「semiconductor layers」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A pn semiconductor is arranged in pnp layers, or in npn layers for serving as a current driving type or a voltage driving type or the pn semiconductor may be arranged in pnpn layer or in npnp layers for serving as the voltage driving type.例文帳に追加

また、ｐｎ半導体を、ｐ層ｎ層ｐ層ｎ層またはｎ層ｐ層ｎ層ｐ層に配置した電圧駆動型としてもよい。 - 特許庁

The II-VI semiconductor device includes a stack of semiconductor layers 10.例文帳に追加

II-VI族半導体素子は、半導体層１０のスタックを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device, piezoelectric material layers 110, 210 are disposed between a substrate and a semiconductor layer.例文帳に追加

基板と半導体層との間に圧電体層１１０、２１０を配置する。 - 特許庁

The first and second semiconductor layers form a hetero interface.例文帳に追加

第１及び第２半導体層はヘテロ界面を形成する。 - 特許庁

Moreover, semiconductor layers 2 to 5 are formed on the whole surface.例文帳に追加

更に、全面に半導体層２乃至５を形成する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYERS IN LAYER例文帳に追加

半導体層の積層方法及び該積層装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLURALITY OF METAL LAYERS STACKED THEREIN例文帳に追加

複数の金属層を積層した半導体素子 - 特許庁

METHOD TO GROW LAYERS OF SEMICONDUCTOR MATERIALS例文帳に追加

半導体材料の層を成長させる方法 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus wherein the thermal conductivity of second layers 3a, 3b is improved.例文帳に追加

第２層３ａ，３ｂの熱伝導率を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor device 2 has three or more wiring layers.例文帳に追加

３層以上の配線層を有する半導体装置２である。 - 特許庁

The compound semiconductor 7 includes 1at and 2nd compound semiconductor layers 24a to 23c and 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b.例文帳に追加

化合物半導体部７は、第１及び第２の化合物半導体層２４ａ〜２３ｃ並びに第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂを含む。 - 特許庁

On both the sides of an intrinsic semiconductor layer, n-type semiconductor layers 6 and p-type semiconductor layers 5 are alternately provided.例文帳に追加

真性半導体層の両側にｎ型半導体層６およびｐ型半導体層５を交互に設けた。 - 特許庁

In this semiconductor laser, n-type semiconductor layers 22-24, an active layer 25, and p-type semiconductor layers 26-28 are successively laminated upon a substrate 11.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層２２〜２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６〜２８が順次積層されている。 - 特許庁

The semiconductor ceramic layers 14 and the inner electrode layers 16 are stacked alternately.例文帳に追加

半導体セラミック層１４と内部電極層１６とは、交互に重ね合わされる。 - 特許庁

Two types of semiconductor layers (I layers 22I, 32I) can be easily formed by the same process.例文帳に追加

２種類の半導体層（Ｉ層２２Ｉ，３２Ｉ）を、同一の工程で簡易に形成することができる。 - 特許庁

A semiconductor device is formed by alternately stacking a plurality of copper wiring layers and a plurality of insulating layers.例文帳に追加

半導体装置は、複数の銅配線層と複数の絶縁層が交互に積層されて構成される。 - 特許庁

The device has a stack of layers including semiconductor layers having an active region.例文帳に追加

発光デバイスは活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING CONDUCTIVE LAYERS AND SUBSTRATE HAVING THE CONDUCTIVE LAYERS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

導電層及び導電層を有する基板の形成方法、並びに半導体装置の作製方法 - 特許庁

A sub-cell has p-conductor layers p1 and p2, intrinsic-semiconductor layers i1 and i2, and n-conductor layers n1 and n2.例文帳に追加

サブセルはｐ導体層ｐ１、ｐ２、真性半導体層ｉ１、ｉ２及びｎ導体層ｎ１、ｎ２を有する。 - 特許庁

To achieve manufacturing processes of a dual damascene semiconductor device at a low price wherein the variations of the resistances of its wiring layers are suppressed, and further, the wiring layers of its lower layers are not damaged.例文帳に追加

配線層の抵抗バラツキを抑制し、さらに下層配線層を損傷させることのない製造プロセスを安価に達成すること。 - 特許庁

The bonding surface of the semiconductor layers in the sub-mount 50 is parallel to the bonding surface of the semiconductor layers in the semiconductor laser device 20 and is perpendicular to the bonding surface of the semiconductor layers in the photodetector 30.例文帳に追加

サブマウント５０における半導体層の接合面は、半導体レーザ素子２０における半導体層の接合面に平行であって、受光素子３０における半導体層の接合面に垂直になっている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a laminate structure including n-type semiconductor layers 102 and 103, p-type semiconductor layers 110 and 111, and an active layer 105 interposed between those n-type semiconductor layers 102 and 103 and p-type semiconductor layers 110 and 111.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｎ型半導体層１０２，１０３と、ｐ型半導体層１１０，１１１と、これらｎ型半導体層１０２，１０３とｐ型半導体層１１０，１１１との間に介在する活性層１０５とを含む積層構造を有する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING QUANTUM WELL STRUCTURE HAVING DUAL BARRIER LAYERS, SEMICONDUCTOR LASER EMPLOYING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

二重障壁層を備える量子井戸構造体を含む半導体素子とそれを採用した半導体レーザ、及びその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device including quantum well structure having dual barrier layers, a semiconductor laser employing the semiconductor device, and methods of manufacturing the semiconductor device and the semiconductor laser.例文帳に追加

二重障壁層を備える量子井戸構造体を含む半導体素子とそれを採用した半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor memory, gate electrode layers 21a and 21b of the first conductive layers, drain/drain connection layers 31a and 31b of the second conductive layers, and drain/gate connection layers 41a and 41b of the third conductive layers are constituted as conductive layers for a flip flop.例文帳に追加

第１層導電層であるゲート電極層２１ａ、２１ｂと、第２層導電層であるドレイン−ドレイン接続層３１ａ、３１ｂと、第３層導電層であるドレイン−ゲート接続層４１ａ、４１ｂと、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser array, n-type layers composed of a nitride semiconductor and containing n-type contact layers, active layers, and p-type layers containing p-type contact layer are successively formed.例文帳に追加

窒化物半導体からなる、ｎ型コンタクト層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層を含むｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイである。 - 特許庁

In the n-type DBR layer 12, a plurality of pairs of n-type InP layers 12a (second semiconductor layers) and n-type InGaAsP layers 12b (first semiconductor layers) are alternately laminated.例文帳に追加

ｎ型ＤＢＲ層１２は、ｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第２半導体層）とｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂ（第１半導体層）を交互に複数ペア積層したものである。 - 特許庁

A leakage current from a field-effect transistor is prevented by barrier layers provided in the semiconductor layers, and the barrier layers are provided in the semiconductor layers to prevent the wear of the transistor due to etching and to modify the reproducibility of the process for forming the transistor.例文帳に追加

リーク電流を半導体中に設けた障壁層によって防き、かつ、その障壁層を半導体中に設けて、エッチングによる損耗を防ぎ、プロセスの再現性を改善する。 - 特許庁

An n-type clad layer 12 is formed into a superlattice layer formed by alternately laminating first semiconductor layers 12A and second semiconductor layers 12B.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２は第１半導体層１２Ａと第２半導体層１２Ｂとを交互に積層してなる超格子層となっている。 - 特許庁

In some embodiments, one of the electrodes is silver and the semiconductor layers are III-V nitride-based semiconductor layers.例文帳に追加

いくつかの実施形態において、電極の１つは銀であり、半導体層はIII−Ｖ族窒化物半導体層である。 - 特許庁

The group 52 of second compound semiconductor layers is formed on the group 22 of first compound semiconductor layers through epitaxial growth.例文帳に追加

第２化合物半導体層群５２は、第１化合物半導体層群２２上にエピタキシャル成長により形成される。 - 特許庁

The light-emitting device includes first and second semiconductor layers, and a light-emitting layer provided between the first and second semiconductor layers.例文帳に追加

発光素子は、第１及び第２の半導体層と、第１及び第２の半導体層の間に設けられた発光層とを含む。 - 特許庁

Semiconductor layers 4 and 5 are formed thereupon and then the semiconductor layers 4 and 5 having both high crystallinity and flatness are grown.例文帳に追加

この上に半導体層４，５を形成することにより、高い結晶性と平坦性とを兼ね備えた半導体層４，５を成長させることができる。 - 特許庁

The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b are provided between the 1st and 2nd compound semiconductor layers 24a to 23c.例文帳に追加

第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂは、第１及び第２の化合物半導体層２４ａ〜２３ｃの間に設けられている。 - 特許庁

In an element region, p-type semiconductor pillar layers 13 and n-type semiconductor pillar layers 14 are alternately formed to form a pillar layer 15.例文帳に追加

素子領域には、ｐ型半導体ピラー層１３とｎ型半導体ピラー層１４とを交互に形成してなるピラー層１５が形成される。 - 特許庁

A heavily doped region 22 is formed at the center between p-type semiconductor layers 4 sandwiching the n-type semiconductor layers 21, 2.例文帳に追加

このｎ型半導体層２１，２を挟むｐ型半導体層４間の中央には、高濃度領域２２が設けられている。 - 特許庁

The adhesive layer (6) bonds the substrates (11) of the semiconductor light-emitting devices (5) onto the reflective layers (3, 23), and thereby holds the semiconductor light-emitting devices (5) on the reflective layers (3, 23).例文帳に追加

接着層(6)は、半導体発光素子(5)の基板(11)を反射層(3, 23)に接着することで、半導体発光素子(5)を反射層(3, 23)の上に保持している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having superior adhesiveness present in between its insulating layers and having superior connection reliability among between its wiring layers, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層間の密着性と配線層間の接続信頼性に優れた半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELECTIVELY DOPED III-V NITRIDE LAYERS例文帳に追加

選択的にドーピングされたＩＩＩ−Ｖ窒化物層を有する半導体装置 - 特許庁

Ohmic electrodes are formed on surfaces of the semiconductor layers.例文帳に追加

これらの半導体層の表面にそれぞれオーミック電極を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has metal resistance element layers Rm1 and Rm2.例文帳に追加

半導体装置は、金属抵抗素子層Ｒｍ１，Ｒｍ２を有する。 - 特許庁

Insulating ink layers 2, 4, 6 are formed on both surfaces of each semiconductor layer.例文帳に追加

各半導体層の両面には絶縁性インク層２、４、６を形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE LEAD FRAME FORMED WITH A PLURALITY OF METAL LAYERS例文帳に追加

複数の金属層から形成される半導体素子パッケージリードフレーム - 特許庁

To stably activate pn continuous layers of a semiconductor element in a short time.例文帳に追加

半導体素子のｐｎ連続層を短時間で安定して活性化する。 - 特許庁

The light-emitting device can contain a substrate 25 and a plurality of semiconductor layers.例文帳に追加

発光デバイスが、基板と複数の半導体層とを含むことができる。 - 特許庁