「クリプトン」を含む例文一覧(141)

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  • クリプトンという原子番号36の希ガス元素
    a gaseous element whose atomic number is 36, called krypton  - EDR日英対訳辞書
  • クリプトン及び／又はキセノンの回収方法及び装置
    PROCESS AND APPARATUS FOR RECOVERING KRYPTON AND/OR XENON - 特許庁
  • クリプトン及び／又はキセノンの製造方法及び装置
    PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING KRYPTON AND/OR XENON - 特許庁
  • 空気からのクリプトン及びキセノン回収方法
    METHOD FOR RECOVERING KRYPTON AND XENON FROM AIR - 特許庁
  • クリプトン及びキセノンの精製方法
    METHOD FOR PURIFYING KRYPTON AND XENON - 特許庁
  • 放電励起クリプトンエキシマレーザ装置
    DISCHARGE EXCITATION KRYPTON EXCIMER LASER DEVICE - 特許庁
  • 冷空気分離によるクリプトン及び／又はキセノンの製造方法及び装置において、クリプトンとキセノンを富化してクリプトン／キセノン濃縮留分を形成し、このクリプトン／キセノン濃縮留分から蒸留によりクリプトン／又はキセノンを得る。
    In the process and apparatus for producing krypton and/or xenon by cryogenic separation of air, krypton and xenon are enriched to form a krypton/xenon concentrate and the krypton and/or xenon is obtained from the krypton/xenon concentrate by means of distillation. - 特許庁
  • 真空容器１の内部にクリプトンガスを噴出するノズル２が配置され、ガス導入管３から高圧のクリプトンガスが供給されている。
    A nozzle 2 for blowing out krypton gas is arranged inside a vacuum vessel 1 to supply high pressure krypton gas from a gas introducing pipe 3. - 特許庁
  • アルゴンガスより質量の重い希ガスは、クリプトン（Ｋｒ）ガスである。
    The rare gas having a greater mass than the argon gas is a krypton (Kr) gas. - 特許庁
  • キセノン及び／又はクリプトンの回収方法並びに吸着装置
    METHOD FOR RECOVERING KRYPTON AND/OR XENON AND ADSORPTION APPARATUS - 特許庁
  • 特に、酸素ガスとクリプトン（Ｋｒ）の組み合わせが好ましい。
    A combination of oxygen gas and krypton (Kr) is preferably employed. - 特許庁
  • 深冷空気分離によるクリプトン及び／又はキセノンの製造法
    METHOD OF MANUFACTURING KRYPTON AND/OR XENON BY CRYOGENIC AIR SEPARATION - 特許庁
  • クリプトン及び／又はキセノンの回収方法と装置を提供すること。
    To provide a method and an apparatus for recovering krypton and/or xenon. - 特許庁
  • キセノンの減少した液は、通常クリプトンも減少している。
    Normally krypton is reduced also in the liquid reduced in xenon. - 特許庁
  • これにより、クリプトンガスは励起され、そこから軟Ｘ線１０が発生する。
    Thus, the krypton gas is excited to generate soft X-rays 10 from there. - 特許庁
  • プラズマガスとして、キセノン（Ｘｅ），クリプトン（Ｋｒ），もしくはその両方の混合ガスを用いる。
    Xenon (Xe), krypton (Kr), or their mixed gas is used as the plasma gas. - 特許庁
  • 管の中には乾燥空気、アルゴン、クリプトン、キセノン、ＳＦ_6の少なくとも１つのガスを充填する。
    The pipes are internally filled with at least one gas among dry air, argon, krypton, xenon and SF6. - 特許庁
  • 空気精留法及び混合塔とクリプトン・キセノン回収装置とを備えた空気精留設備
    AIR FRACTIONATION PROCESS AND AIR FRACTIONATION INSTALLATION PROVIDED WITH MIXING COLUMN AND KRYPTON AND/OR XENON RECOVERY DEVICE - 特許庁
  • 経済的に稼働できる深冷空気分離によるクリプトン／キセノンの製造法を提供する。
    To provide a method of manufacturing krypton/xenon by cryogenic air separation operable economically. - 特許庁
  • クリプトンを含むガスを用いたスパッタリング法により透明導電膜２６を形成する。
    The transparent conductive film 26 is formed by a sputtering method using gas containing krypton. - 特許庁
  • クリプトンを予め除去することで、他の不純分の除去が効率よく行われる。
    The removal of other impure components is efficiently performed by previously removing the krypton. - 特許庁
  • 空気深冷分離による高圧酸素及びクリプトン／キセノンの製造方法及び装置
    METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING HIGH-PRESSURE OXYGEN AND KRYPTON/XENON BY LOW-TEMPERATURE AIR SEPARATION - 特許庁
  • 低温空気分離によるクリプトン及び／又はキセノンの製造方法及び装置
    METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING KRYPTON AND/OR XENON BY LOW-TEMPERATURE AIR SEPARATION - 特許庁
  • プラズマガスはクセノン、クリプトンあるいはこれらの組合せから選択されるのが好ましい。
    It is preferable that the plasma gas is selected from xenon, krypton and combination thereof. - 特許庁
  • フッ素とクリプトンとネオンから成るガス混合物を有するフッ素／クリプトン・エキシマレーザの中のガス混合物を補充するための改善された方法と装置を提供する。
    To provide an improved method and system for replenishing a gas mixture in a fluorine/krypton excimer laser having the gas mixture comprising fluorine, krypton, and neon. - 特許庁
  • 炭化水素類を除去したキセノン濃縮ガスおよびクリプトン濃縮ガスを、キセノン精製塔9、10、11およびクリプトン精製塔17、19で精製および濃縮する。
    The concentrated xenon gas and concentrated krypton gas free from hydrocarbons are purified and further concentrated with xenon purifying columns 9, 10 and 11 and krypton purifying columns 17 and 19. - 特許庁
  • クリプトン−キセノン分離プロセスで可燃性炭化水素−酸素混合物を形成する可能性なしに空気からクリプトンとキセノンを回収する方法の提供。
    To provide a method for recovering krypton and xenon from air without formation of a flammable hydrocarbon-oxygen mixture. - 特許庁
  • このクリプトン及びキセノンを富化した液体製品のうちの少なくとも一部分を、更なる蒸留のために主蒸留系から取り出して、少なくとも一つのクリプトン及び／又はキセノンに富む製品を製造する。
    At least one portion of the liquid product rich in krypton and xenon is taken out of the main distillation system for further distillation, and at least one product rich in krypton and/or xenon is manufactured. - 特許庁
  • 放電ガスとして、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水素と、を含むガスを用いる。
    Gas containing xenon, krypton, one of mixed gases 1 with either xenon or krypton and hydrogen with 0.01 vol.% to 0.5 vol.% of the above gas 1 is used as a discharge gas. - 特許庁
  • 蒸留の前に、TiO_2及び／又はZrO_2を含有する触媒床にクリプトン／キセノン濃縮留分を通流し、この触媒床においてクリプトン／キセノン濃縮留分に含まれる少なくとも１種のハロゲン化合物を反応させる。
    Prior to distillation, the krypton/xenon concentrate is passed over a catalyst bed which contains TiO_2 and/or ZrO_2 and at least one halogen compound contained in the krypton/xenon concentrate is reacted at the catalyst bed. - 特許庁
  • 熱的・化学的に非常に安定な不純物であるＰＦＣを効率よく除去してクリプトン及びキセノンを低コストで精製することができるクリプトン及びキセノンの精製方法を提供する。
    To provide a method for purifying krypton and xenon by which krypton and xenon are purified at low cost by efficiently removing perfluoro compound (PFC) which is a thermally and chemically very stable impurity. - 特許庁
  • クリプトンやキセノン、ネオンを使用する半導体製造装置からの排ガスから不純物を効果的に除去してクリプトン等を循環再利用できるガス分離方法及び装置を提供する。
    To provide a method and an apparatus for separating gasses, in each of which, impurities are removed effectively from the exhaust gas from a semiconductor production apparatus using krypton, xenon and neon to circularly reuse krypton etc. - 特許庁
  • 或いは、放電ガスとして、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水蒸気と、を含むガスを用いる。
    Or, gas containing xenon, krypton, one of mixed gases 1 with either xenon or krypton and vapor with 0.01 vol.% to 0.5 vol.% of the above gas 1 is used as discharge gas. - 特許庁
  • 一方、キセノン濃縮塔5をスルーしたガスをクリプトン濃縮塔13に導入し、クリプトン濃縮ガスとなし、触媒塔15、除去塔16に導入して炭化水素類を除去する。
    The gas passed through the xenon concentration column 5 is introduced into a krypton concentration column 13 and the obtained concentrated krypton gas is introduced into a catalyst column 15 and a removing column 16 to remove hydrocarbons. - 特許庁
  • 放電ガスとしてキセノン（Ｘｅ）およびクリプトン（Ｋｒ）を含む混合ガスを封入し、クリプトンの混合率とキセノンの混合率との比率を、１／６００以上１／３以下としたプラズマディスプレイパネルである。
    This is the plasma display panel in which a mixed gas containing xenon (Xe) and krypton (Kr) as discharge gas is sealed and the ratio between a mixing ratio of krypton and that of xenon is 1/600 or more and 1/3 or less. - 特許庁
  • このクリプトン及びキセノン含有留分（１３８）を第２の凝縮・蒸発器（２７）の蒸発室に導入し、第２の凝縮・蒸発器からクリプトン・キセノン濃縮留分（１２５）を抽出する。
    The krypton/xenon-including fraction 138 is introduced into an evaporation chamber of the second condenser/evaporator 27, and a krypton/xenon-enriched fraction 125 is extracted from the second condenser/evaporator. - 特許庁
  • また、クリプトンガスの量が増加しても放電時にクリプトンガスから発生した紫外線は自己吸収されずに蛍光体層に到達するため、パネルの効率および発光効率が向上する。
    Also, since the ultraviolet ray generated from the krypton gas at the time of discharge are not self-absorbed and reaches the phosphor layer even if the amount of the krypton gas increases, efficiency of the panel and luminous efficiency are improved. - 特許庁
  • クリプトンガスに第１のレーザを照射して、このクリプトンガスにおいて二光子共鳴中間励起を生起させると共に、第１のレーザとは波長の異なる第２のレーザをクリプトンガスに照射して、第１のレーザ及び第２のレーザの波長と異なる第３の波長を有した第３のレーザを発振させる四波混合レーザ発振方法を用いたレーザ装置である。
    In laser equipment using a four wave mix laser oscillation method, krypton gas is irradiated with the first laser, two photon resonance intermediate excitation occurs in krypton gas, krypton gas is irradiated with the second laser different in the wavelength from the first laser and a third laser having a third wavelength different from the first laser and the second laser is oscillated. - 特許庁
  • （六）　クリプトンイオンレーザー発振器又はアルゴンイオンレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの
    6. Krypton ion laser oscillators or argon ion laser oscillators which fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • イオン注入は、アルゴンイオン、クリプトンイオン、ルテニウムイオン、モリブデンイオン、又は、ロジウムイオンのうち少なくとも１種である。
    Ions to be injected are at least one of argon ions, krypton ions, ruthenium ions, and molybdenum ions, and rhodium ions. - 特許庁
  • また、ベントガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンまたはキセノンの内の少なくとも一種を有するガスであることが好ましい。
    The vent gas is desirably gas containing nitrogen, helium, neon, argon and at least one kind of krypton or xenon. - 特許庁
  • 好ましくは、希ガスとして、クリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）の少なくとも何れか１つを含有する。
    Preferably, the rare gas contains at least one of krypton (Kr), argon (Ar) and xenon (Xe). - 特許庁
  • 界面活性層２２は、酸素、アルゴン混合酸素、クリプトン混合酸素、キセノン混合酸素、およびネオン混合酸素等により構成される。
    The surface-active layer 22 is constituted of oxygen, argon mixed oxygen, krypton mixed oxygen, xenon mixed oxygen, neon mixed oxygen, etc. - 特許庁
  • 又、前記混合ガス中に、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンの一種以上を合計で５０００ｐｐｍ以下含有させてなるものも用いる。
    The mixed gas contains one or more kinds among argon, helium, neon, krypton and xenon of 5,000 ppm or less in total. - 特許庁
  • 放電ガス３としては、キセノン、クリプトン、アルゴン等の希ガスと酸素あるいはハロゲンガス等を混合したものを用いる。
    Example of the gas 3 is a mixture of a rare gas such as xenon, krypton, argon, and oxygen or halogen gas or the like. - 特許庁
  • 該不活性ガスが、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンの中の少なくとも一つを主成分とすることを特徴とするエッチング方法。
    The inert gas used for the etching method contains as a principal content at least one selected from neon, argon, krypton and xenon. - 特許庁
  • 励起ガス４としては、キセノン、クリプトン、アルゴン等の希ガスと酸素あるいはハロゲンガス等を混合したものを用いる。
    Example of the gas 4 is a mixture of a rare gas such as xenon, krypton, argon, and oxygen or any halogen gas or the like. - 特許庁
  • 酸素と、クリプトン及びキセノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の希ガスとを含む混合物から、希ガスを回収する。
    To recover the rare gas from the mixture gas containing oxygen and at least one kind of rare gas selected from a group of krypton and xenon. - 特許庁
  • ガラスバルブ１の内部に、キセノンの割合が９０％を超えないようにしたキセノンとクリプトンを含む混合ガス２を封入する。
    A mixed gas 2 containing the xenon and krypton so that a rate of content of the xenon does not exceed 90% is sealed inside the glass bulb 1. - 特許庁
  • 深冷空気分離によるクリプトン及び／又はキセノンの製造に際して、ハロゲン化合物の除去を特に経済的な方式で実現する。
    To realize the removal of halogen compounds in a particularly economical way in the production of krypton and/or xenon by cryogenic separation of air. - 特許庁
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