「ダイヤモンド形」を含む例文一覧(986)
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DIAMOND THIN FILM FORMATION METHOD - 特許庁 - ダイヤモンド薄膜の形成方法
METHOD FOR FORMING DIAMOND THIN FILM - 特許庁 - 微細形彫り用ダイヤモンドビット
DIAMOND BIT FOR FINE DIESINKING - 特許庁 - ダイヤモンドおよびダイヤモンド形状の宝飾品およびそのカット方法
DIAMOND, DIAMOND-SHAPED JEWELRY, AND ITS CUTTING METHOD - 特許庁 - 導電性ダイヤモンド及び導電性ダイヤモンド形成方法
CONDUCTIVE DIAMOND AND FORMING METHOD OF CONDUCTIVE DIAMOND - 特許庁 - 球状多孔質ダイヤモンド粒子の製造方法は、ナノダイヤモンドを用いて球状多孔質ダイヤモンド粒子を形成する工程を有する。
The method for manufacturing the spherical porous diamond particles has a step of forming the spherical porous diamond particles from nanodiamond. - 特許庁 - 次に、微結晶ダイヤモンド膜２上に、通常の条件によりダイヤモンドの気相合成を行い、高品質ダイヤモンド膜３を形成する。
Next, vapor phase synthesis of diamond is performed to the surface of the microcrystalline diamond film 2 under ordinary conditions to deposit a high quality diamond film 3. - 特許庁 - 気相合成により形成された高配向ダイヤモンド膜からなる第１ダイヤモンド層１からなり、該第１ダイヤモンド層１上にダイヤモンド層２が形成されると共に、この第２ダイヤモンド層２上には、第３ダイヤモンド層３および絶縁薄膜４が選択的に形成されている。
A diamond semiconductor device is constituted in a structure that a first diamond layer 1 consists of a high-orientation diamond film formed by a vapor synthesys and with a diamond layer 2 formed on the layer 1, a third diamond layer 3 and a thin insulating film 4 are selectively formed on this layer 2. - 特許庁 - ダイヤモンドライクカーボン膜形成装置およびダイヤモンドライクカーボン膜形成方法
APPARATUS FOR FORMING DIAMONDLIKE CARBON FILM AND FORMATION OF DIAMONDLIKE CARBON FILM - 特許庁 - 第１のアンドープダイヤモンド層１上にＢドープダイヤモンド層２を形成する。
A B-doped diamond layer 2 is formed on a first undoped diamond layer 1. - 特許庁 - ダイヤモンドプレートに導電性貫通孔を形成する方法およびダイヤモンドプレート
FORMATION OF CONDUCTIVE THROUGH-HOLE IN DIAMOND PLATE, AND THE DIAMOND PLATE - 特許庁 - 本発明の目的はダイヤモンド層を形成するダイヤモンド粒子が互いに所定間隔をもってダイヤモンド層に固着され、ダイヤモンド粒子の固着強度を高めてダイヤモンド粒子の脱落を防止できるダイヤモンドカッターの製造方法及びダイヤモンドカッター並びにダイヤモンドカッター製造治具を提供する。
To increase fixation strength of diamond particles to prevent diamond particles from falling out by fixing diamond particles forming a diamond layer on the diamond layer at a predetermined interval mutually. - 特許庁 - 六角形のナノ板状構造のダイヤモンドの形成方法
METHOD FOR FORMING DIAMOND HAVING HEXAGONAL NANOPLATE STRUCTURE - 特許庁 - ダイヤモンド膜の形成方法及び形成用基材
METHOD AND BASE MATERIAL FOR FORMING DIAMOND FILM - 特許庁 - アーガイルというダイヤモンド形色模様
a diamond-shaped pattern called Argyle - EDR日英対訳辞書 - ダイヤモンドをさまざまな形にカットする
cut diamonds in many different shapes - Eゲイト英和辞典 - ダイヤモンドライクカーボン硬質多層膜成形体
DIAMONDLIKE CARBON HARD MULTILAYER FORMED BODY - 特許庁 - その後、基体５の表面にダイヤモンド膜を形成する。
Then a diamond film is formed on the surface of the substrate 5. - 特許庁 - ダイヤモンド様炭素膜の形成方法
FORMATION OF DIAMOND LIKE CARBON FILM - 特許庁 - ダイヤモンドの改良した四辺形ブリリアントカット
IMPROVED QUADRILATERAL BRILLIANT CUT FOR DIAMOND - 特許庁 - 界面を有する多結晶ダイヤモンド成形体カッタ—
POLYCRYSTALLINE DIAMOND COMPACT CUTTER HAVING INTERFACE - 特許庁 - さらに、カッターはダイヤモンドで形成する。
The cutter is formed from diamond. - 特許庁 - ダイヤモンド状炭素膜およびその形成方法
DIAMOND-LIKE CARBON FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME - 特許庁 - ダイヤモンド状炭素膜の形成方法
METHOD FOR FORMING DIAMOND-LIKE CARBON FILM - 特許庁 - ダイヤモンド状炭素膜形成方法
FORMATION OF DIAMONDLIKE CARBON FILM - 特許庁 - ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法と装置
METHOD AND EQUIPMENT FOR FORMING DIAMOND-LIKE CARBON FILM - 特許庁 - ダイヤモンド状炭素膜形成方法及び製造装置
DIAMOND LIKE CARBON FILM DEPOSITION METHOD AND DEPOSITION SYSTEM - 特許庁 - ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法
METHOD FOR DEPOSITING DIAMOND-LIKE CARBON FILM - 特許庁 - ダイヤモンド状炭素膜の形成方法
METHOD FOR DEPOSITING DIAMOND-LIKE CARBON FILM - 特許庁 - ダイヤモンド基材中への流路形成方法
METHOD OF CONSTRUCTING FLOW PATH INTO DIAMOND SUBSTRATE - 特許庁 - ダイヤモンド状炭素膜の形成方法
METHOD FOR DEPOSITING DIAMONDLIKE CARBON FILM - 特許庁 - ダイヤモンド膜の形成方法および成膜装置
METHOD AND DEVICE FOR FORMING DIAMOND FILM - 特許庁 - 超強度弾性ダイヤモンド状炭素の形成方法
METHOD FOR FORMING ELASTIC DIAMOND-LIKE CARBON WITH ULTRAHIGH STRENGTH - 特許庁 - ダイヤモンド１６は工具の刃先２２を形成する。
The diamond 16 forms a point 22 of the tool. - 特許庁 - ダイヤモンド基板表面のパターン形成方法
METHOD FOR FORMING PATTERN ON DIAMOND SUBSTRATE SURFACE - 特許庁 - ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法
METHOD FOR FORMING DIAMOND-LIKE CARBON FILM - 特許庁 - ダイヤモンド様炭素薄膜の形成方法
METHOD FOR FORMING THIN FILM OF DIAMOND-LIKE CARBON - 特許庁 - ダイヤモンド基板１１上にＣＶＤにより形成されたアンドープダイヤモンド膜１２が積層され、ダイヤモンド膜１２の表面にｎ型ダイヤモンド層１３が形成される。
An undoped diamond film 12 formed by CVD is laminated on a diamond substrate 11, and an n type diamond layer 13 is formed on a surface of diamond film 12. - 特許庁 - ｎ型半導体ダイヤモンド１は、ダイヤモンド｛１１０｝単結晶基板である基板３上に形成されており、第１のノンドープダイヤモンド層７及びｎ型ダイヤモンド層５を備えている。
The n-type semiconductor diamond 1 is formed on a substrate 3 which is a diamond {110} single crystal substrate, and provided with a first non-doped diamond layer 7 and an n-type diamond layer 5. - 特許庁 - ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド薄膜の改質方法、ダイヤモンド薄膜の改質及び薄膜形成方法、並びにダイヤモンド薄膜の加工方法
DIAMOND THIN FILM, MODIFYING METHOD OF DIAMOND THIN FILM, MODIFICATION OF DIAMOND THIN FILM AND THIN FILM FORMATION METHOD, AND PROCESSING METHOD OF DIAMOND THIN FILM - 特許庁 - また、先端部にダイヤモンド被覆を施した端子、先端部をダイヤモンド焼結体、単結晶ダイヤモンド、あるいはダイヤモンド自立膜で形成された端子とすることで、より長寿命のパンチとすることができる。
In addition, the service life of the punch can be prolonged by coating the front end sections of the terminals with diamond or forming the front end sections of a diamond sintered compact, single-crystal diamond, or self-supported diamond films. - 特許庁 - 線径２０μｍ以下の線材加工用の穴を有するダイヤモンドと、前記ダイヤモンドが固定されたケース部材と、前記ダイヤモンドを前記ケース部材に固定する固定部材とからなるダイヤモンドダイスであって、前記ダイヤモンドの穴の出口側は、バックリリーフのみで形成する。
The diamond die comprises a diamond having a hole for working a wire of the wire diameter of ≤ 20 μm, a case member with the diamond fixed thereto, and a fixing member to fix the diamond to the case member, and an outlet side of the hole in the diamond is formed of only a back relief. - 特許庁 - 低抵抗ダイヤモンド層１の一方の面上に、低抵抗ダイヤモンド層１よりも抵抗値が高い高抵抗ダイヤモンド層２を形成し、この低抵抗ダイヤモンド層１及び高抵抗ダイヤモンド層２によりキャリア発生層を構成する。
A high resistive diamond layer 2 with a higher resistance value than a low resistive diamond layer 1 is formed on one face of the low resistive diamond layer 1, and a carrier generation layer is constituted of the low resistive diamond layer 1 and the high resistive diamond layer 2. - 特許庁 - 気相合成法により超硬合金基台上に１０〜１０００μｍの厚みでダイヤモンドを形成した気相合成ダイヤモンドチップおよびこのチップを設けたダイヤモンド工具で、耐摩耗性が高く、ダイヤモンドが基台や工具本体から剥離しにくく耐久性が高いダイヤモンドチップおよびダイヤモンド工具を提案する。
To propose a diamond tip and a diamond tool having high abrasion resistance and high durability, without separating diamond from a base and a tool body, in the gaseous phase synthetic diamond tip of forming diamond in the thickness of 10-1000 μm on a cemented carbide base by a gaseous phase synthesizing method and the diamond tool provided with this tip. - 特許庁 - 絶縁性ダイヤモンド基板１上にギャップ層２を形成し、その両側に導電性ダイヤモンド層３ａ及び３ｂを形成する。
A gap layer 2 is formed on an insulating diamond substrate 1 and conductive diamond layers 3a and 3b are formed on the opposite sides thereof. - 特許庁 - 電子放出部４は、絶縁部５を形成する絶縁性ダイヤモンドに不純物をドープして形成された導電性ダイヤモンドである。
The electron emission part 4 is of a conductive diamond formed by doping impurities on an insulating diamond forming the insulating part 5. - 特許庁 - 導電性ダイヤモンド膜が形成された基板及び導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法
CONDUCTIVE DIAMOND FILM-FORMED SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCTION OF THE SUBSTRATE - 特許庁 - アモルファスダイヤモンド膜の形成装置および形成方法
DEVICE FOR FORMING AMORPHOUS DIAMOND FILM AND FORMATION THEREFOR - 特許庁 - 異形線伸線用ダイヤモンドダイス及び異形線材の製造方法
DIAMOND DIE FOR DRAWING DEFORMED WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING DEFORMED WIRE ROD - 特許庁 - ダイヤモンド層内に形成された電子供給部からダイヤモンド層に容易に電子を供給することができる電子素子を提供する。
To provide an electron device capable of easily supplying electrons from an electron supply part formed in a diamond layer to the diamond layer. - 特許庁
- 特許庁
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