「ハシリ」を含む例文一覧(11)

  • ハシリトカゲ類
    whiptails  - 日本語WordNet
  • 斑紋はセイブハシリトカゲよりも濃くて、より多い
    markings are darker and more marked than in western whiptail  - 日本語WordNet
  • カナダのカモノハシリュウで、皮膚のあるミイラ状の化石として出土した
    duck-billed dinosaur from Canada found as a fossilized mummy with skin  - 日本語WordNet
  • シリコンウェーハ、シリコン単結晶の製造方法および装置
    METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON WAFER AND SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁
  • カモノハシリュウは、頭部にヘルメット状の突起を持ち、突起内部は中空で、鼻腔がその内部にまで拡張している
    duck-billed dinosaur with nasal passages that expand into a crest like a hollow helmet  - 日本語WordNet
  • 瓜蒂（かてい）、ハシリドコロ（ろうと）、コガネバナ（おうごん）、麻黄（まおう）、商陸（しょうりく）、河豚、肝油の成分研究を行った。
    Juntaro studied the constituents of the oriental melon, European scopolia, Baikal skullcap, ephedra, phytolacca esculenta, puffer fish, and fish-liver oil.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • シリコン単結晶、エピタキシャルウェ−ハ、シリコン単結晶中の窒素量の測定方法、ＥＳＲ法に使用される試料管ユニット及びＥＳＲスペクトルの測定方法
    SILICON SINGLE CRYSTAL, EPITAXIAL WAFER, METHOD OF MEASURING AMOUNT OF NITROGEN IN SILICON SINGLE CRYSTAL, SAMPLE TUBE UNIT USED IN ESR METHOD AND METHOD OF MEASURING ESR SPECTRA - 特許庁
  • 均一なベイカンシ欠陥を有するシリコン単結晶インゴット、シリコンウエハ、シリコン単結晶インゴットの製造装置、及びシリコン単結晶インゴットの製造方法
    SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER HAVING HOMOGENEOUS VACANCY DEFECT, AND METHOD AND APPARATUS FOR MAKING SAME - 特許庁
  • 基体１上に弾性層２及び表面層３を順次有する定着ベルト１３において、前記表面層３が、（イ）テトラフルオロエチレン、フッ化ビニリデン及びヘキサフルオロプロピレンを共重合成分として重合含有する三元共重合体、（ロ）加硫剤、及び、（ハ）シリコーンオイルを有する液体塗料の加硫生成物で構成されているものとする。
    In the fixing belt 13 having an elastic layer 2 and a surface layer 3 in order on a substrate 1, the surface layer 3 is made of a vulcanized product of a liquid coating material comprising (a) a terpolymer comprising tetrafluoroethylene, vinylidene fluoride and hexafluoropropylene polymerized as copolymerizable components, (b) a vulcanizing agent and (c) a silicone oil. - 特許庁
  • 半導体ウェーハの表面形状を測定する際に、装置本体３０の保持部３１に測定すべき半導体ウェーハ（シリコンウェーハ）１が保持され、その半導体ウェーハ１の主面に臨んで配設され該半導体ウェーハの主面の形状を測定する測定手段としての一対のレーザーセンサブロック１１、１２が配設される。
    In measuring semiconductor wafer surface shape, a semiconductor wafer (silicon wafer) to be measured is held in a holder 31 of a device body 30 and a pair of laser sensor blocks 11 and 12 arranged at the main surface of the semiconductor wafer 1 are arranged as a measurement means measuring the main surface shape of the semiconductor wafer 1. - 特許庁
  • 電気絶縁層の上に半導体材料が成膜された基板、例えば、シリコンウエハ／シリコン酸化層／シリコン層からなるＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板を用意し、半導体材料にエッチングを施して、材料の屈折率および空間の屈折率を面積比率で比例配分することにより定まる実効屈折率を有する三次元構造体３を形成する。
    A three-dimensional structure 3, having an effective refractive index determined by proportionally distributing a refractive index of a material and that of space based on the area ratio, is formed by preparing a substrate having an electrical insulating layer with a semiconductor material deposited thereon, for example, an SOI (silicon on insulator) substrate composed of silicon wafer/silicon oxide layer/silicon layer, and etching the semiconductor material. - 特許庁

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