「ラテラル」を含む例文一覧(255)
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METHOD FOR LATERAL CRYSTALLIZATION - 特許庁 - 車両用ラテラルロッドの取付構造
LATERAL ROD FITTING STRUCTURE FOR VEHICLE - 特許庁 - 複数のメサを有するラテラル導電型ショットキーダイオード
LATERAL CONDUCTION SCHOTTKY DIODE WITH PLURAL MESAS - 特許庁 - ラテラルＭＯＳＦＥＴ
LATERAL MOSFET - 特許庁 - ラテラルロッド配設構造
LATERAL ROD ARRANGEMENT STRUCTURE - 特許庁 - ラテラル駆動型スピーカ
LATERAL DRIVE SPEAKER - 特許庁 - ラテラルロッド支持構造
LATERAL ROD SUPPORTING STRUCTURE - 特許庁 - ラテラルＰＮＰトランジスタ
LATERAL PNP TRANSISTOR - 特許庁 - ラテラルロッドの取付構造
LATERAL ROD MOUNTING STRUCTURE - 特許庁 - ラテラルバイポーラトランジスタ
LATERAL BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁 - バイラテラル位置・力伝達装置
BILATERAL POSITION AND FORCE TRANSMITTING DEVICE - 特許庁 - ラテラルロッドのブラケット構造
BRACKET STRUCTURE OF LATERAL ROD - 特許庁 - ラテラルフロー用テストストリップ
LATERAL FLOW TEST STRIP - 特許庁 - 第１の部分２０８は基本ラテラル光学モードよりも高いラテラル光学モードをフィルタリングする。
The first portion 208 filters a lateral optical mode higher than a fundamental lateral optical mode. - 特許庁 - ラテラル成長長さ（ＬＧＬ）を増大させるためのラテラル結晶化プロセスの提供。
To provide a lateral crystallization process for increasing lateral growth length (LGL). - 特許庁 - ラテラル導電型ショットキーダイオードを提供する。
To provide a lateral conduction Schottky diode. - 特許庁 - 薄膜ＳＯＩ技術でのラテラル半導体構成要素
LATERAL SEMICONDUCTOR COMPONENT BY THIN-FILM SOI TECHNOLOGY - 特許庁 - ラテラルＰＮＰトランジスタおよびその製造方法
LATERAL PNP TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁 - ＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子
LATERAL SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR OF PIN STRUCTURE - 特許庁 - ラテラルバイポーラ型保護回路にも適用可能である。
It is applicable also to lateral bipolar protective circuit. - 特許庁 - ラテラルフローアッセイシステム及び方法
LATERAL FLOW ASSAY SYSTEM AND METHOD - 特許庁 - ラテラルバイポーラトランジスタおよびその製造方法
LATERAL BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁 - トレンチ型ラテラルＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法
TRENCH LATERAL MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁 - 光トリガラテラル型サイリスタおよびその製造方法
OPTICALLY TRIGGERED LATERAL THYRISTOR AND ITS FABRICATING METHOD - 特許庁 - 前記ノッチパターン２２５は外側共振器中一個と中間共振器２０２に該当するラテラル面の第３位置に該当するラテラル面の非コーティングラテラル領域中一つに連結されたラテラル面の拡張された非コーティングラテラル領域内に設けられる。
The notch pattern 225 is provided within the uncoated lateral region extended from the lateral surface coupled to one of the uncoated lateral region of the lateral surface corresponding to a third position of the lateral surface, corresponding to one of the outside resonators and the intermediate resonator 202. - 特許庁 - マスダンパ等の部品を用いることなくラテラルロッドの振動を効果的に抑制することができるようなラテラルロッド配設構造を提供する。
To provide a lateral rod arrangement structure to effectively suppress the vibration of a lateral rod without using any parts such as a mass damper. - 特許庁 - ラテラルハロゲン置換基を有する４環化合物および液晶組成物
TETRACYCLIC COMPOUND HAVING LATERAL HALOGEN SUBSTITUENT GROUP AND LIQUID CRYSTAL COMPOSITION - 特許庁 - バイラテラルフィルタは空間フィルタおよびレンジフィルタを含む。
The bilateral filter includes a spatial filter and a range filter. - 特許庁 - マルチラテラルネッティング決済方法、システム及びプログラム
MULTILATERAL NETTING SETTLEMENT METHOD, SYSTEM AND PROGRAM - 特許庁 - ラテラルフロー型のクロマトストリップ及び生体材料の固相化方法
LATERAL FLOW CHROMATOGRAPHIC STRIP AND SOLID-PHASING METHOD OF BIOMATERIAL - 特許庁 - ラテラルフロー分析インジケータを識別する装置および方法
DEVICE AND METHOD FOR IDENTIFYING LATERAL FLOW ANALYTICAL INDICATOR - 特許庁 - ラテラルロッド付き４リンク式車軸懸架型サスペンション
FOUR LINK TYPE AXLE SUSPENDING TYPE SUSPENSION WITH LATERAL ROD - 特許庁 - 活性領域のラテラル過成長によって製造された分布帰還型レーザ
DISTRIBUTED FEEDBACK LASER MANUFACTURED BY LATERAL OVER GROWTH OF ACTIVE REGION - 特許庁 - ラテラルフロー分析においてマーカを正確に識別すること。
To accurately identify a marker in lateral flow analysis. - 特許庁 - 多層拡張ドレイン構造を有する高電圧ラテラルトランジスタ
HIGH-VOLTAGE LATERAL TRANSISTOR HAVING MULTILAYERED EXPANDED DRAIN STRUCTURE - 特許庁 - 光トリガラテラル型双方向サイリスタおよびその製造方法
OPTICAL TRIGGER LATERAL BIDIRECTIONAL THYRISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁 - ラテラルリンク部材１４の一端が、ラジアスアーム部材１０の中間部に取付けられているため、単位ストローク量あたりのラテラルリンク部材１４の車両後面視での角度変化が、ラテラルリンク部材１４を車輪支持体８に対して直接取付ける場合に比べて小さくなる。
Since one end of a lateral link member 14 is installed in the intermediate part of a radius arm member 10, the change in the angle of the lateral link member 14 per unit stroke amount in a vehicle backface view is smaller in comparison with a case where the lateral link member is directly installed in a wheel supporting body 8. - 特許庁 - 第１ラテラルリンク１５は車軸１４の後下方でトレーリングアーム１３に連結され、第２ラテラルリンク１６を車軸１４の後上方でトレーリングアーム１３に連結され、第３ラテラルリンク１７は車軸１４の前上方でトレーリングアーム１３に連結される。
The first lateral link 15 is connected with the trailing arm 13 downwardly at the back of the axle 14, the second lateral link 16 is connected to the trailing arm 13 upwardly at the back of the axle 14, and the third lateral link 17 is connected to the trailing arm 13 upwardly in front of the axle 14. - 特許庁 - ラテラルフロー型蛍光イムノクロマト法用の標的物質を定量的に検出する装置
APPARATUS FOR QUANTITATIVELY DETECTING TARGET SUBSTANCE USED FOR LATERAL-FLOW TYPE FLUORESCENCE IMMUNOCHROMATOGRAPHY - 特許庁 - 単一ラテラルモードを維持しながら、高パワーで動作する半導体レーザーを提供する。
To provide a semiconductor laser which operates with high power while a single lateral mode is maintained. - 特許庁 - 抗原抗体反応を利用したラテラルフロー方式の分析装置の分析精度を向上する
To improve analysis accuracy of an analysis device of lateral flow type using the antigen-antibody reaction. - 特許庁 - 低濃度にドープされたドレインを有するラテラルＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法
LATERAL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING DRAIN DOPED TO LOW CONCENTRATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁 - 第１電気絶縁層の上に、導電層を形成し、ラテラルにパターン形成する。
On the first electric insulating layer, a conductive layer is formed for laterally forming a pattern. - 特許庁 - 多結晶半導体膜１０は、基板１上に形成されており、ラテラル結晶を含む。
The polycrystalline semiconductor film 10 is formed on a substrate 1, and contains a lateral crystal. - 特許庁 - ｂｅｔａの高いラテラル・バイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する。
To provide a semiconductor device having a lateral bipolar transistor having high beta. - 特許庁 - プリンターはインク滴を噴射して版毎の画像を重ねて印刷するラテラル式である。
A lateral type printer in which the printing is performed by ejecting ink drops and superposing images of respective impressions is used. - 特許庁 - 処理速度を一層速めることのできる高速近似バイラテラルフィルター、FABLフィルター、を提供する。
To provide a fast approximate bilateral filter, FABL Filter, that permits even greater acceleration in processing speed. - 特許庁 - このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。
Therefore, an inversion type lateral MOSFET with high channel mobility can be obtained. - 特許庁 - この際、ラテラル方向成長が生じることで凹部１２が空洞部１３となって残留する。
At this time, lateral direction growth occurs, thus setting the recessed part 12 to a cavity part 13 for remaining. - 特許庁 - リーク電流が小さく、サイズの小さい、ラテラル構造の半導体素子を実現する。
To obtain a semiconductor device of a lateral structure which hardly leaks a current and has a small size. - 特許庁
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