「インジウム」を含む例文一覧(1826)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37- 透明基材１１及びこの一面に配した透明導電層１２を少なくとも備えた透明電極基材１０であって、前記透明基材１１と前記透明導電層１２との間には、遷移元素及び／又はＧａを含む酸化インジウムからなる少なくとも１層の中間層１３を有することを特徴とする透明電極基材を提供する。
The transparent electrode base material 10 at least equipped with a transparent base material 11 and a transparent conductive layer 12 arranged on one of its face is provided with at least one intermediate layer 13 consisting of indium oxide containing a transition element and/or Ga between the transparent base material 11 and the transparent conductive layer 12. - 特許庁 - 金微粒子を含む燃料電池用負極触媒、更に、チタン、バナジウム、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、セリウム、タンタル、インジウム及びこれらの金属の酸化物からなる群から選ばれた少なくとも１種の成分、及び／又は白金、ルテニウム及びルテニウムの酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を含む燃料電池用負極触媒。
This negative electrode catalyst for the fuel cell contains the negative electrode catalyst for the fuel cell containing gold fine particles; at least one component selected from the group comprising titanium, vanadium, gallium, zirconium, niobium, cerium, tantalum, indium, and the oxides of them, and/or at least one component selected from the group comprising platinum, ruthenium, and ruthenium oxides. - 特許庁 - ［硬化性組成物］ （Ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とし、重合性不飽和基を有する粒子、 （Ｂ）１分子中にメタクリロイル基及びアクリロイル基を有する化合物、 （Ｅ）光重合開始剤、及び （Ｆ）溶剤
[The curable composition] contains (A) particles containing an oxide of at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Zr, Ti, Zn, Ge, In, Sn, Sb and Ce as a main component and a polymerizable unsaturated group, (B) a compound having a methacryloyl group and an acryloyl group in a molecule, (E) a photo-polymerization initiator and (F) a solvent. - 特許庁 - 芯材表面に樹脂被覆層を有するキャリアであって、該樹脂被覆層中に、基体粒子表面に、二酸化スズ層と該二酸化スズ層上に設けた二酸化スズを含む酸化インジウム層とからなる導電性被覆層を設けてなる導電性粒子を含有し、該導電性粒子の吸油量が１０（ｍｌ／１００ｇ）以上３００（ｍｌ／１００ｇ）以下であることを特徴とする電子写真用キャリア。
The electrophotographic carrier has a resin coating layer on the surface of a core material, contains conductive particles prepared by forming a conductive coating layer composed of a tin dioxide layer and an indium oxide layer containing tin dioxide prepared on the tin dioxide layer on the surface of substrate particles in the resin coating layer and has an oil adsorption of the conductive particles of ≥10 to ≥300 (ml/100 g). - 特許庁 - 光の波長に比べて十分小さくサイズの揃った直径約１０ｎｍのＦｅあるいはＣｏクラスターを、可視光に対して９０％以上の透明度を示し、電気伝導度が１０^−４Ωｃｍオーダーを示す錫ドープインジウム酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯと略称する）中に分散させて、透明電気伝導性強磁性複合膜を構成させる。
A cluster of Fe or Co of a diameter of around 10 nm small and uniform in size as compared with a light wavelength is made dispersed in a tin-doped indium oxide (abbreviated as Indium-Tin-Oxide: ITO) showing a degree of transparency of 90% to visible light and an electric conductivity of an order of 10^-4 Ωcm to constitute the transparent, electrically conductive, ferromagnetic complex membrane. - 特許庁 - ＩＴＯスクラップ研磨粉を塩酸で溶解し、インジウムとスズの大部分をろ液に溶解し、該溶液をろ過し、 その後、前記浸出液をｐＨ１４以上とし、Ｉｎを水酸化Ｉｎとして残渣中に回収し、残りのスズを液中に再溶解し、ＩＴＯ中のＩｎとＳｎを分離するＩｎ及びＳｎの回収方法。
In the method for recovering In and Sn, ITO scrap abrasive powder is dissolved with hydrochloric acid, most part of indium and tin is dissolved in a filtering solution, the solution is filtered, and then a pH of the resulting filtrate is adjusted to ≥14, In is then recovered as indium hydroxide in a residue, the remaining tin is dissolved again in the solution, so that In and Sn in ITO are separated. - 特許庁 - 基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。
The thin film transistor includes a gate electrode 15, a gate insulation layer 12, a channel layer 11, a source electrode 13, and a drain electrode 14 formed on a substrate 10, in which: the channel layer 11 contains indium, germanium, and oxygen; and the channel layer 11 has a compositional ratio expressed by In/(In+Ge) of 0.5 or more and 0.97 or less. - 特許庁 - 実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０％以下であることを特徴とする透明導電膜であり、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比が２〜９％の割合で含有されていることが好ましい。
This transparent conductive film is substantially made of In, Sn, Ga, and O with resistivity of less than 250 μΩ.cm and the maximum vertical interval of surface unevenness (Z-max)/film thickness (t) of less than 10%, and it is preferable that Ga, In, and Sn are included in this film at an atomic ratio Ga/(In+Sn+Ga) of 2-9%. - 特許庁 - タングステン、インジウム、コバルト、プラチナ、希土類（レアアース）等のレアメタルは、それぞれの持つ様々な特性により、製品中の含有量が少量であることが多いものの、極めて重要な機能を担う部品等として、IT、自動車など幅広い産業分野で利用され、我が国の産業競争力を支えている（コラム第27-1図）。
Based on the various characteristics of rare metals such as tungsten, indium, cobalt, platinum and the rare earths, these mineral though included in wide range of products in small quantities have extremely important functions, and are used in a wide range of industries such as IT and automobile, thus supporting the competitiveness of Japanese industry (see Column 27 Figure 1). - 経済産業省 - なお、目標濃度以下となった作業場についても、我が国における動物を用いた長期がん原性試験結果により算定したばく露が許容される濃度3×10－４mg/m3を超える場合にあっては、作業環境を改善するため必要な措置を継続的に講じ、できる限り空気中のインジウムの濃度を低減させることが望ましい。
However, even if the measured value was lower than the targeted value but exceeded the acceptable exposure concentration limit of 3×10－４mg/m3 that is a limit value calculated from the outcome of the test in long-term carcinogenicity studies in animals in this country, it is recommendable to take further actions as required continually to improve work environment and reduce the concentration of indium in air as much as possible. - 厚生労働省 - 本発明は、基材の少なくとも一方の面に有機層とＩＴＯ薄膜層とを順次積層した透明導電性積層体であって、有機層の含水率が０．５％以上であり、ＩＴＯ薄膜層が、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定において３０°〜３１°の範囲に酸化インジウムの結晶のピークをもたない、非晶質な膜であることを特徴とし、更に、有機層が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロースのいずれかを主成分とすることを特徴とする透明導電性積層体である。
In addition, the organic layer of the transparent conductive layered body contains any of polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, methylcellulose and carboxymethylcellulose, as a main component. - 特許庁 - インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。
The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed. - 特許庁 - 酸化インジウムスズから形成された電極１１１を有するガラス基板１１２上にポリジメチルシロキサン１１３をパターニングすることにより微細な流路を形成するとともに、電極間に電位差１１５を印加して電界を形成しながら、導電性の第１の液体を電界の存在下で非導電性の第２液体に噴出することにより、第２の液滴中に微細径を有する第１の液滴を分散させる。
A fine flow path is created by patterning polydimethylsiloxane 113 on a glass substrate 112 having electrodes 111 formed from indium tin oxide, and first liquid droplets having a fine particle diameter are dispersed in second liquid droplets by injecting a conductive first liquid into a non-conductive second liquid in the presence of the electric field while a voltage difference 115 was applied between the electrodes to create an electric field. - 特許庁 - 本発明のカラーフィルターは、ガラス基板と、該ガラス基板上に設けられ、インクジェット方式によってカラーフィルター用インクを吐出して形成された着色部とを備えたカラーフィルターであって、前記ガラス基板と前記着色部との間に、酸化亜鉛または酸化インジウムスズを含む材料で構成された紫外線吸収膜を有し、前記カラーフィルター用インクは、染料と、該染料が溶解する液性媒体と、樹脂材料とを含むことを特徴とする。
The color filter includes a glass substrate and a coloring portion arranged on the glass substrate and formed by discharging an ink for a color filter with an inkjet mode, wherein an ultraviolet absorption film composed of a material including zinc oxide or indium tin oxide is included between the glass substrate and the coloring portion, and the ink for the color filter includes a dye, a liquid medium in which the dye is soluble, and a resin material. - 特許庁 - 本発明の摺動部材は、基材と、該基材の表面に形成され相手材と摺動する非晶質炭素膜と、を備える摺動部材であって、前記非晶質炭素膜は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、珪素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）および銅（Ｃｕ）のうちの少なくとも１種からなる０．５〜２０ａｔ％の金属元素と、１〜１０ａｔ％のモリブデン（Ｍｏ）および／またはタングステン（Ｗ）と、１〜２０ａｔ％の硫黄（Ｓ）と、を含み残部が実質的に炭素（Ｃ）からなることを特徴とする。
The sliding member comprises a base material, and an amorphous carbon film which is formed on a surface of the base material and slides on a counter member. - 特許庁 - 半導体発光素子１は、基板１１０と、発光層１５０を含み基板１１０上に積層される積層半導体層１００と、インジウム酸化物を含み積層半導体層１００上に積層される透明電極１７０と、透明電極１７０上に積層される第１の接合層１９０と、第１の接合層１９０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる第１のボンディングパッド電極２００とを備える。
A semiconductor light emission element 1 has a substrate 110, a layered semiconductor layer 100 that includes a lightemission layer 150 and is laminated onto the substrate 110, a transparent electrode 170 including indium oxide and laminated on the layered semiconductor layer 100, a first bonding layer 190 laminated on the transparent electrode 170, and a first bonding pad electrode 200 laminated on the first bonding layer 190 and used for electrical connection with the exterior. - 特許庁 - 炭化ケイ素基質；第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード；炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造；および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるようなオプトエレクトロニックデバイスを提供する。
To provide a a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode having a nitride active layer of group III; a buffer structure selected from a group consisting of gallium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode, and an optoelectronic device in which stress induced destruction generated in the buffer structure is not generated in other part of the buffer structure but is generated in a specified region. - 特許庁 - この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。
This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object. - 特許庁 - 酸化インジウム及び酸化錫を主成分として含む粉末および、エマルジョン粒子径２００ｎｍ以下のエマルジョンバインダーと、上記バインダーの重量に対して１〜３％のエマルジョン型潤滑剤とを有する分散媒を混合したスラリーをフェノール系樹脂型鋳込み型に流し込むことにより成形体を得て、得られた成形体を焼結してＩＴＯ焼結体を得るＩＴＯ焼結体の製造方法。
This ITO sintered compact is obtained by casting a casting mold of phenolic resin type with a slurry to produce a molded form followed by sintering the thus produced molded form; wherein the slurry is prepared by mixing powder consisting mainly of indium oxide and tin oxide with a dispersion medium containing an emulsion binder ≤200 nm in emulsion particle size and an emulsion-type lubricant at 1-3 wt.% based on the binder. - 特許庁 - 少なくとも第１の金属イオンと第２の金属イオンとを含有する酸化物結晶を母体とする蛍光体であって、前記第１の金属イオンは、アルミニウム、ガリウム、バナジウム、スカンジウム、アンチモンおよびインジウムからなる群から選択される１種以上のＩＩＩ価金属イオンを含み、かつ、前記ＩＩＩ価金属イオンの一部は、発光体となる１種以上のＩＩＩ価希土類イオンで置換されていることを特徴とする蛍光体。
The phosphor with a matrix being an oxide crystal comprises at least first metal ions and second metal ions, wherein the first metal ions comprise one or more ions of a trivalent metal selected from the group consisting of aluminum, gallium, vanadium, scandium, antimony, and indium, and part of the trivalent metal ions are replaced by at least one type of trivalent rare earth metal ions which serve as luminescent centers. - 特許庁 - 透明基板上に、少なくとも透明導電膜と、誘電体層とが積層されており、該基板額縁部に少なくとも位置検出用配線部並びに位置検出用電極からなる位置検出用部材が配置された構造を有する静電容量式タッチパネルであって、前記透明導電膜が酸化インジウムを主成分とし、ガリウムおよびスズを含む酸化物からなることを特徴とする静電容量式タッチパネルなどによって提供。
The capacitive touch panel has a structure where at least a transparent conductive film and a dielectric layer are laminated onto a transparent substrate, and a member for position detection comprising at least a wiring portion for position detection and electrodes for position detection is arranged at a substrate frame portion, where the transparent conductive film is composed of oxide having indium oxide as a main component and containing gallium and tin. - 特許庁 - 開示されるのは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、マンガン、アンチモン、ビスマスを含む一群の三価金属錯体、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、銅、亜鉛、カジウムを含む一群の二価金属錯体である。
There are disclosed families of trivalent metal complexes including scandium, yttrium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, aluminum, gallium, indium, manganese, antimony, bismuth; and of divalent metal complexes including magnesium, calcium, strontium, barium, manganese, cobalt, iron, nickel, ruthenium, copper, zinc, cadium. - 特許庁 - ポリフェニレンスルフィドフィルムの少なくとも片面にセラミック層が設けられてなること特徴とするポリフェニレンスルフィドフィルムであり、好ましくは、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）フィルムの少なくとも片面に、耐熱性のある酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化チタン、またはそれらの複合体セラミック層を設けたポリフェニレンスルフィドフィルムであり、また、該ポリフェニレンスルフィドフィルムを用いてなることを特徴とするフィルムコンデンサー。
The polyphenylene sulfide(PPS) film has a ceramic layer formed on at least one side thereof, preferably the one has a ceramic layer of aluminum oxide, silicone oxide, indium oxide, zinc oxide or titanium oxide with a heat resistance or a complex ceramic layer thereof formed on at least one side thereof, and the capacitor is constructed by using the same. - 特許庁 - 式(1) のＭｏ_1Ｖ_aＳｂ_bＮｂ_cＺ_dＯ_n・・(1) （式中、Ｚはタングステン、クロム、チタン、アルミ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、硼素、インジウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、イットリウム、ガリウム、希土類元素、アルカリ土類金属の１種以上の元素を表し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｎはＭｏに対するＶ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚ、Ｏの原子比を表し、０．１≦ａ＜０．４、０．１＜ｂ≦０．４、０．０１≦ｃ≦０．３、０≦ｄ≦１であり、但し、ａ＜ｂであり、ｎは他の元素の原子価によって決まる数である。）で表される組成を含む、プロパン又はイソブタンの気相接触酸化反応または気相接触アンモ酸化反応に用いる酸化物触媒。
To provide an oxide catalyst which can exhibit a high selectivity for especially (meth)acrylic acid and (meth)acrylonitrile and can persist in that property. - 特許庁 - 電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。
The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer. - 特許庁 - キャリアについては、芯材粒子は、重量平均粒径Ｄｗが２２μｍ以上３２μｍ以下であると共に、個数平均粒径Ｄｐに対する重量平均粒径Ｄｗの比Ｄｗ／Ｄｐが１．００以上１．２０以下であり、芯材粒子は、粒径が２０μｍ以下である粒子を０重量％以上７重量％以下含有すると共に、粒径が３６μｍ以下である粒子を９０重量％以上１００重量％以下含有し、芯材粒子のＢＥＴ比表面積は、３００ｃｍ^２／ｇ以上９００ｃｍ^２／ｇ以下であり、結着樹脂層は、基体粒子に二酸化スズ及び酸化インジウムからなる導電性被覆層が形成されている白色導電性粒子を含有する。
A binder resin layer contains white conductive particles comprising base particles coated with a conductive coating layer made of tin dioxide and indium oxide. - 特許庁
