軟質な材料により形成され、第2インナーケース2aを被覆するとともに上部被覆部材1bと共にホルダー部3aの表層部分を構成する下部被覆部材2bとを備える。 - 特許庁
Then, a second base plate with a second gas flow channel formed in discharge devices 120j, 120k is arranged at a given position on the first base plate to complete manufacturing of the fuel cell with a narrow opening width of the gas flow channel as compared with a particle size of a substance constituting the gas diffusion layer.例文帳に追加
そして、吐出装置120j、120kにおいて第2のガス流路が形成された第2の基板を、第1の基板上の所定の位置に配置してガス拡散層を構成する物質の粒径に比較してガス流路の開口幅が狭い燃料電池の製造を完了する。 - 特許庁
The multilayer ceramic capacitor 10 can be sectioned for convenience into a first layered body 11 and a second layered body 12 wherein a large number of first layered bodies 11 and second layered bodies 12 are laid in layers alternately such that the internal electrodes (13a, 13b) face each other while sandwiching a ceramic layer 14.例文帳に追加
積層セラミックコンデンサ10は、第1積層体11と第2積層体12に便宜上区画でき、第1積層体11と第2積層体12は、共にセラミック層14を挟んで内部電極(内部電極13a、内部電極13b)を対向するよう交互に多数積層させる。 - 特許庁
Various kinds of operation images include a first screen as a higher layer, and a second screen 302 positioned below it, while a screen switching image associated with control to select the second screens among the displayed operation images, is included in the first screen.例文帳に追加
各種の操作画面には、上位階層となる第一画面とその下位階層となる第二画面302とが含まれ、第一画面には、表示される操作画像のいずれかに第二画面へと画面を切り替える制御内容が対応付けられた画面切替画像が含まれる。 - 特許庁
Next, these first and second substrates are stuck so that the elements arranged on the first substrate and the layer of adhesives provided on the second substrate are confronted and a laser beam is irradiated only on an element from which the releasing agent is eliminated from the back of the first substrate.例文帳に追加
次に、第1の基板上に配列された素子と第2の基板上に設けられた接着剤層とが対向するように、これら第1の基板と第2の基板とを貼り合わせ、第1の基板の裏面側から離型剤を除去した素子にのみレーザを照射する。 - 特許庁
On a second interlayer insulating film 30, a wiring layer 33 is formed, which has a first wire 33a to be connected to the control gate electrode 24 and a second wire 33b to be connected to the intermediate electrode 22 of the ferroelectrics FET and is connected to the gate electrode 14 of the CMOS.例文帳に追加
第2の層間絶縁膜30の上に、制御ゲート電極24に接続される第1の配線33aと、強誘電体FETの中間電極22に接続される第2の配線33bとを有し、CMOSのゲート電極14に接続される配線層33を形成する。 - 特許庁
The active matrix substrate 61 has: a reflection electrode 30 having a flattened surface; a second insulating film 32 arranged on the reflection electrode 30 and having a flattened surface; and an alignment layer 33 arranged on the second insulating film 32 and composed of an oblique vapor deposition film.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板61は、表面が平坦化された反射電極30と、反射電極30上に配置され且つ表面が平坦化された第2の絶縁膜32と、第2の絶縁膜32上に配置され且つ斜方蒸着膜からなる配向膜33とを有する。 - 特許庁
Subsequently, a second resist pattern 31 having openings 31a, 31b on the openings 30a, 30b, respectively, is formed without removing the first resist pattern 30, and second metal layers 26a, 26b to be metal bumps 23, 24 are formed, respectively, by electrolytic plating by using the first metal layer 25 as an electrode.例文帳に追加
続いて、第1レジストパターン30を除去せずに、開口部30a、30b上に開口部31a、31bを有する第2レジストパターン31を形成し、第1金属層25を電極とする電解メッキにより金属バンプ23、24となる第2金属層26a、26bを形成する。 - 特許庁
As a result, the organic electroluminescent display element has the first and second hole-injecting layers, and forms the charge-generating layer between the first and second hole-injecting layers, thus improving efficiency and lifetime characteristics by reducing the drive voltage of the element.例文帳に追加
これにより、第1正孔注入層及び第2正孔注入層を備え、該第1正孔注入層と第2正孔注入層との間に電荷発生層を形成することにより、素子の駆動電圧を低下させて効率及び寿命特性を改善させることができる。 - 特許庁
On a section along the width direction of the wiring section 50, the first writing conductor W1, the first and second reading conductors R1, R2, and the second writing conductor W2 are arranged in three dimensions by changing the heights thereof in the thickness direction of the insulating layer 21.例文帳に追加
配線部50の幅方向に沿う断面において、第1の書込用導体W1と、第1および第2の読取用導体R1,R2と、第2の書込用導体W2とが、それぞれ絶縁層21の厚み方向に高さを変えて立体的に配置されている。 - 特許庁
In the place where the developing roller 17 and second charger 19 are disposed opposite to each other in this state, positively charged toner in liquid developer is moved from the developing roller 17 (the deeper layer side of the liquid developer) toward the second charger 19 (the surface side of the liquid developer).例文帳に追加
この状態では、現像ローラー17と第2帯電器19とが対向する位置において、液体現像剤中に含まれる正帯電性のトナーは、現像ローラー17側(液体現像剤の深層側)から第2帯電器19側(液体現像剤の表層側)へと移動する。 - 特許庁
A display device 51 includes a first substrate 1, a ground electrode 2 formed on a surface of the first substrate 1, a second substrate 3 provided to face the first substrate 1, and a conductive layer 4 formed on a surface of the second substrate 3 that is opposite to the first substrate 1 side.例文帳に追加
表示装置51は、第1基板1と、第1基板の表面上に形成された接地用電極2と、第1基板1と対向して設けられた第2基板3と、第2基板3における第1基板1と反対側の表面上に形成された導電層4とを備える。 - 特許庁
In an illumination structure, a side to be illuminated of a light emission device 10 has a double layer structure comprising a first housing case 20 and a second housing case 30, and an EL sheet 40 is laminated between both the cases on a surface on a design side of the second housing case 30.例文帳に追加
本発明の照光構造は、発光装置10の照光させたい側を第一筐体ケース20と第二筐体ケース30の二層構造とし、ELシート40を両ケースの間であり第二筐体ケース30の意匠側表面に積層する構造を特徴とする。 - 特許庁
By forming the electroce non-formation sections of the specified width (h) at the ends in the wind-up direction of the first and second electrodes 12, 16, there is no short circuit generated between the first and second electrodes 12, 16 even if a difference in contraction is generated between each layer of the piezoelectric element laminated body when firing the laminated body.例文帳に追加
第1電極12と第2電極16の巻き上げ方向端部に所定幅hの電極非形成部を形成することで、焼成の際に圧電素子積層体の各層間に収縮差が生じても、第1電極12と第2電極16との間で短絡することがない。 - 特許庁
The copper wiring layer 13 includes first terminal portions 13D connected to the electrodes 15A on the semiconductor chip 15, second terminal portions 13E connected to the external wiring members 21, and wiring portions 13C connecting the first terminal portions 13D and the second terminal portions 13E.例文帳に追加
銅配線層13は、半導体チップ15上の電極15Aと接続される第1端子部13Dと、外部配線部材21と接続される第2端子部13Eと、第1端子部13Dと第2端子部13Eとを接続する配線部13Cとを含んでいる。 - 特許庁
Regarding the compound machine determined as the power supply destination, a first fixing heater using the power of the electric double layer capacitor and a second fixing heater using the power of the commercial power source are driven by first and second fixing heater driving circuits, then, the fixing part is heated.例文帳に追加
電力供給先として判定された複合機においては、第1及び第2定着ヒータ駆動回路により、電気二重層キャパシタの電力を用いる第1定着ヒータと、商用電源の電力を用いる第2定着ヒータとが駆動されて定着部の加熱が行われる。 - 特許庁
In the composite machine 31 or the like, the fixing part is heated by switching the driving and non-driving of both a first fixing heater by using the power of the electric double-layer capacitor and a second fixing heater by using the power of the commercial power source by first and second fixing heater drive circuits.例文帳に追加
複合機31等では、第1及び第2定着ヒータ駆動回路により、上記電気二重層キャパシタの電力を用いる第1定着ヒータと、商用電源の電力を用いる第2定着ヒータの両ヒータの駆動非駆動が切り換えられて定着部の加熱が行われる。 - 特許庁
Furthermore, a symmetrical structure part 210 is disposed, wherein first and second solid electrolyte layers 215, 223 of the sensing part 250, a protection body layer 211 of the protection part 260 (thickness t1), and first and second heater insulating layers 227, 231 of the heater part 270 (thickness t2 is the same as the thickness t1) are laid symmetrically.例文帳に追加
そして、センサ機能部250の第1,第2固体電解質層215,223と、保護部260(厚みt1)の保護本体層211と、ヒータ部270(厚みt2が厚みt1と同じ)の第1,第2ヒータ絶縁層227,231とが対称的に重なる対称構造部210を設けている。 - 特許庁
The first alignment layer (270) has a first alignment region (OR1) on which alignment treatment in a first alignment treatment direction (PD1) is conducted, and a second alignment region (OR2) on which alignment treatment in a second alignment treatment direction (PD2) different from the first alignment treatment direction (PD1) is conducted.例文帳に追加
第1配向膜(270)は、第1配向処理方向(PD1)に配向処理が行われた第1配向領域(OR1)と、第1配向処理方向(PD1)とは異なる第2配向処理方向(PD2)に配向処理が行われた第2配向領域(OR2)とを有している。 - 特許庁
The nonvolatile storage element includes: a first electrode 103; a second electrode 105; and a resistance change layer 104, interposed between the first electrode 103 and the second electrode 105 and reversibly changing in the value of resistance according to an electrical signal applied between both the electrodes 103 and 105.例文帳に追加
第1電極103と、第2電極105と、第1電極103と第2電極104との間に介在させ、両電極103,105間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層104とを備えている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a super junction structure wherein a dislocation defect does not easily occur in a filled epitaxial layer of a second conductivity type for the purpose of further improving the quality of the region of the second conductivity type formed inside a trench.例文帳に追加
トレンチ内に形成する第2導電型の領域の更なる高品質化を目的に、前記第2導電型の充填エピタキシャル層に転位欠陥が発生しにくいスーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
A second trench 111 is formed on a surface of the n-type layer 106 in a region opposing a part of the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the auxiliary electrode 109, and an n-pad electrode 107 is formed on the auxiliary electrode 109 exposed on a bottom face of the second trench 111.例文帳に追加
また、n型層106表面であって、補助電極109の一部と対向する領域に、その補助電極109に達する深さの第2の溝111が形成され、第2の溝111の底面に露出した補助電極109上にnパッド電極107が形成されている。 - 特許庁
A first mixed material comprising a dopant material and a host material and a second mixed material comprising a dopant material and a host material and having dope concentration higher than that of the first mixed material are supplied, and a luminous layer is formed by heating the first and second mixed materials.例文帳に追加
ドーパント材料及びホスト材料からなる第一の混合材料と、ドーパント材料及びホスト材料からなり第一の混合材料よりもドープ濃度が高い第二の混合材料とを供給し、第一及び第二の混合材料を加熱することで発光層を形成する。 - 特許庁
The secondary battery comprises an electrode group consisting of a first electrode and a second electrode wound or laminated only via a porous insulating layer having heat resistance between the first electrode and the second electrode, and a first current collecting board electrically connected to the first electrode.例文帳に追加
本発明の二次電池は、第1電極と、第2電極とを、第1電極と第2電極との間に耐熱性を有する多孔質絶縁層のみを介して、捲回または積層してなる電極群と、第1電極と電気的に接続された第1集電板とを具備する。 - 特許庁
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