「ミリアンペア」を含む例文一覧(17)

  • ミリアンペア単位で目盛りのついた感度の高い電流計
    a sensitive ammeter graduated in milliamperes  - 日本語WordNet
  • その機器が正しく動作するためには１０ミリアンペアが必要である。
    The device needs 10mA to operate properly. - Weblio Email例文集
  • ロ　イオン注入法を用いるものであって、ビーム電流が五ミリアンペア以上のもの
    (b) Coating devices that employ ion implantation method and with a beam current of 5 milliamperes or more  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • 出力段は、約５０ミリアンペアのシンクおよびソース電流を提供する。
    An output stage provides approximately fifty milliamps of sink and source current. - 特許庁
  • 発光ダイオード（１０８〜１１８）はディスプレイ（１０２）の背後に配置され、それぞれの発光ダイオード（１０８〜１１８）は公称で２００ミリアンペア以下で作動する（より好ましくは１００ミリアンペア以下で作動する）。
    The light-emitting diodes (108-118) are arranged behind the display (102), and the respective light-emitting diodes (108-118) operate nominally at 200 mA or lower (more preferably, operates at 100 mA or lower). - 特許庁
  • 該装置は、５０ミリアンペアの最大作動電流、及び／又は、約２５マイクロアンペアの最大待機電流を持つことができる。
    The device may have a maximum operating current of 50 milliamperes and/or a maximum standby current of about 25 microamperes. - 特許庁
  • ２０ミリアンペアの動作電流において、１ワット当たり少なくとも７５ルーメンの出力を有する白色発光ソリッドステートランプの提供。
    To provide a white light emitting solid-state lamp having an output of at least 75 lumens per watt at a 20-milliampere drive current. - 特許庁
  • 該装置は、５０ミリアンペアの最大作動電流、及び／又は、約２５マイクロアンペアの最大待機電流を持つことができる。
    The device can accommodate the maximum operation current of 50 mA and/or the maximum standby current of approximately 25 μA. - 特許庁
  • ホ　スパッタリング法を用いるものであって、毎時一五マイクロメートル以上の溶着速度における電流密度が一〇ミリアンペア毎平方センチメートル以上のもの
    (e) Coating devices that use the sputtering method and has a current density of 10 milliamperes per square centimeter or more for hourly deposition rates of 15 micrometers or more  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • （四）　ビームエネルギーが六五キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が四五ミリアンペア以上のものであって、加熱された半導体材料の基板に酸素を注入することができるもの
    4. Ion implanters with beam energies of 65 kiloelectron volts or more and beam currents of 45 milliamperes or more, that are capable of implanting oxygen on a heated superconductor material substrate  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • ３　主材料にＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いたもの（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。）
    iii. Photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less.)  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • ３　主材料にＩＩＩ—ＩＶ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いた光電陰極（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。）
    iii. Photocathodes using a III-IV compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less)  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Ｙ＝放電電流値（ミリアンペア）／放電時間（ミリ秒）とした場合、Ｙが３以上であることを特徴とするワイヤーボンディング用ボールの製造方法。
    The manufacturing method of the wire bonding ball, wherein Y is 3 or more, if Y = discharge current value (milliamperes)/discharge time (milliseconds). - 特許庁
  • 高温保存時の芯材腐食を抑え、数百ミリアンペア程度のパルス放電が可能な有機電解液電池の正極の製造方法を提供することを目的とする。
    To provide a method of manufacturing a positive electrode of an organic electrolytic solution battery capable of pulse discharge of approximately several hundred mA in which corrosion of a core material in storage at a high temperature is suppressed. - 特許庁
  • 印加される電流は、テスト温度における飽和光出力Ｐ_ｓａｔを組立体に発生させる電流より大きく、また１５０ミリアンペア未満である。
    The applied current is larger than that causing the assemblies to generate the saturated optical output P_sat at the test temperature and less than 150 mA. - 特許庁
  • 原光出力の少なくとも50％を発光し、85℃の温度で85％の相対湿度の環境において10ミリアンペアで少なくとも1000時間動作させた後の動作電圧が実質的に変化しない特徴を有する。
    The diode is characterized in that it will emit at least 50% of its original optical power and remains substantially unchanged in operating voltage after operating for at least 1,000 hours at 10 milliamps in an environment of 85% relative humidity at a temperature of 85°C. - 特許庁
  • メモリ回路６の消費電流が数ミリアンペア程度であるのに対して、このデジタル入出力ポートは、１ライン当たり最大２４ｍＡを供給することができるので、メモリ回路６の電源としては十分な電力供給能力を備えている。
    The consumed current of a memory circuit 6 is about several mA while the digital input/output port maximally supplies a current of 24 mA per line, so that a sufficient power supply capacity is provided as the power supply of the memory circuit 6. - 特許庁

例文データの著作権について