「禁制帯」を含む例文一覧(83)
1 2 次へ＞- 第２半導体層４は、第１半導体層３の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。
The second semiconductor layer 4 has a forbidden band width equal to or larger than the forbidden band width of the first semiconductor layer 3. - 特許庁 - ｎ−逆導電帯層９の禁制帯幅は、発光層８の禁制帯幅に比べて大きくかつｐ−クラッド層１０の禁制帯幅に比べて小さい。
A forbidden band width of the n-reverse conductivity layer 9 is larger than that of the luminous layer 8 and is smaller than that of the p-clad layer 10. - 特許庁 - ベース層１０ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅は、コレクタ層６ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅より狭い。
The forbidden gap of the compound semiconductor constituting the base layer 10a is narrower than that of the compound semiconductor constituting the collector layer 6a. - 特許庁 - エミッタ層２６は、第１の半導体材料の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する第２の半導体を含む。
The emitter layer 26 includes a second semiconductor having a larger forbidden band width than that of the first semiconductor. - 特許庁 - ベース層１０ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅は、エミッタ層１２ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅より狭い。
The forbidden gap of the compound semiconductor constituting the base layer 10a is narrower than that of the compound semiconductor constituting the emitter layer 12a. - 特許庁 - また、ソース層３０が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。
A source layer 30 is formed of semiconductor material whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region. - 特許庁 - ゲート層２８が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。
The gate layer 28 is formed of semiconductor material, whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region. - 特許庁 - 本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層１０６よりバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅が大きく、またクラッド層１０４、１０８の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅より大きくなるように構成する。
The semiconductor laser is constituted, in such a way that due to the composition of a semiconductor layer, forbidden band gap widths of buffer layers 105 and 107 are larger than those of an active layer 106, and the forbidden gap widths of clad layers 104 and 108 are larger than those of buffer layers 105 and 107 that contact each of them. - 特許庁 - ２波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法及びその装置
METHOD FOR MEASURING LEVEL IN FORBIDDEN BAND BY TWO- WAVELENGTH EXCITATION PHOTO-LUMINESCENCE AND DEVICE THEREFOR - 特許庁 - 広禁制帯幅半導体基板１からなる電子放出層を備える第１放電電極である。
The first discharge electrode is equipped with an electron emission layer made of a wide forbidden band-width semiconductor substrate 1. - 特許庁 - 広禁制帯幅半導体層１ａの表面には、コンタクト膜２３ａ，２４ａが形成されている。
Contact films 23a, 24a are formed on the surface of the wide forbidden band semiconductor layers 1a. - 特許庁 - 熱励起を加えたフォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法およびその測定装置
METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING LEVEL IN FORBIDDEN BAND BY PHOTOLUMINESCENCE WITH ADDED THERMAL EXCITATION - 特許庁 - 本発明の光触媒は、二酸化チタンと、該二酸化チタンの禁制帯幅よりも狭い禁制帯幅を有する第２の半導体材料とを含有し、該二酸化チタンと該第２の半導体材料とが接触していることを特徴とする。
The photocatalyst contains titanium dioxide and a second semiconductor material having a forbidden band width narrower than that of the titanium dioxide, and in the photocatalyst, the titanium dioxide and the second semiconductor material are brought into contact with each other. - 特許庁 - 窒化物半導体層７は、ゲート電極３と活性層５との間に設けられており、第１の禁制帯幅より大きな第２の禁制帯幅を有するIII族窒化物半導体からなる。
A nitride semiconductor layer 7 is provided between a gate electrode 3 and the active layer 5, and is composed of a III group nitride semiconductor with a second forbidden band width which is larger than the first forbidden band width. - 特許庁 - ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、両者のエネルギバンドがフラットになるフラットバンド電圧を印加した状態で、ｎ型半導体層の禁制帯とｐ型半導体層の禁制帯とが部分的に重なる。
While a flat band voltage for flattening both energy bands is applied between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor, the forbidden band of the n-type semiconductor layer and forbidden band of the p-type semiconductor layer are partially overlapped. - 特許庁 - ZnOSSe半導体は、酸素とセレンと硫黄の組成比を変化させると、禁制帯幅湾曲係数が大きいことから、少ない格子定数変化で大きく禁制帯幅が変化できる。
It is possible to largely change the bandgap width with a small change in the lattice constant because the forbidden bandgap width bowing parameter of a ZnOSSe semiconductor is large, when the compositional ratio of oxygen, selenium, and oxygen in the ZnOSSe semiconductor is changed. - 特許庁 - 禁制帯幅の大きい内側の量子井戸層５ａから生じた光が、禁制帯幅の小さい最も外側の量子井戸層５ｂ，５ｃに入射して吸収され、誘導放出効果を高めることができる。
Light stimulated from the inner quantum well layer 5a with the greater forbidden band width is made incident on the outermost quantum well layers 5b, 5c with the smaller forbidden band width and absorbed in them so that the stimulated emission effect can be improved. - 特許庁 - 第４半導体層６は、第３半導体層５の上において一部に隙間を有して設けられ、第２半導体層４の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。
The fourth semiconductor layer 6 is provided so as to have a gap in a portion thereof on the third semiconductor layer 5, and has a forbidden band width equal to or larger than the forbidden band width of the second semiconductor layer 4. - 特許庁 - スラブ状の本体２１に複数の禁制帯領域２１１、２１２を設け、空孔２２１、２２２を禁制帯領域毎に異なる周期及び大きさで配置する。
A slab-like body 21 is provided with a plurality of forbidden band areas 211, 212 and holes 221, 222 are arranged at a different period and a different size in each forbidden band area. - 特許庁 - 第１の半導体層１４と第２の半導体層１３の結晶構造が異なり、第１の半導体層１４の禁制帯幅Ｅｇ_1と第２の半導体層１３の禁制帯幅Ｅｇ_2とが、Ｅｇ_1＜Ｅｇ_2の関係を満たす。
The first semiconductor layer 14 has a crystal structure that is different from that of the second semiconductor layer 13, and the forbidden band width Eg_1 of the first semiconductor layer 14 and the forbidden band width Eg_2 of the second semiconductor layer 13 satisfy the relation Eg_1<Eg_2. - 特許庁 - 禁制帯領域２１２内の幹導波路２４の透過波長帯には含まれず禁制帯領域２１１内の幹導波路２４の透過波長帯には含まれる合分波波長帯域内の光は、境界２３において反射され、それにより幹導波路２４から枝導波路２５に分波される。
Light in a multiplexed/demultiplexed wavelength band which is not included in a transmitting wavelength band of the trunk waveguide 24 in the forbidden band area 212 and is included in a transmitting wavelength band of the trunk waveguide 24 in the forbidden band area 211 is reflected on the boundary 23 and demultiplexed from the trunk waveguide 24 to the branch waveguide 25. - 特許庁 - 回折格子は光学的禁制帯から離れた波長でＧＶＤを生じ、空胴内分散のＧＶＤ補償及び制御であるよう構成される。
The diffraction grating 11 generates GVD(group velocity dispersion) with a wavelength detached from an optical forbidden band and GVD compensation and control of dispersion in the hollow are executed. - 特許庁 - 回折格子は伝送モードで動作し、光学的禁制帯内の反射がレーザ条件に著しい影響を与えないように構成される。
The diffraction grating 11 operates at a transmission mode and reflection in the optical forbidden band is constituted so that it does not affect a laser condition. - 特許庁 - 端面窓部１６は、レーザ光のフォトンエネルギよりも禁制帯幅が大きい非晶質の材料からなる。
The end-face window 16 is made of an amorphous material with larger inhibited band width than photon energy of laser light. - 特許庁 - Ｓｉ基板と格子整合を保ちつつ、禁制帯幅を紫外から赤外まで変化させることのできる半導体光素子を提供する。
To provide a semiconductor optical element in which a forbidden bandwidth is changed from ultraviolet to infrared while keeping the grating matching with an Si substrate. - 特許庁 - 半導体装置１では、活性層５は、第１の禁制帯幅を有する第１のIII族窒化物半導体から成る。
In the semiconductor device 1, an active layer 5 is formed of a first III group nitride semiconductor with a first forbidden band width. - 特許庁 - 放電電極は、絶縁性基板７ａ、絶縁性基板７ａの上の広禁制帯幅半導体層１ａを備える。
The discharge electrodes are provided with insulating substrates 7a, and wide forbidden band semiconductor layers 1a on the insulating substrates 7a. - 特許庁 - 薄膜型電子源の上部電極の材料として、Ｓｉよりも大きな禁制帯幅を有し、かつ導電性を有する材料を用いる。
As a material of an upper electrode of this thin film type electron source, a material having a forbidden band width larger than Si, and having electroconductivity is used. - 特許庁 - 半導体層の電子親和力、禁制帯幅および材料を好適に組み合わせることによって、変換効率が高い太陽電池を提供する。
To provide the solar cell which has high conversion efficiency by properly combining the electron affinity, forbidden band width, and material of a semiconductor layer. - 特許庁 - 窓層として機能する半導体層中の欠陥が少なく、窓層の禁制帯幅を自由に変えることができる太陽電池を提供する。
To provide a solar battery capable of reducing any defect in a semiconductor layer functioning as a window layer, and freely changing the forbidden band width of the window layer. - 特許庁 - コンタクト膜２３ａ，２４ａを介して、ステムリード２１ａ，２２ａが広禁制帯幅半導体層１ａに接続される。
Stem reeds 21a, 22a are connected to the wide forbidden band semiconductor layers 1a via the contact films 23a, 24a. - 特許庁 - 特に、ＳｎＯ_２やＩＴＯ膜などの導電性酸化物、ＧａＮやＳｉＣなどの広禁制帯幅半導体を用いる。
Especially, an electroconductive oxide such as an SnO_2 or ITO film, or a wide forbidden band width semiconductor such as GaN or SiC is used. - 特許庁 - 高電界時には広禁制帯幅の第１のチャネルが主となるため、アバランシェ電圧が高くなり、耐圧を向上することが可能となる。
Since the first channel of a wide forbidden band at time of high electric field becomes the main, an avalanche voltage becomes high, and breakdown strength can be enhanced. - 特許庁 - 半導体保護層１０は、第１及び第３の半導体の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する半導体から構成されており、コレクタ層２０、ベース層２２およびエミッタ層２６の表面を覆うように設けられている。
The semiconductor protection layer 10 is composed of a semiconductor, having a forbidden band width larger than those of the first and third semiconductors, and is arranged so as to cover the surfaces of the collector layer 20, the base layer 22, and the emitter layer 26. - 特許庁 - 温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。
The light emitting deice includes an active layer provided with a quantum dot formed of a first material whose forbidden band width becomes wider with temperature rise, and a barrier layer formed of a second material whose forbidden band width becomes narrower with temperature rise and having the quantum dot embedded therein. - 特許庁 - スペーサ層２の禁制帯幅が単結晶基板１の禁制帯幅よりも小さいので、エピタキシャル成長層３における結晶欠陥やクラックの発生を抑制しつつ、スペーサ層２を分解又は融解させて、薄い半導体層を基板から分離することができる。
Since the width of a forbidden band of the spacer layer 2 is smaller than that of the single crystal substrate 1, it is possible to dissolve or melt the spacer layer 2 and to separate the thin semiconductor layer from the substrate while suppressing the generation of crystal defects or cracks in the epitaxial growth layer 3. - 特許庁 - 前記第１の半導体層の電子親和力χ１（ｅＶ）、前記第１の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ１（ｅＶ）、前記第２の半導体層の電子親和力χ２（ｅＶ）、及び前記第２の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ２が、下記式（１）に示す関係を満たす。
The electron affinity χ1(eV) of the first semiconductor layer, the prohibition band width Eg1(eV) of the first semiconductor layer, the electron affinity χ2(eV) of the second semiconductor layer and the prohibition band width Eg2 of the second semiconductor layer satisfy the following equation (1). - 特許庁 - 活性層１４は、所定の領域の周縁部に形成された異常成長部１４ａと、異常成長部１４ａの周囲に形成され、異常成長部１４ａを除く活性層１４の他の部分と比べて禁制帯幅が大きい禁制帯幅増大部１４ｂとを有している。
The active layer 14 includes an abnormal growth portion 14a formed at a peripheral edge of the predetermined region and a forbidden bandwidth increase portion 14b formed at a periphery of the abnormal growth portion 14a and having a larger forbidden bandwidth than other parts of the active layer 14 except the abnormal growth portion 14a. - 特許庁 - p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。
A photovoltaic cell structure, wherein a p-type light absorption layer has a localized level or an intermediate band in the forbidden band is obtained, by forming a p-n heterojunction that is laminated of an n-type semiconductor, having the forbidden band width larger than that of the light-absorbing layer on the light-incident side thereof. - 特許庁 - 光導出入部３６から導波路を伝播し所定の点状欠陥から分波される所定周波数５２の光のうち、その点状欠陥を通過した光は、その周波数が隣接する禁制帯領域の導波路透過帯域５１に含まれないため、禁制帯領域境界３５１，３５２において反射され、所定の点状欠陥に導入される。
The light passing the dot defects out of the light of the prescribed frequencies propagated through the waveguide from a light leading out/in section 36 and demultiplexed from the prescribed dot defects is not included in the waveguide transmission band 51 of the forbidden band region to which the frequency adjoins and is therefore reflected in the boundaries 351 and 352 of the forbidden band regions and is introduced into the prescribed dot defects. - 特許庁 - 第１及び第２のフォトニック結晶光導波路を形成するフォトニック結晶材料２、４は、使用する光信号の周波数帯を禁制帯とするようなフォトニック結晶からなる。
The photonic crystal materials 2, 4 for forming the first and second photonic crystal optical waveguides are composed of such photonic crystals that set, as a forbidden band, the frequency band of the optical signal to use. - 特許庁 - 第１半導体層と第２半導体層とを有する半導体発光素子１００の内部量子効率を測定する方法であって、光源制御部６０１は、前記第１半導体層の禁制帯幅と前記第２半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光１０８を放出する励起光源６０２を設定する。
This concerns a method for measuring internal quantum efficiency of a semiconductor LED 100 having a primary and a secondary semiconductor layer, wherein a light source controller 601 sets a light source for optical pumping 602 that emits an exciting light 108 with a wavelength equivalent to a kinetic energy between forbidden band widths of the primary and secondary semiconductor layers. - 特許庁 - ＥＳＤ保護部１１４は、第１導電型の不純物を含有する第１及び第２の半導体層１０９、１１３と、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の間に形成され、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の禁制帯幅よりも禁制帯幅が広く、かつ、不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下である第３の半導体層１１１と、を備える。
The ESD protector 114 includes first and second semiconductor layers 109 and 113 containing an impurity of a first conductivity type, and a third semiconductor layer 111 formed between the first and second semiconductor layers 109 and 113, and having a wider forbidden band width than the first and second semiconductor layers 109 and 113 and an impurity concentration of ≤1×10^17 cm^-3. - 特許庁 - ｐｎ接合を有する禁制帯の異なる各半導体層が絶縁膜を介して積層される複数の半導体層（第一の半導体層１、第二の半導体層３、第三の半導体層５）は、出力先の昇圧型電源装置の昇圧回路を起動可能な光起電圧を出力する広禁制帯幅の半導体層である起動可能半導体層（第三の半導体層５）を有する。
A plurality of semiconductor layers (a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 3, a third semiconductor layer 5) where each semiconductor layer of different forbidden band with a pn junction have an activatable semiconductor layer (the third semiconductor layer 5) which is a semiconductor layer of wide forbidden band width outputting a photovoltaic voltage that can activate the boost circuit in a boost type power supply device at the output destination. - 特許庁 - 第１の窒化物半導体層３上には第１の窒化物半導体層３よりも禁制帯幅が広い第２の窒化物半導体層４が形成されている。
A second nitride semiconductor layer 4 having a forbidden bandwidth wider than that of the first nitride semiconductor layer 3 is formed on the first nitride semiconductor layer 3. - 特許庁 - 本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が３．４５ｅＶ以上であるような酸化モリブデンが用いられる。
A high-purity molybdenum oxide having a forbidden band width of ≥3.45 eV is used for an electron running area provided in an electronic device, such as the diode, transistor, etc. - 特許庁 - 禁制帯幅が１．４ｅＶ程度と大きく、しかも安価な材料によるアルカリ土類金属を用いた混晶半導体薄膜の製造方法及び装置を提供する。
To provide a manufacturing method and equipment of a mixed crystal semiconductor thin film using alkaline earth metal which has a large forbidden band width of about 1.4 eV and is made of cheap materials. - 特許庁 - 大きな禁制帯幅をもつ金属酸化物半導体層を、既存の金属および半導体基板や半導体材料層上に、低温で形成する方法およびその方法によって作製される半導体材料層を提供する。
To provide a method of forming a metal oxide semiconductor layer having a large forbidden band width on an existing metal and a semiconductor substrate or a semiconductor material layer at low temperatures, and to provide a semiconductor material layer manufactured by the method. - 特許庁 - このp型ワイドギャップ半導体は、第１半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第２半導体により正孔が注入されることにより、１個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。
The p-type wide gap semiconductor has the wide gap near the forbidden band width of the first semiconductor, and also functions as a p-type wide gap semiconductor through injection of holes due to the second semiconductor. - 特許庁 - 電界効果トランジスタは、電子の流れるチャネル層がチャネル層よりも禁制帯幅の大きな下地層と電子供給層に挟まれた形で形成される、いわゆるダブルヘテロ構造を有している。
The field-effect transistor has a double heterostructure where a channel layer is formed in which electrons flow is sandwiched between an underground layer of forbidden band bigger than that of the channel layer and an electron donor layer. - 特許庁
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