「リセス」を含む例文一覧(586)
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RECESSED PLATE - 特許庁 - リセス皿取り扱い治具
RECESSED TRAY HANDLING JIG - 特許庁 - リセス皿の肉厚アダプター
THICHNESS ADAPTER OF RECESS PAN - 特許庁 - リセスゲート及びその製造方法
RECESS GATE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁 - 表面にリセスを形成する方法
METHOD OF FORMING RECESS ON SURFACE - 特許庁 - リセス皿及びその使用方法
RECESSED PLATE AND APPLICATION THEREOF - 特許庁 - リセストランジスタがチャンネル長が増加したリセスゲートを含み、リセスゲートはリセス下部に長さを増加させるため、球形リセスをさらに含む改良されたリセストランジスタを備えた半導体素子の製造方法を提供する。
To provide a method for manufacturing a semiconductor element having an improved recessed transistor, in which the recessed transistor includes a recessed gate increased in the cannel length, and the recessed gate further includes a spherical recess for increasing the length of the lower portion of the recess. - 特許庁 - 次に、ダミーゲート電極３をマスクにしたリセスエッチングにより、リセス領域７を形成する。
Then, a recess region 7 is formed by recess etching by using the dummy gate electrode 3 as a mask. - 特許庁 - リセスゲートを有する半導体素子及びその製造方法
SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING RECESSED GATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁 - リセスゲートを有する半導体素子の製造方法
MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING RECESS GATE - 特許庁 - ゲートチャンネルはリセスされたマルチバルブ構造を含む。
The gate channel includes a recessed multi-bulb structure. - 特許庁 - リセスチャネルを有するトランジスタ及びその製造方法
TRANSISTOR HAVING RECESS CHANNEL, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁 - シート本体２は、その上面にリセス８を有する。
The body 2 has a recess 8 on its upper surface. - 特許庁 - リセス部にゲート電極を形成する。
A gate electrode is formed in the recess. - 特許庁 - 半導体素子のリセスゲートの製造方法
METHOD OF MANUFACTURING RECESS GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁 - 半導体素子のリセスゲート及びその製造方法
RECESS GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁 - 半導体素子のリセスゲート形成方法
RECESS GATE FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁 - リセスゲート構造ＨＦＥＴおよびその製造方法
RECESS GATE STRUCTURE HFET AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁 - 半導体装置のリセスゲート製造方法
METHOD OF MANUFACTURING RECESS GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁 - リセス皿におけるレンズ貼り付け方法および装置
LENS STICKING METHOD AND DEVICE IN RECESS PLATE - 特許庁 - リセスを有するねじの遠心塗装方法
CENTRIFUGAL COATING METHOD FOR SCREW HAVING RECESS - 特許庁 - リセスゲート型ＨＦＥＴの製造方法
MANUFACTURING PROCESS OF RECESS GATE TYPE HFET - 特許庁 - ゲートリセス構造及びその形成方法
GATE RECESS STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SAME - 特許庁 - 半導体素子のリセスゲートの製造方法
METHOD OF FORMING RECESS GATE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁 - 本体２には収納リセス５を有している。
The body 2 has a storage recess 5. - 特許庁 - 半導体素子のリセスチャネル用トレンチ形成方法
METHOD FOR FORMING TRENCH FOR RECESS CHANNEL OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁 - このトランジスタは、ダブルリセス構造である。
The transistor has a double recess structure. - 特許庁 - リセスゲート構造ＨＦＥＴおよびその製造方法
HFET WITH RECESS GATE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁 - 半導体素子のリセスゲートの製造方法
METHOD FOR FABRICATING RECESS GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁 - リセス皿に対するレンズ貼り付け方法
LENS ADHERING METHOD TO RECESSED TOOL - 特許庁 - 半導体素子のリセスチャネル形成方法
FORMATION METHOD FOR RECESS CHANNEL OF SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁 - リセスボンド半導体パッケージ基板
RECESSED BONDED SEMICONDUCTOR PACKAGE SUBSTRATE - 特許庁 - リセスゲートトランジスタ構造及びその形成方法
RECESS GATE TRANSISTOR STRUCTURE AND ITS FORMING PROCESS - 特許庁 - リセス領域を埋め込む金属配線の形成方法
METHOD OF FORMING METAL WIRING FOR FILLING RECESSED AREA - 特許庁 - 積載装置（２４）は、リセス（６８）及びリセス内に配置されたセンサ（７２）を有するフィーダー（６６）を含む。
The loading device (24) includes a feeder (66) having a recess (68) and a sensor (72) arranged within the recess (68). - 特許庁 - 第１のリセスエッチング工程では、異方性エッチングを実施し、第２のリセスエッチング工程では、異方性のないエッチングを実施する。
In the first recess etching process, anisotropic etching is performed, and in the second recess etching process, etching free from anisotropy is performed. - 特許庁 - 絶縁性スペーサ膜２がリセス部１ａの真上に位置しないように孔２ａの壁面はリセス部１ａの外周側に位置している。
The wall surface of the hole 2a is located on the outer peripheral side of the recess 1a so that the insulating spacer film 2 is not located immediately above the recess 1a. - 特許庁 - また、オーミック電極２間には、リセス部を有するｎ型ＧａＡｓ層１があり、ゲートフィンガー４，５は、このリセス部に形成される。
Also, an n-type GaAs layer 1 with the recess part is provided between the ohmic electrodes 2, and the gate fingers 4 and 5 are formed in the recess part. - 特許庁 - 前記膨出部に前記リセスが形成されることにより、前記リセスの両サイドに平行な一対の膨出レール部が形成されている。
A pair of bulging rail parts in parallel with both sides of the recess are formed by the recess formed in the bulging part. - 特許庁 - リセス量の制御が容易で，かつリセス時にダメージを受けにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。
To provide a semiconductor device and its manufacturing method which is easy to control the amount of recess and is hardly damaged in recess forming. - 特許庁 - 次に，第２組のトレンチ内及びリセス内にポリシリコンを堆積させ，それにより，リセス導電性ゲートを形成する。
Next, polysilicon is deposited in the second pair of tranches and the recesses to form a recess conductive gate. - 特許庁 - リセス構造はゲート電極の上部に位置するようにすることができ、アクティブパターンはリセス構造を埋め立てるようにすることができる。
The recess structure can be disposed above the gate electrode and the active pattern can be disposed so as to fill the recess structure. - 特許庁 - 膜は、所定の濃度のひずみを引き起こす不純物でリセス側壁をラインし、より低い濃度の不純物でリセスの残りの部分を埋め込む。
Layers can also line recess sidewalls with one concentration of strain-inducing impurity and fill the remainder to the recess with a lower concentration of the impurity. - 特許庁 - 安定してノーマリオフ特性を有するリセスゲート型ＨＦＥＴを製造することができるリセスゲート型ＨＦＥＴの製造方法を提供する。
To manufacture the recess gate type HFET having stable normally off characteristic. - 特許庁 - 第２の面は複数のリセス４３１を有し、コンフォーメーション活性層４４が第２の面上で複数のリセス４３１内に形成される。
The second surface has a plurality of recesses 431, and the conformational active layer 44 is formed on the second surface and within the plurality of recesses 431. - 特許庁 - 例えば，リセス部の深さが０．１０μｍ，開口幅が０．４μｍであれば，Ａｌがリセス部Ｒの底面に蒸着されることはない。
If e.g. the depth of a recess is 0.10 μm and the opening width is 0.4 μm, Al is never deposited in the bottom of the recess R. - 特許庁 - レンズのリセス貼り加工における接着歪みを防止することができるリセス皿に対するレンズ貼り付け方法を提供する。
To provide a lens adhering method to a recessed tool capable of preventing adhesive distortion in recess adhered machining of a lens. - 特許庁 - リセス７の内部に選択的に酸化防止膜を形成する。
An oxidation-preventing film is selectively formed in the recesses 7. - 特許庁 - 昇降路磁石は、リセス（５．４）を介してガイドレールに設置可能である。
The elevator shaft magnet can be set to the guide rail through the recess 5.4. - 特許庁 - バルブ型リセスゲートを有する半導体素子の製造方法
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BULB TYPE RECESS GATE - 特許庁
- 特許庁
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