「sto」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A second layer STO film 17b becoming the overlying dielectric film 16b is formed to cover the exposed surface of the STO film 17a.例文帳に追加

ＳＴＯ膜１７ａの露出表面を覆うように、上層誘電体膜１６ｂとなる第２層目のＳＴＯ膜１７ｂを成膜する。 - 特許庁

After a transmitting side device detects the STO by an STO response, adjusts a congestion state parameter and can maintain packet flow.例文帳に追加

ＳＴＯ応答により、送信側デバイスが、ＳＴＯの検出の後、輻輳状態パラメータを調整しパケットフローを維持できるようになる。 - 特許庁

To solve a problem that a bulk single crystal STO is a very useful dielectric body because of the practical use of superconduction or a hygenic device since the STO shows a high dielectric constant at low temperatures, but the STO has a fault that the dielectric constant is lowered when the STO is changed into a thin film and the fault has not been overcome up to the present date.例文帳に追加

バルク単結晶ＳＴＯは、低温で高い誘電率を示すため、超伝導や低温デバイスの実用化で極めて有用な誘電体であるにも関わらず、薄膜化すると誘電率が低下してしまうという欠点があり、現在に至るもこの欠点は、克服されていない。 - 特許庁

Since the occurrence of the STO is sometimes accompanied with data loss, the STO and a loss event are connected by making the STO response maintain the value of bandwidth available ahead of the data loss and increasing the extent where the transmitting side can perform transmission on the basis of the pattern of reception confirmation.例文帳に追加

ＳＴＯの発生はデータ損失を伴う場合があるため、ＳＴＯ応答はそれより前に利用可能であった帯域幅の値を維持すること、及び受信確認のパターンに基づき送信側が送信することができる限度を増加させることにより、ＳＴＯと損失イベントを結合する。 - 特許庁

To provide a technology for responding to a spurious timeout (STO) in a radio WAN.例文帳に追加

無線ＷＡＮにおいてスプリアスタイムアウト（ＳＴＯ）に応答するための技術を提供する。 - 特許庁

When at least one of the instruction value and the feedback value sent from the servo driver 4 is abnormal, an STO signal is generated and the STO signal is sent to the servo driver 4.例文帳に追加

サーボドライバ４から送られた指令値およびフィードバック値の少なくとも一方の値が異常である場合に、ＳＴＯ信号を発生させるとともに、そのＳＴＯ信号をサーボドライバ４に送信する。 - 特許庁

A corrected value STo is maintained at a solid line arrow even if stroke position ST drops from 1 to 0.5 in a first half of stroke operation of the solid line arrow during shift of a speed change lever from second speed to third speed as indicated by an arrow.例文帳に追加

変速レバーを矢印で示すように2→3変速中、実線矢印のストローク操作前半で、ストローク位置STの1から0.5への低下によっても、その補正値SToが実線矢印に保たれるようにする。 - 特許庁

Although SE and SEo rise to 2 as shown by alternate long and short dash line in select operation indicated by alternate long and short dash line arrow, STo is dropped to 0 as indicated by alternate long and short dash line arrow.例文帳に追加

一点鎖線矢印のセレクト操作では、SEおよびSEoが一点鎖線矢印のごとく2へ上昇するが、この時SToが一点鎖線矢印で示すように0に低下されるようになす。 - 特許庁

The STO film is constituted of first and second two-layered structure, and an interface of two layers is processed so as to be a chemically and mechanically ground (CMP) surface whereby a high dielectric constant can be obtained successfully even in the STO of a thin film.例文帳に追加

本発明では、ＳＴＯ膜を第１と第２の２層構造とし、その２つの層の界面を化学的機械研磨（以下「ＣＭＰ」という。）面とすることにより、薄膜のＳＴＯにおいても、高誘電率とすることに成功した。 - 特許庁

The method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element includes steps of forming a lower electrode 26 on a conductive layer, forming an STO thin film 27 as a first dielectric material on the lower electrode, forming a BST thin film 28 as a second dielectric material on the STO thin film with the STO thin film used as a seed layer, and forming an upper electrode 29 on the BST thin film.例文帳に追加

半導体素子のキャパシタ製造方法は、導電層上に下部電極２６を形成するステップと、前記下部電極上に第１誘電体としてＳＴＯ薄膜２７を形成するステップと、前記ＳＴＯ薄膜上に前記ＳＴＯ薄膜をシード層にして第２誘電体としてＢＳＴ薄膜２８を形成するステップと、前記ＢＳＴ薄膜上に上部電極２９を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The STO film 107 is etched with use of a mixture gas of chlorine and argon and ethane added thereto in one reaction chamber.例文帳に追加

一方の反応室で塩素とアルゴンにエタンを添加した混合ガスを用いＳＴＯ膜１０７をエッチングする。 - 特許庁

To obtain a spin transfer oscillator (STO) structure which can oscillate a field generation layer (FGL) under a low current density in MAMR application.例文帳に追加

ＭＡＭＲ用途において、低電流密度下で磁界生成層（ＦＧＬ）を発振させ得るスピントランスファー発振器（ＳＴＯ）構造を得る。 - 特許庁

When the STO signal is input to the servo driver 4, the servo driver 4 stops supply of electricity to the servo motor 2.例文帳に追加

サーボドライバ４にＳＴＯ信号が入力された場合、サーボドライバ４はサーボモータ２への電力の供給を停止する。 - 特許庁

A layered body structure in which the STO layered body 11 and the main magnetic pole 21 are completely themselves aligned in a cross track direction can be obtained.例文帳に追加

ＳＴＯ積層体１１と主磁極２１とがクロストラック方向において完全に自己整合的に位置合わせされた積層体構造が得られる。 - 特許庁

To provide an STO structure capable of generating a larger oscillation magnetic field by improving strength of a spin injection layer.例文帳に追加

スピン注入層の強固さを向上させ、より大きな発振磁界を生成可能なＳＴＯ構造を提供する。 - 特許庁

Then, a target radiating angle Sto is set by adding the basic radiating angle St to the corrective radiating angle Sta.例文帳に追加

そして、基本照射角度Ｓｔと補正照射角度Ｓｔａとを足し合わせることにより、目標照射角度Ｓｔｏが設定される。 - 特許庁

On an STO substrate 11, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order.例文帳に追加

ＳＴＯ基板１１上には、第１強磁性薄膜１３、トンネル障壁層１４及び第２強磁性薄膜１５が、この順に積層されている。 - 特許庁

A second layer STO film 18b becoming the overlying dielectric film 17b of the capacitor consists of a thick crystal film having perovskite structure in the vicinity of the lower electrode 12a and a thin amorphous film in other regions, and is formed on the STO film 18a.例文帳に追加

ＳＴＯ膜１８ａの上に、下部電極１２ａ付近がペロブスカイト型結晶構造を有する厚肉の結晶膜で、その他の領域が薄肉の非晶質膜である、キャパシタ上層誘電体膜１７ｂとなる第２層目のＳＴＯ膜１８ｂを形成する。 - 特許庁

After sequentially forming a main pole layer 21a and an STO layered body layer 11a, unnecessary materials are removed until reaching a base body by an ion beam etching method using a single mask 44 for demarcating the range of an STO layered body 11 and a main magnetic pole 21.例文帳に追加

主磁極層２１ａとＳＴＯ積層体層１１ａとを順次成膜したのち、ＳＴＯ積層体１１および主磁極２１の範囲を画定するための単一のマスク４４を用いたイオンビームエッチング法により、基体に至るまで不要な材料を除去する。 - 特許庁

The monocrystal piezoelectric film is formed on a bonded monocrystal substrate (preferably, a ZrO_2 substrate that is doped with MgO, STO, BaTiO_3, and Y or rare earth), after it is bonded to a diaphragm structure member, a crystal substrate is removed, and the actuator or the ink jet head is manufactured.例文帳に追加

接合された単結晶基板（好ましくは、MgO, STO, BaTiO_3、Yあるいは希土類でドープされていても良いZrO_2基板）の上に単結晶圧電膜を成膜し、これを振動板構造部材に接合後、上記結晶板を除去し、アクチュエーター及びインクジェットヘッドの製造する。 - 特許庁

At rapid starting, a master cylinder shutoff valve is opened until the pedal stroke attains the set stroke STO so as to admit outflow of the brake fluid from a master cylinder to a front cylinder, and after attainment of the set stroke STO, the master cylinder shutoff valve is closed and the front cylinder pressure is controlled on the basis of the fluid pressure of a power hydraulic source.例文帳に追加

ラピッドスタート時にはペダルストロークが設定ストロークＳT0に達するまではマスタシリンダ遮断弁を開き、マスタシリンダからフロントシリンダへのブレーキ液の流出を許容し、設定ストロークＳT0到達後はマスタシリンダ遮断弁を閉じ、動力液圧源の液圧に基づいてフロントシリンダ圧を制御する。 - 特許庁

The STO has three electrical terminals connected to an electrical circuit which supplies a spin torque excitation current through the conductive spacer layer and a relatively lesser detection current through the tunnel barrier layer.例文帳に追加

ＳＴＯは、導電スペーサ層を通じてスピントルク励起電流を、そして、トンネルバリア層を通じて相対的に小さな検知電流を供給する電気回路に接続する３つの電気端子を有する。 - 特許庁

A first layer STO film 17a composed of a metal oxide having perovskite structure and becoming the underlying dielectric film 16a of the capacitor dielectric film 16 is formed to cover the exposed surface of the Sr oxide layer 15.例文帳に追加

Ｓｒ酸化物層１５の露出表面を覆うように、キャパシタ誘電体膜１６の下層誘電体膜１６ａとなる、ペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物からなる第１層目のＳＴＯ膜１７ａを成膜する。 - 特許庁

In an STO structure formed between a main magnetic pole 20 and a light shield 26, two assist layers 27a, 32 having perpendicular magnetic anisotropy (PMA) are provided.例文帳に追加

主磁極２０とライトシールド２６との間に形成されるＳＴＯ構造に、垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を有する２つのアシスト層２７ａ，３２を設ける。 - 特許庁

The circuit 102 changes a constant voltage value to be supplied to the circuit 104 so as to stepwisely approach to a circuit operation stopping voltage VSTO in response to the signal 140.例文帳に追加

定電圧発生回路１０２は、制御信号１４０に応じて段階的に回路動作停止電圧Ｖ_STOに近づくように、発振回路１０４に供給する定電圧値を変化させる。 - 特許庁

The insulating films 4, 5 are, e.g., a plate-like member containing at least one of zinc-oxide(ZnO), strontium-titan-oxide(STO), and magnesium-oxide(MgO) as a main component.例文帳に追加

絶縁膜４，５は、例えば亜鉛・オキサイド（ＺｎＯ）、ストロンチウム・チタン・オキサイド（ＳＴＯ）、マグネシウム・オキサイド（ＭｇＯ）のうち少なくとも１つを主成分とする平板状の部材である。 - 特許庁

The STO comprises a stack of layers including electrodes, a pinned ferromagnetic layer having a fixed, a free ferromagnetic layer having a magnetization free to rotate, and a nonmagnetic spacer layer between the pinned and free layers.例文帳に追加

ＳＴＯは、電極と、固定される磁化を有するピン止め強磁性層と、自由に回転可能な磁化を有する自由強磁性層と、ピン止め層と自由層との間の非磁性スペーサ層とを含む積層を備える。 - 特許庁

In fact, a CPP-GMR element employing the Co_2Fe(Ga_XGe_X-1) Heusler alloy in the electrode shows a highest MR ratio in the world, a high output in an STO element, and a high spin signal in an NLSV element.例文帳に追加

実際、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金を電極としたＣＰＰ−ＧＭＲ素子は世界最高のＭＲ比を、ＳＴＯ素子では高い出力を、ＮＬＳＶ素子では高いスピン信号を示した。 - 特許庁

When the STO is used as a magnetic field sensor, the excitation current is oscillated at a base frequency in which magnetization of the free layer is fixed in the absence of an external magnetic field.例文帳に追加

ＳＴＯが磁界センサとして使用される際には、励起電流は、外部磁界が存在しない状態において自由層の磁化を固定された基底周波数において発振させる。 - 特許庁

The STO structure has a configuration consisting of a seed layer 21/a spin injection layer (SIL) 22/a first spacer layer 23/a first PMA assist layer 27a/a composite FGL 40/a second spacer 31/a second PMA assist layer 32/a cap layer 25.例文帳に追加

このＳＴＯ構造は、シード層２１／スピン注入層（ＳＩＬ）２２／第１のスペーサ層２３／第１のＰＭＡアシスト層２７ａ／複合ＦＧＬ４０／第２のスペーサ３１／第２のＰＭＡアシスト層３２／キャップ層２５なる構成を有する。 - 特許庁

A rotation judging circuit 26a detects the rotational direction of the motor 5, based on a rotational direction signal sh, in a non-conductive state where a selection signal sto is off.例文帳に追加

回転判定回路２６ａは、選択信号ｓｔｏが「オフ」の非通電状態で、回転方向信号ｓｈに基づいてモータ５の回転方向を検出する。 - 特許庁

A spin torque oscillator (STO) has a single free ferromagnetic layer which forms a part of both a giant magnetoresistance (GMR) structure having a non-magnetic conductive spacer layer and a tunnel magnetoresistance (TMR) structure having a tunnel barrier layer.例文帳に追加

スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、非磁性導電スペーサ層を有する巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）構造とトンネルバリア層を有するトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）構造の両方の一部を形成する単一の自由強磁性層を有する。 - 特許庁

A first layer STO film 18a becoming the underlying dielectric film 17a of the capacitor consists of a thick crystal film having perovskite structure on the surface of the lower electrode 12a and a thin amorphous film in other regions, and is formed on the substrate 19.例文帳に追加

基板１９上に、下部電極１２ａの表面上がペロブスカイト型結晶構造を有する厚肉の結晶膜、その他の領域が薄肉の非晶質膜である、キャパシタ下層誘電体膜１７ａとなる第１層目のＳＴＯ膜１８ａを形成する。 - 特許庁

For example, a cell array selecting signal line STO connected to each gate of cell array selection transistors 12a, 12b, and a cell array selection signal line ST1 connected to each gate of cell array selection transistors 13a, 13b are connected through OR circuits 15a, 15b to a cell array selection circuit 16.例文帳に追加

たとえば、セルアレイ選択トランジスタ１２ａ，１２ｂの各ゲートにつながるセルアレイ選択信号線ＳＴ０、および、セルアレイ選択トランジスタ１３ａ，１３ｂの各ゲートにつながるセルアレイ選択信号線ＳＴ１は、オア回路１５ａ，１５ｂを介して、セルアレイ選択回路１６に接続されている。 - 特許庁

An input side optical deflecting element 8 and an output side optical deflecting element 9 are joined in the sides of Nb-STO substrates 8a, 9a, respectively, to a common substrate 7 having via electrodes 7a, 7b formed therein, and electrodes 12, 13 are simultaneously formed together on the elements 8, 9 in the sides of PLZT films 8b, 9b, respectively.例文帳に追加

ビア電極７ａ，７ｂを形成した共通基板７に入力側光偏向素子８および出力側光偏向素子９をＮｂ−ＳＴＯ基板８ａ，９ａ側で接合し、ＰＬＺＴ膜８ｂ，９ｂ側に同時に電極１２，１３を一括形成する。 - 特許庁

This interlayer can have a multilayer structure, and can be provided on the ITO layer with at least one layer formed from nickel, nickel oxide, zirconium oxide, a rare earth oxide, magnesium oxide, strontium titanate (STO), strontium-barium titanate (SBTO), titanium nitride, silver, palladium, gold, iridium, ruthenium, rhodium and platinum.例文帳に追加

この中間層は、多層構造を有することができ、ＩＴＯ層の上に、ニッケル、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、希土類酸化物、酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、チタン酸ストロンチウム・バリウム（ＳＢＴＯ）、窒化チタン、銀、パラジウム、金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、白金からなる層を少なくとも１層備えることができる。 - 特許庁

The vertical magnetic recording and writing head includes: a write pole; an electrically conductive coil coupled to the write pole for generating magnetic flux in the write pole in the presence of electrical write current; and a spin torque oscillator (STO) that injects auxiliary magnetic flux to the write pole in a direction generally orthogonal to the write pole to facilitate magnetization switching of the write pole.例文帳に追加

書き込み極と、書き込み極に結合され、書き込み電流が存在する場合に書き込み極に磁束を生成する導電性コイルと、書き込み極にほぼ直交する方向において補助磁束を書き込み極に注入して、書き込み極の磁化切り替えに役立つスピントルク発振器（ＳＴＯ）とを有する垂直磁気記録書き込みヘッド。 - 特許庁

To provide a parallel flat plate capacitor that uses a strontium titanate laminate as a dielectric, which has solved the problem wherein a bulk single crystal STO's dielectric constant drops when used as a thin film although it is a very useful dielectric in practically using a superconducting or low temperature device because of its high dielectric constant at a low temperature.例文帳に追加

バルク単結晶ＳＴＯは、低温で高い誘電率を示すため、超伝導や低温デバイスの実用化で極めて有用な誘電体であるにも関わらず、薄膜化すると誘電率が低下してしまうという欠点があったが、上記欠点を克服したチタン酸ストロンチウム積層体を誘電体とする平行平板コンデンサを提供することにある。 - 特許庁

A surface shape observer (STO) that id a disturbance observer for estimating the surface shape measured by AFM is realized as an open loop, that is independent of a feedback loop in a closed-loop system; and since the band of AFM will not affect the stability of the closed-loop system, AFM which is widened farther in band than the feedback control system can be provided.例文帳に追加

本発明によれば、閉ループ方式において、ＡＦＭで計測する物体の表面形状を推定する外乱オブザーバである表面形状オブザーバ（ＳＴＯ）は、フィードバックループとは独立な開ループで実現され、本発明に係るＡＦＭの帯域は、閉ループ方式の安定性に影響を与えることはないため、フィードバック制御系よりも高帯域化されたＡＦＭを提供することができる。 - 特許庁

The imaging optical system includes a first lens group G1 having negative refractive power, a second lens group G2 having positive refractive power, and a diaphragm STO.例文帳に追加

負屈折力の第１レンズ群Ｇ１と、正屈折力の第２レンズ群Ｇ２と絞りＳＴＯとを備え、第１レンズ群Ｇ１のうちの物体側に最も近い面Ｓ１の有効半径をＳＤａと、第１レンズ群Ｇ１のうちの物体側から最も遠い面Ｓ２の有効半径をＳＤｂと、それぞれしたとき、以下の条件式（１）を満足することを特徴とする撮像光学系。 - 特許庁

A master cylinder shutoff valve is put in communication until the depressing stroke of a brake pedal attains a set stroke STO so as to admit outflow of the brake fluid from a master cylinder to a front cylinder, and after attainment of the set depressing stroke, the master cylinder shutoff valve is closed and the front cylinder pressure is controlled on the basis of the fluid pressure of a power hydraulic source.例文帳に追加

ブレーキペダルの踏込ストロークが設定踏込ストロークＳT0に達するまではマスタシリンダ遮断弁を連通状態とし、マスタシリンダからフロントシリンダへのブレーキ液の流出を許容し、設定踏込ストロークに達した後はマスタシリンダ遮断弁を閉じ、動力液圧源の液圧に基づいてフロントシリンダ圧を制御する。 - 特許庁