「sin- on」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An electrode 26 is formed on the SiN film 24.例文帳に追加

ＳｉＮ膜２４上に電極２６を形成する。 - 特許庁

The beam component 8 is formed out of a SiN membrane 13 on the lower layer, the Al membrane 11 on the intermediate layer, SiN membrane 14 on the upper layer.例文帳に追加

梁構成部８は、下層のＳｉＮ膜１３、中間層のＡｌ膜１１及び上層のＳｉＮ膜１４からなる。 - 特許庁

The beam component 7 is formed out of SiN membrane 10 on a lower layer, A1 membrane 11 on an intermediate layer, and SiN membrane 12 on an upper layer.例文帳に追加

梁構成部７は、下層のＳｉＮ膜１０、中間層のＡｌ膜１１及び上層のＳｉＮ膜１２からなる。 - 特許庁

Then, a SiN film 3 is formed on the SiO_2 film 2.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2膜２上にＳｉＮ膜３を形成する。 - 特許庁

A first layer SiN film 5 is formed on the film 3 by a plasma CVD method by using SiH_4 gas and NH_3 gas.例文帳に追加

膜３の上に、SiH_4ガスおよびNH_3ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により第１層SiN膜５を形成する。 - 特許庁

With the weight of that sin on your shoulders, how are you going to change?例文帳に追加

それだけの罪を背負って 貴方はどう変るつもりなの - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

An SiN film 34 is formed on the silver alloy film 33, and an SiO2 film 35 is formed on the SiN film 34.例文帳に追加

この銀の合金膜３３の上にＳｉＮ膜３４が形成され、このＳｉＮ膜３４の上にＳｉＯ_2膜３５が形成される。 - 特許庁

A Si film 20 is vapor-deposited on the entire surface, sand a SiN film 21 is formed, and Si is diffused by heat treatment to constrict a current.例文帳に追加

Si膜20を全面に蒸着し、SiN膜21を形成し、熱処理でSiを拡散させ電流を狭窄する。 - 特許庁

A thin CVD barrier 124 (for example, SiN, TiSiN, TaSiN or the like) is deposited on a structure including the inside of the hole (106) of the via or contact.例文帳に追加

薄いＣＶＤバリア１２４（例えば、SiN, TiSiN, TaSiN等）がビアまたはコンタクトの孔（106）内を含む構造上に堆積される。 - 特許庁

In a manufacturing process for a thin-film transistor, an amorphous silicon layer 3 is formed on a glass substrate 1 through an SiN layer 2.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造工程において、ガラス基板１上にSiN 層２を介してアモルファスシリコン層３が成膜される。 - 特許庁

An SiN film 9 is deposited thin on the pattern 4a of the SiN film, having comparatively deep irregularities 4b at line edges.例文帳に追加

ラインエッジに比較的深い凹凸４ｂを有したＳｉＮ膜のパターン４ａ上にＳｉＮ膜９を薄く堆積する。 - 特許庁

Next, the side wall 13 formed of SiN is formed on the offset spacer 7 and the side wall 11 to cover the same SiN film.例文帳に追加

次に、オフセットスペーサ７及びサイドウォール１１上に、ＳｉＮからなりこれらを覆うようなサイドウォール１３を形成する。 - 特許庁

Based on a clock pulse signal and a selected pulse signal, merge signals FIRE_1/SIN 0-0-46 to FIRE_6/SIN 2-47-93 into which the driving data signal and a driving waveform signal have been merged serially are output to a driving circuit 21A from a gate array.例文帳に追加

クロックパルス信号および選別パルス信号にもとづいて駆動データ信号と駆動波形信号とがシリアルにマージされたマージ信号FIRE_1/SIN 0-0〜46からFIRE_6/SIN 2-47〜93が、ゲートアレイから駆動回路２１Ａに出力される。 - 特許庁

After the SiN film 21, the mask 19 and the Si film 20 are removed, a SiO2 film 23 is formed on the entire surface, and the SiO2 film 23 is removed only in the upper part of the cylinder.例文帳に追加

SiN膜21、マスク19およびSi膜20を除去した後、SiO_2膜23を全面に形成し、円柱の上部のみSiO_2膜23を除去する。 - 特許庁

On the SiN film 11, in addition, an Au/Ti layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜の上にはさらに、Ａｕ／Ｔｉ層１３が形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the grating is characterized in that an SiN layer is formed on a lower clad and two luminous fluxes of ultraviolet ray are radiated on the SiN layer.例文帳に追加

下部クラッド上にＳｉＮ層を成膜し、該ＳｉＮ層上に紫外線を２光束干渉照射する、ことを特徴とするグレーティング作製方法。 - 特許庁

To prevent blisters from being deposited in a P-SiN film, at or after the P-SiN film is deposited on a Cu embedded wiring.例文帳に追加

Ｃｕ埋め込み配線上へＰ−ＳｉＮ膜を成膜した時あるいは成膜した後におけるブリスタ不良の発生を防止する。 - 特許庁

A SiN film 24 (a second insulating film) is formed on the SiN film 22 at a film forming temperature of about 300°C by a plasma CVD method.例文帳に追加

ＳｉＮ膜２２上に、成膜温度３００℃前後のプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ膜２４（第２の絶縁膜）を形成する。 - 特許庁

A phase shifter 14 corrects the phase of a carrier signal only by Δϕ based on a control voltage corresponding to the detected sin(Δϕ).例文帳に追加

位相シフタ１４は、検出されたsin(Δφ)に相当する制御電圧に基づいて、搬送波信号の位相をΔφだけ補正する。 - 特許庁

The angle calculation means performs calculation based on an equation: direction angle θ=arcsin (h/sin I) by using an angle I which a gravitational direction forms with geomagnetism.例文帳に追加

方向角算出手段は、重力方向と地磁気のなす角Ｉを用いて、方向角θ＝arcsin（ｈ／sin Ｉ）によって算出する。 - 特許庁

Following to formation of an SiN film 2 on an Si substrate 1, Si+ ions are implanted into the ion implanting region 3 of the SiN film 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にＳｉＮ膜２を形成した後に、Ｓｉ^+イオンをＳｉＮ膜２のイオン注入領域３にイオン注入する。 - 特許庁

Next, an upper layer TiN film 6, which has different etching characteristic from that of the SiN film 2, is deposited on the SiN film 2.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜２上にＳｉＮ膜２のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する上層ＴｉＮ膜６を積層する。 - 特許庁

An opening 3a is formed on a pad oxide film 2 and an SiN film 3 on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上のパッド酸化膜２およびＳｉＮ膜３に開口３ａを形成する。 - 特許庁

Then, an SiN film is formed as a cover film 22 on the reflector 21.例文帳に追加

その後、反射電極２１の上にカバー膜２２としてＳｉＮ膜を形成する。 - 特許庁

Next, an etching resistance protection film (Al film) 103 is formed on the surface of the SiN film 102.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜102の表面に耐エッチング保護膜(Ａｌ膜)103を形成する。 - 特許庁

Alternatively, an Si-rich SiN-based protective film is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

あるいは、Ｓｉ基板１上にＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜を形成する。 - 特許庁

A pad oxide film 2 and an SiN film 3 are sequentially formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にパッド酸化膜２、ＳｉＮ膜３を順次形成する。 - 特許庁

On this texture 2, an SiN film 4 is formed and thickness of the SiN film 4 is set so that the wavelength corresponding to the minimum reflectivity of this SiN film 4 becomes equal to that of the visible light or less.例文帳に追加

このテクスチャ２上にはＳｉＮ膜４が形成されていて、このＳｉＮ膜４の最小反射率に対応する波長が可視光以下となるようにＳｉＮ膜４の膜厚を設定している。 - 特許庁

An SiN film 60 is formed on the BPSG film 32 so as to bury the BPSG recess 32a, and SiN is filled in the BPSG recess 32a.例文帳に追加

ＢＰＳＧ凹部３２ａを埋めるようにＢＰＳＧ膜３２上にＳｉＮ膜６０を形成し、ＢＰＳＧ凹部３２ａにＳｉＮを充填する。 - 特許庁

An SiN film 8 is formed on the resultant entire substrate and then subjected to a full etch back processing, leaving the SiN film 8 on tops of the parts 7a of the SiO2 film within the grooves 6.例文帳に追加

全面にＳｉＮ膜８を形成した後、全面エッチバックを行うことにより、溝６の内部のＳｉＯ_2 膜の部分７ａの上部にＳｉＮ膜８を残す。 - 特許庁

An opening is provided in the SiN film 3, and a trench 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３に開口を形成し、Ｓｉ基板１にトレンチ５を形成する。 - 特許庁

A CPU 50 turns on all switch matrixes 54 to output an SIN wave.例文帳に追加

ＣＰＵ５０は、スイッチマトリックス５４を全部ＯＮにしてからＳＩＮ波を出力する。 - 特許庁

A variable setting part 46 sets a variable P based on the sound pickup signal SIN.例文帳に追加

変数設定部４６は、収音信号ＳINに基づいて変数Ｐを設定する。 - 特許庁

If an open pore 61 which is the source of a void develops in SiN, a flat film 62 is formed on the SiN film 60 so as to fill the open pore 61.例文帳に追加

ＳｉＮにボイドの基となる開気孔６１が発生した場合、この開気孔６１を埋めるようにＳｉＮ膜６０上に平坦膜６２を形成する。 - 特許庁

Then a selector 33 selects a predetermined driving waveform signal out of the driving waveform signals FIRE01 to FIRE04, based on selection data included in a driving signal SIN.例文帳に追加

これら駆動波形信号FIRE01-04の中から、セレクタ３３によって、駆動信号SINに含まれる選択データにもとづいて所定の駆動波形信号を選択する。 - 特許庁

To provide a method of making hydrophilic a surface of an SiN layer film-formed on a substrate.例文帳に追加

基材上に成膜されたＳｉＮ層の表面を親水化する方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, an SiN film 4 is formed on the SiON film 3 by a CVD method, etc.例文帳に追加

次いで、ＣＶＤ法等により、ＳｉＮ膜４をＳｉＯＮ膜３上に形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, SiN films 18 (first insulating protective films) are formed on a semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体層１２上にＳｉＮ膜１８（第１の絶縁保護膜）が形成されている。 - 特許庁

The film forming material includes a SiN film 1 formed on a SiC substrate and a SiO film 2 formed on the SiN film 1 and both SiN film 1 and SiO film 2 are formed of single crystal materials formed by epitaxial growth.例文帳に追加

本発明の成膜体は、ＳｉＣ基板上にＳｉＮ膜１が形成され、ＳｉＮ膜１上にＳｉＯ膜２が形成されている成膜体であり、ＳｉＮ膜１とＳｉＯ膜２はいずれもエピタキシャル成長により形成された単結晶である。 - 特許庁

Subsequently, a resistor 5 is formed on the SiN film 2 and the Si substrate 1 is subjected to anisotropic etching so that the SiN film 2, on which the resistor 5 is formed, has a diaphragm structure.例文帳に追加

その後、ＳｉＮ膜２上に抵抗体５を形成した後、異方性エッチングによりＳｉ基板１をエッチングして、抵抗体５が形成されたＳｉＮ膜２をダイアフラム構造とする。 - 特許庁

You had a mortal sin on your soul when you nearly died, which means you weren't on your way to heaven when you saw the angel.例文帳に追加

お前の魂は大罪を犯していた だから天使を見た時 自分が天国に行けないことを 知っていた - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

As a method and device for generating an accurate and stable phase lag (b) on a sinusoidal signal for satisfying the trigonometric relation sin (ωt+b)=sin (ωt) cos (b)+cos (ωt) sin (b), a high-speed analog multiplier is used.例文帳に追加

正確で、安定した位相のずれ（ｂ）を正弦波信号に生成する方法および装置は、ｓｉｎ（ωｔ＋ｂ）＝ｓｉｎ（ωｔ）ｃｏｓ（ｂ）＋ｃｏｓ（ωｔ）ｓｉｎ（ｂ）という三角法の関係を満たすために、高速アナログ式乗算器を用いる。 - 特許庁

Based on the EF voltage and the rotation angle θ, the microcomputer 21 determines an SIN signal and a COS signal.例文帳に追加

これと回転角θによりマイコン２１は，ＳＩＮ信号およびＣＯＳ信号を決定する。 - 特許庁

Next, a re-oxidation process is performed to grow an oxide layer on the surface of the SiN layer.例文帳に追加

次いで、再酸化工程が実施され、ＳｉＮ層の表面上に酸化層が成長される。 - 特許庁

The Imperial Court fearing that this was a curse from Michizane, pardoned Michizane's sin and conferred on him a posthumous rank. 例文帳に追加

これらが道真の祟りだと恐れた朝廷は、道真の罪を赦すと共に贈位を行った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス