「晒す」を含む例文一覧(195)

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  • 洗い晒すこと
    the action of washing out cloth  - EDR日英対訳辞書
  • 白く晒すこと
    an act of bleaching  - EDR日英対訳辞書
  • 野に晒すこと
    leaving a thing out in the open  - EDR日英対訳辞書
  • 天日に木綿を晒す
    to bleach cotton cloth in the sun  - 斎藤和英大辞典
  • 日光と風雨に晒すこと
    exposure to the weather  - EDR日英対訳辞書
  • 布などを晒す場所
    a place where cloth is bleached  - EDR日英対訳辞書
  • 布を洗って日光に晒すこと
    the action of washing cloth and drying it in the sun  - EDR日英対訳辞書
  • 風雨に晒すことができる
    to be able to expose to the weather  - EDR日英対訳辞書
  • （下水道のように）何かを空気に晒す装置
    an apparatus for exposing something to the air (as sewage)  - 日本語WordNet
  • 染色した布を川水などに晒すこと
    the action of washing a dyed cloth in water in order to cause the cloth's color to lighten  - EDR日英対訳辞書
  • （ｂ）第１の絶縁膜を還元性雰囲気に晒す。
    (b) The first insulating film is exposed to a reducing atmosphere. - 特許庁
  • 下水を空気と微生物の活動に晒す砂または土の層
    layer of sand or gravel used to expose sewage effluent to air and the action of microorganisms  - 日本語WordNet
  • 第２の膜が形成された基板を、水素プラズマに晒す。
    The substrate with the second film formed thereon is exposed to a hydrogen plasma. - 特許庁
  • 変質は、電着物質を窒素含有プラズマに晒すことで行われる。
    The conversion is conducted by exposing the electrodeposited substance to a nitrogen-containing plasma. - 特許庁
  • （ｃ）工程ｂの後、第１の絶縁膜を窒化性雰囲気に晒す。
    (c) The first insulating film is exposed to a nitrogenous atmosphere after a process (b). - 特許庁
  • X サーバは大きく複雑なプログラムであり、これは明らかにセキュリティを危険に晒す要因となります。
    This is obviously a security hazard because X servers are large, complicated programs.  - FreeBSD
  • 液体は紫外線(UV)硬化ゲルであり、硬化はUV液体をUV光線に晒すことで行われる。
    The liquid is ultraviolet (UV) curable glue and curing is exposure of the UV liquid to UV light. - 特許庁
  • 次に、上記配線パターンを水素原子の含まれるガスプラズマに晒す（処理Ｓ６）。
    Next, the wiring pattern is exposed to gas plasmas containing hydrogen atoms (treatment S6). - 特許庁
  • このアンモニア処理の方法としては、アンモニアガス雰囲気中に晒す方法が有効である。
    As a method of this ammonia treatment, a method of exposure to an ammonia gas atmosphere is effective. - 特許庁
  • その後、Ｈ_2 を含むガスを供給し、アンドープＩｎＧａＮ層４をＨ__2 を含むガスに晒す。
    After that, H2-containing gas is fed to the layer 4 and the layer 4 is exposed to the H2-containing gas. - 特許庁
  • その後、この表面をフッ酸に晒す(d)ことにより酸化膜１６を除去する(e)。
    Thereafter, the oxidized film 16 is removed (e) by exposing the surface to hydrofluoric acid (d). - 特許庁
  • Ｘ線システム２０内の流体３６を触媒有効量の触媒に晒す。
    Fluid 36 in an X-ray system 20 is exposed to catalyst in catalytically effective quantity. - 特許庁
  • イニシエータを、静電エネルギーに晒すのを最小限に抑え、イニシエータを設計通りに動作させる。
    To operate an initiator as designed by minimizing exposure of the initiator to electrostatic energy. - 特許庁
  • この孔を大気に晒すことなく、半導体基板を１５０℃以上２５０℃未満の範囲の温度に加熱する。
    The semiconductor substrate is heated to a temperature range of ≥ 150°C and < 250°C without exposing the hole to atmosphere. - 特許庁
  • 本発明は、ポリシリコンをプラズマエッチング剤に晒す多くの装置で実行することが出来る。
    The method may be practiced in any of a number of apparatuses adapted to expose polysilicon to a plasma etchant. - 特許庁
  • さらに、この孔を大気に晒すことなく、この孔の底に導電膜を形成する。
    Then a conductive film is formed on the bottom of the hole without exposing the hole to atmosphere. - 特許庁
  • アンモニアガス雰囲気中に晒す場合には、密閉された容器内で無機配向膜が形成された基板をアンモニアガス雰囲気中に晒す方法が有効であり、室温条件下で１分〜６０分で効果がある。
    When the SiO_2 films are exposed to the ammonia gas atmosphere, a method of exposing substrates having the inorganic alignment films formed thereon, to the ammonia gas atmosphere in a closed vessel is effective, and exposure for 1 to 60 minutes under a room-temperature condition is effective. - 特許庁
  • 化学機械研磨工程で露出された表面を、アミンまたはアンモニアを含有する前処理液に晒す。
    The surface exposed by the chemical and mechanical polishing process is dipped into a preprocessing solution containing amine or ammonia. - 特許庁
  • 伝導性材料を改質する工程は、伝導性材料の一部を、窒素を含むガスを含むプラズマに晒す工程を含む。
    The process for reforming the conductive material includes a process wherein part of the conductive material is exposed to plasma including gases such as nitrogen gas. - 特許庁
  • ４００℃の温度で水素ラジカル１４を含むプラズマを発生させ、このプラズマ中に窒化膜１２を晒す。
    Plasma containing hydrogen radicals 14 is generated at 400°C and the nitride film 12 is exposed thereto. - 特許庁
  • 塩基性イオン濃度が所定範囲内に管理された第１ブース３０の内部で、基板１０をその雰囲気に晒す（図１（Ｂ））。
    The substrate 10 is exposed to an atmosphere having a concentration of basic ions controlled to be in a prescribed range in a first booth 30 (figure 1 (B)). - 特許庁
  • 塩基性イオン濃度が所定範囲内に管理された第２ブース３４の内部で、基板１０をその雰囲気に晒す（図１（Ｄ））。
    The substrate 10 is exposed to an atmosphere, having a concentration of basic ions controlled to a prescribed range in a second booth 34 (figure 1 (D)). - 特許庁
  • この状態でフッ化ハロゲンを含むガス中に晒すことにより剥離層が除去され素子形成基板が剥離される。
    By exposing in the gas including a halogen fluoride in this state, the release layer is removed and the element formation substrate is peeled. - 特許庁
  • この打込みに続き、極めて限られた熱収支に上記構造を晒すことでドーパントが顕著に拡散しないようにする。
    Following the implantation, the structure is exposed to a very limited thermal budget so that the dopant does not diffuse significantly. - 特許庁
  • 熟成工程に先立って、予備発泡された原料ビーズを４０乃至７０℃に加熱された温風に晒す予備乾燥工程を含む。
    The foaming method further includes a preliminary drying process of exposing the preliminarily foamed raw material beads to a warm wind heated to 40 to 70°C before the aging process. - 特許庁
  • 次に、このドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、不活性ガスプラズマに晒す。
    Then, the metal wiring is exposed to an inert gas plasma in the same processing apparatus in which a vacuum state in this dry etching step is maintained. - 特許庁
  • この窓領域１１５は前端面１１３および後端面１１４をそれぞれフッ化炭素（ＣＦ_4 ）プラズマに晒すことで形成される。
    The window region 115 is formed by exposing the front end face 113 and the rear end face 114 to a fluorocarbon (CF_4) plasma, respectively. - 特許庁
  • マイクロカプセルは２００℃以上の温度で熱分解または溶解し、脱酸素剤を雰囲気に晒すものとする。
    The microcapsule makes the deoxidizer expose to atmosphere in such a way that it is pyrolyzed or dissolved at a temperature of ≥200 °C. - 特許庁
  • これにより高温の排気ガスを触媒１８７に晒すことができ、触媒１８７の暖機性能を向上させることができる。
    Consequently, the catalyst 187 is exposed to high temperature exhaust gas, and warming up performance of the catalyst 187 is improved. - 特許庁
  • 検出素子６の基準電極を大気に晒すため酸素センサ１内にガスを導入する際に、ガスはセパレータ１００内を流通する。
    When a gas is introduced in an oxygen sensor 1 in order for a reference electrode of a detecting element 6 to be exposed to the atmosphere, the gas flows through inside of a separator 100. - 特許庁
  • メンテナンス性が良好で、かつ、検出ユニットを必要以上に高温に晒すことなく、長期間に渡って筐体内を低湿に保つ。
    To keep an inside of a case at low temperature for a long time in appropriate maintainability and without exposing a detection unit at high temperature more than required. - 特許庁
  • 撮像中でもリング照明を加工屑を含んだ外部雰囲気に晒すことのない撮像装置を提供することである。
    To provide an image pickup apparatus capable of preventing any ring illumination from being exposed to the outer atmosphere containing machining chips even during the image pickup. - 特許庁
  • 本方法及び装置は、温度プロファイルへ物質を晒すことによって生成される温度反応を表わす信号（４００）を測定・評価する。
    A signal (400) for indicating a temperature reaction generated by exposing the substance to the temperature profile is measured and evaluated. - 特許庁
  • このように外筒３の内部に導入される大気に、検出素子の基準電極を晒すことができる。
    A reference electrode of a detection element can be exposed to the atmosphere introduced to the inside of the outer cylinder 3. - 特許庁
  • 仕上げ機は、衣類を蒸気に晒す蒸気室と衣類に熱風を吹きかける乾燥仕上室３とを有する。
    This finishing machine has a steam chamber in which clothes are exposed to steam and a drying and finishing chamber 3 in which hot wind is blown to clothes. - 特許庁
  • 振動板17のヘッド本体部15側の面に、振動板17の変位部24を圧力室11に晒す窓部25が設けられた中間層22を形成する。
    An intermediate layer 22 having an window 25 for exposing the displacing part 24 of a diaphragm 17 is formed on the surface of the diaphragm 17 on the head body section 15 side. - 特許庁
  • ＭＥＭＳデバイス及びＩＣを高温及び高電圧に晒すことなくウェハをボンディングする方法を提供する。
    To provide a wafer bonding method without exposing a MEMS (Micro-electromechanical systems) device and an IC to high temperature and high voltage. - 特許庁
  • 内部にあるフィルムを望ましくない露光に晒すことなく、フィルムカートリッジを取り外して交換することができるカメラを提供する。
    To provide a camera which enables a film cartridge to be unloaded and replaced without exposing its internal film to undesired light. - 特許庁
  • 弁体を熱的影響に晒すことなくインク貯蔵容器に組み込み、弁体の空気流量制御機能を確保する。
    To ensure a function of controlling an air flow by assembling a valve in an ink storage container without exposing a valve disc to thermal affection. - 特許庁
  • メンテナンス時等にトラップ機構の内部を大気に晒すことをなくすことができる処理装置の排気システムを提供する。
    To provide an exhaust system for a processor which can obviate need for exposing the inside of a rap mechanism to air at maintenance or the like. - 特許庁
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