「ラインスペース」を含む例文一覧(28)

  • ライン/スペースパターンの製造方法
    METHOD FOR MANUFACTURING LINE/SPACE PATTERN - 特許庁
  • 複数の第1配線部31中の最も外側の位置でのライン/スペース比と、最も外側に位置する第1配線部31a1,31b1と第1配線部31a1,31b1の外側に配置した第2配線部40とのライン/スペース比とを略等しく設定する。
    A line/space ratio on the outermost position in a plurality of first wiring parts 31 and a line/space ratio of first wiring parts 31a1, 31b1 formed on the outermost position to second wiring parts 40 arranged on the outside of the first wiring parts 31a1, 31b1 are approximately equally set. - 特許庁
  • 次に今度は横方向のライン/スペースパターンによるレジスト膜を形成し第2のエッチングを行う。
    Next, a resist film by a line/space pattern of a horizontal direction is formed to perform second etching. - 特許庁
  • 検査パターン24は、配線23と同じ厚みを有し、面内の複数箇所でライン/スペース比を異ならせたパターンとする。
    The inspection pattern 24 has the same thickness as that of the wiring 23 and line to space ratios different at a plurality of points in the surface. - 特許庁
  • ベース板2上のラインスペース5内に、磁気テープ型の誘導ライン1が粘着剤によって貼り付けられる。
    Then, a magnetic tape type guide line 1 is attached with tacky adhesive agent to the line space 5 on the base board 2. - 特許庁
  • 第1の方向の回路パターン及び第2の方向のライン/スペース回路パターンを一回の露光に形成するための露光システムを提供する。
    To provide an exposure system for forming a circuit pattern of a first direction and a line/space circuit pattern of a second direction through only one exposure. - 特許庁
  • また、ラインスペース比Rを0.5より小さくしたので、周波数特性に歪みが生じないよう調整することができる。
    Furthermore, since the line space ratio R is made smaller than 0.5, it is possible to adjust frequency characteristics so as not to cause a distortion. - 特許庁
  • 本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン&スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
    To provide method and device especially suitable for determining irregularity of line & space pattern formed on sample. - 特許庁
  • フォトマスクは、ウェーハに実際に転写される第1の方向のライン/スペース回路パターン及び第2の方向のライン/スペース回路パターンそして偏光子として作用し、スペースに設けられ、ラインに垂直である格子パターンを含む。
    The photomask includes a line/space circuit pattern in the first direction and a line/space circuit pattern in the second direction actually transferred to a wafer, operates as a polarizer and includes a lattice pattern that occupies spaces and is perpendicular to lines. - 特許庁
  • 本発明のレジスト材料は、現像液が本質的に水またはアルカリ性水溶液である場合、現像された像のライン/スペースを120nm以下とすることができる。
    The resist material can render a developed image with a line/spacing not greater than 120 nm when the developer essentially consists of water or an aqueous alkali solution. - 特許庁
  • 配線Lの窒化シリコン膜4とライン/スペース状のコンタクトパターンを用いて形成されたフォトレジストとにより、絶縁膜5内に複数のコンタクトホールCHを形成する。
    By the silicon nitride film 4 of the wiring L and a photoresist formed by using the contact pattern in the shape of line/space, a plurality of contact holes CH are formed in the insulating film 5. - 特許庁
  • 配線パターンの露光及び現像を行った場合、ライン&スペースが小さい場合において要求線幅が得られないために補正が必要である。
    To provide a correction of an exposure width, which is necessary when line widths and spacings are so small that required line widths are not obtained in exposing and developing a wiring pattern. - 特許庁
  • これにより、約8Å〜9Åより短波長のX線に対するコントラストが50nmライン&スペース周期マスクパターンのコントラストよりも向上するため、高品質な光学像を得ることができる。
    Thus, contrast to x-ray with wavelength shorter than about 8 Å-9 Åis improved further than the contrast of the mask pattern of 50 nm line and space cycle, consequently, a high quality optical image can be obtained. - 特許庁
  • 絶縁膜11に対して、まず素子分離のレイアウトに対して縦方向のライン/スペースパターンによるレジスト膜を形成し第1のエッチングを行う。
    At first, a resist film by a line/space pattern of a vertical direction for layout of element separation is formed on an insulating film 1 to perform first etching. - 特許庁
  • 遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、特に0.2μm以下の微細なライン/スペースにおけるラインうねり及び現像欠陥が少なく、更に高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供する。
    To provide a positive resist laminate adaptable to exposure in the far ultraviolet region, having high resolving power, nearly free of line waves and development defects particularly in the case of a narrow line/space of ≤0.2 μm and having high suitability to production. - 特許庁
  • 実質的に微細な配列ピッチを持つ受光素子アレイを余裕のあるライン/スペースの加工で実現して、歩留まり及び信頼性向上を図った光電式エンコーダを提供する。
    To realize a photo-receiving element array having substantially fine array pitches by line/space machining with margin to provide a photo-electric type encoder enhanced in a yield and reliability. - 特許庁
  • 本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン&スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
    To provide a judgement method and a device suitable for judgement of roughness of a line and a space pattern formed on a test piece. - 特許庁
  • ライン&スペースのパターンの端部においてもパターンの解像性を高めることができ、且つリソグラフィマージンの低下やCAD処理時間の増大を抑制する。
    To increase resolution in a pattern even in an end portion of a line-and-space pattern, and to suppress decrease in a lithographic margin or increase in a CAD processing time. - 特許庁
  • 配線層の微細化(ライン:スペースが15:15μm以下)に対応できると共に、配線層とその下の絶縁層との十分な密着性が得られる配線基板の製造方法を提供する。
    To provide a method of manufacturing a wiring substrate, which can respond to miniaturization (line:space = 15:15 μm or less) of a wiring layer, and also can obtain sufficient adhesion between the wiring layer and an underlying insulating layer. - 特許庁
  • 表面粗さが小さく、ライン/スペースが15μm以下と極細幅までエッチングが可能であり、該微細ラインと配線基板とが高い密着強度を持つキャリア付き極薄銅箔を提供する。
    To provide an ultrathin copper foil with a carrier which has a small surface roughness, can be etched to an ultrafine width with a line/space of 15 μm or less, and has a high adhesive strength between an ultrafine line and a wiring substrate. - 特許庁
  • 配線層の微細化(ライン:スペース=10:10μm以下)に対応できると共に、配線層とその上の絶縁層との十分な密着性が得られる配線基板の製造方法を提供する。
    To provide a method of manufacturing a wiring board which is adaptive to microfabrication (line:space=10:10 μm or less) of a wiring layer and has sufficient adhesion between the wiring layer and an insulating layer thereupon. - 特許庁
  • 走行路面6上にベース板2が固定され、ベース板2上にラインスペース5をあけてベース板2上の両側に側板3が固定される。
    A base board 2 is fixed to the traveling road surface 6, and side boards 3 are fixed to the both sides of the base board 2 with a line space 5 left opened on the base board 2. - 特許庁
  • 第1の溝15は、Y方向に延在しており、X座標検出用の溝15aと、X方向に延在しており、Y座標検出用のする溝15bとが、それぞれライン&スペース状に並列して複数形成されてなる。
    In the first groove 15, a plurality of grooves 15a for detecting X-coordinate, which extend in a Y-direction, and a plurality of grooves 15b for detecting Y-coordinate, which extend in an X-direction, are arranged in parallel in line and space shapes. - 特許庁
  • 遠紫外領域の露光に対応して高い解像力を有し、しかも0.2μm以下の微細なライン/スペースにおいて、ラインうねりの少ないレジストパターンを与え、現像欠陥の発生量が少なく、高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供すること。
    To provide a positive type resist laminate having high resolving power in exposure with light in the far ultraviolet region, giving a resist pattern with little line wave in the case of a time line/space of ≤0.2 μm, nearly free of development defects and having high suitability to production. - 特許庁
  • 走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置で、簡単な手法で試料上に形成された段差及び凹凸の判定、或いは3次元情報を得ることにあり、特に試料上に形成されたライン&スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供する。
    To determine steps or unevenness formed on a sample by a simple technique or obtain three-dimensional information by using a charge particle beam device such as a scanning electron microscope, and particularly to provide a determination method or its device suitable for unevenness determination of a line and space pattern formed on a sample. - 特許庁
  • セミアディティブ法を用いて配線基板を製作する際して、シードエッチングにおける電解銅めっき層のアンダーカットの生成を抑制し、ライン/スペースが10/10μm以下の極細配線が可能な配線基板の製造方法および配線基板を提供する。
    To provide a manufacturing method of a wiring board that inhibits the generation of undercuts in an electroless copper plating layer in seed etching, and enables extra-fine wiring having a size of line/space of 10/10 μm or smaller, when a wiring board is manufactured by using a semi-additive method. - 特許庁
  • 埋め込み性、耐熱衝撃性、現像性、絶縁性、及び露光部の解像性に優れた高性能な硬化膜を得ることができ、L/S(ラインスペース)の小さい半導体パッケージ基板に対応できるソルダーレジスト用などに好適なシリカ分散組成物の提供。
    To provide a silica dispersion composition that can obtain a hardened film with superior properties in embedment, resistance to heat and shock, image development, and resolution at an exposure part, and that is suitable for solder resist, etc., and adaptable to a semiconductor package substrate having a small line space (L/S). - 特許庁
  • 周期的な凹凸形状(例えば、ライン&スペース等)を有する構造のパターンの断面形状を、そのパターンを破壊することなくかつパターンを構成する物質の光学定数の変化に影響されることなく、高スループットかつ高精度に測定する断面形状測定に用いられるライブラリ作成方法を提供すること。
    To provide a library preparing method used in cross-section shape measurement for measuring, with high throughput and high accuracy, the cross-section shape of a pattern of a structure having a cyclic recess-and-projection shape (such as lines and spaces) without destroying the pattern or without being affected by changes in optical constants of a substance constituting the pattern. - 特許庁

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