「浅堆」を含む例文一覧(9)

  • 大陸緑辺の浅海に堆積し生成した地層
    a layer of earth that has accumulated in shallow waters near a continent  - EDR日英対訳辞書
  • 上層水の影響を受けにくく、水深の浅い場所でも設置可能であり、堆砂等の流入も防止できる取水口を提供する。
    To provide an intake hardly affected by upper water, capable of being installed even in a site of the shallow depth of water, and capable of preventing sedimented sand or the like from flowing in. - 特許庁
  • 中央の大和堆（水深約400m）を挟んで主に3つの深い海盆があり北に日本海盆（水深およそ3,000m）、南西にやや浅い大和海盆、南東に対馬海盆（ともに水深およそ2500m）と呼ばれている。
    Surrounding the Yamato Bank (approximately 400 meters in water depth), there are 3 major deep basins: the Japan Basin (approximately 3,000 meters in water depth) on the north, the Yamato Basin on the southwest and the Tsushima Basin on the southeast (approximately 2,500 meters in water depth, respectively).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • 現場で発生した伐採木をチップ化した伐採木チップを、一定期間にわたり堆積して発酵させ、軟弱土の浅層混合処理に使用するセメント等の地盤固化材に対して所定割合で混合する。
    Trimmed wood chips obtained by chipping thinnings generated at the job site are accumulated and fermented over a specific period, and are mixed at a prescribed rate with a ground hardener such as cement used for shallow layer mixing treatment of soft earth. - 特許庁
  • サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。
    To provide a method and an apparatus for evenly depositing silicon oxide layer having a low permittivity used for a gap filling layer in a sub- micron element, a premetal dielectric layer, an intermetal dielectric layer, shallow trench separating dielectric layer and the like. - 特許庁
  • この積層膜パターン５をマスクとしてドライエッチングすることにより、浅い凹陥部(第１のトレンチ)６ａを形成すると共に前記第１のシリコン酸化膜２の側壁に、フロロカーボン系の第１の堆積付着物７を付着させる。
    By dry etching using this laminated layer pattern 5 as a mask, a shallow recess (a first trench) 6a is formed and a first fluorocarbon-based deposit 7 is adhered to the side wall of the first silicon oxide film 2. - 特許庁
  • サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。
    To provide a method and an apparatus for uniformly depositing a silicon oxide layer having a low dielectric constant for use as a gap fill layer, a pre-metal dielectric layer, an inter-metal dielectric layer, a shallow trench isolation dielectric layer, etc., in sub-micron devices. - 特許庁
  • 微細化のために浅く形成されたソース、ドレインはその後の工程で絶縁膜のエッチング、メタル配線の堆積、熱アニールが行われ、ソース、ドレイン領域に上部からダメージが加えられ、ソース、ドレインが機能不具合となる課題が生じる。
    To provide the manufacturing method of a semiconductor device having a large margin in a manufacturing process, especially a contact etching process, by forming a high-quality semiconductor device without adding any mask processes. - 特許庁
  • 1892年（明治25年）、もともと港湾部が浅かった上に土砂の堆積が重なって大型船の接岸が不可能になっていた函館港の改修についての要望書『函館港湾浚渫修築并ニ船渠設置意見上申書』の提出を受け、港内の浚渫や砂防堤・防波堤・灯台の設置、埋立てによる埠頭の建設などの改良工事を指示した。
    The harbor of Hakodate Port, which had been shallow since long before, had deposition of sediments so that it became impossible for large vessels to reach the shore; in 1892, in response to the submission of "Proposal for dredging and repairs of Hakodate Harbor and construction of a dock," a request for repairs of Hakodate Harbor, Kitagaki directed dredging work of the harbor and construction of sand control dyke, breakwater and lighthouse as well as improvement works including construction of a wharf by reclaiming land from the sea.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

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