「静電誘導トランジスタ」を含む例文一覧(41)
- 静電誘導トランジスタ
ELECTROSTATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - 静電誘導トランジスタ
STATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - 静電誘導型トランジスタ
ELECTROSTATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - 静電誘導型トランジスタ
STATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - 炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法
SILICON CARBIDE ELECTROSTATIC INDUCTION TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁 - シリコンカーバイド静電誘導トランジスタ
SILICON CARBIDE STATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - 静電誘導型トランジスタおよびその製造方法
ELECTROSTATIC INDUCTION-TYPE TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁 - 静電誘導型トランジスタ、およびその製造方法
ELECTROSTATIC-INDUCTIVE TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁 - 静電誘導トランジスタによるオーディオ電力増幅回路
AUDIO POWER AMPLIFIER CIRCUIT BY STATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - 油漬け静電誘導による高性能トランジスター及び半導体
HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR BY OIL SOAKED ELECTROSTATIC INDUCTION - 特許庁 - 炭化ケイ素静電誘導トランジスタの制御装置及び制御方法
CONTROLLER AND CONTROL METHOD FOR SILICON CARBIDE STATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - トランジスタの高速化、低消費電力化を実現する油漬け静電誘導による高性能トランジスター及び半導体を提供する。
To provide a high performance transistor and semiconductor by oil soaked electrostatic induction which improve transistor in speed and electric power in consumption. - 特許庁 - トランジスタの逆モード動作の特性改善が可能な超接合静電誘導型トランジスタを有する電力用半導体装置を提供する。
To provide a semiconductor device for electric power having a superjunction electrostatic induction type transistor capable of improving a characteristic of inverse mode operation of the transistor. - 特許庁 - 静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプの電源立上げタイミング制限回路
POWER-ON TIMING LIMITING CIRCUIT OF POWER AMPLIFIER USING STATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - 静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路のバイアス電流設定回路
BIAS CURRENT SETTING CIRCUIT OF POWER AMPLIFIER CIRCUIT USING STATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - 静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路
OVERCURRENT LIMITING CIRCUIT OF POWER AMPLIFIER CIRCUIT USING STATIC INDUCTION TRANSISTOR - 特許庁 - 同一導電型静電誘導トランジスタを用いたプッシュプルパワーアンプ回路
PUSH-PULL POWER AMPLIFIER CIRCUIT USING STATIC INDUCTION TRANSISTOR OF THE SAME CONDUCTIVE TYPE - 特許庁 - 平面型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法
PLANAR SHORT CHANNEL INSULATED GATE ELECTROSTATIC INDUCTION TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁 - 縦型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法
VERTICAL SHORT-CHANNEL INSULATED GATE ELECTROSTATIC INDUCTION TRANSISTOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁 - 高いゲート・ソース間耐圧を有する静電誘導トランジスタを提供する。
To provide a static induction transistor having a high gate-source breakdown voltage. - 特許庁 - 誘導電動機の電源＋測に静電誘導トランジスタ、サイリスタを設けたサイリスタ誘導電動機を提供する。
To provide a thyristor induction motor having an static-induction transistor and a thyristor at the positive terminal of an induction motor. - 特許庁 - スイッチング用パワートランジスタ１がＯＮ時は、整流用トランジスタ７はＯＦＦし、スイッチング用パワートランジスタ１がＯＦＦ時は、整流用トランジスタ７のドレイン・ゲート間を短絡し、順バイアスモードのダイオードとして使用し、スイッチング用パワートランジスタ１がＯＮ時は、整流用トランジスタ７はＯＦＦし、スイッチング用パワートランジスタ１がＯＦＦ時は、整流用トランジスタ７のドレイン・ゲート間を短絡し、順バイアスモードのダイオードとして使用し、スイッチング用パワートランジスタ１のスイッチングと静電誘導型トランジスタのスイッチングとを同期整流とした昇圧チョッパー回路とする。
When switching power transistor 1 is on, a rectifying transistor 7 is off while the switching power transistor 1 is off, the rectifying transistor 7 is shorted between a drain and a gate to be used as a diode in forward bias mode, thus switching the switching power transistor 1 and switching of an electrostatic induction transistor are in synchronous rectification. - 特許庁 - 半導体装置１００は、静電誘導トランジスタ３２と、静電誘導トランジスタ３２の第１の面上に設けられた静電容量３０とを具備する。
The semiconductor device 100 is equipped with an electrostatic induction transistor 32, and an electrostatic capacitor 30 provided on the first surface of the electrostatic induction transistor 32. - 特許庁 - 接合型電界効果トランジスタの一種で、チャンネル部の不純物を減らし、電流−電圧特性が飽和状態を示さないよう工夫した静電誘導トランジスタ。
The static-induction transistor is a kind of junction-type field-effect transistor which is developed to reduce impurities in a channel, and ensures current-voltage characteristics free from saturated condition. - 特許庁 - 静電誘導トランジスタ３２は、トレンチゲートを備えた縦型のＭＯＳ構造であり、静電容量３０は静電誘導トランジスタ３２の面上に形成され、ソース領域上に容量絶縁膜を形成し、ソース電極、ドレイン電極間に接続される。
The electrostatic induction transistor 32 is of a vertical MOS structure equipped with a trench gate, the electrostatic capacitor 30 is formed on the surface of the electrostatic induction transistor 32, and a capacitance insulating film is formed on a source region and connected between a source electrode and a drain electrode. - 特許庁 - 本発明が解決しようとする課題は、パワーアンプ、特に静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプの最終段のトランジスタに流れる電流を制限した回路を提供することである。
To provide a circuit limiting current flowing to the transistor of the final stage of a power amplifier audio especially using a static induction transistor for the final stage. - 特許庁 - そして、エレクトレット部材９のｐチャネルトランジスタ４に対する相対的な位置により、静電誘導を用いてｐチャネルトランジスタ４のオン状態およびオフ状態を制御する。
The on-state and off-state of the p-channel transistor 4 is controlled, by using electrostatic induction by the relative position of the electret member 9 with respect to the p-channel transistor 4. - 特許庁 - このように、静電誘導トランジスタおよびバイポーラ接合トランジスタのゲート領域およびベース領域が、セルフアラインプロセスで形成可能である。
In this manner, gate and base regions of static induction transistors and bipolar junction transistors can be formed in a self-aligned process. - 特許庁 - 比較的高速な動作が可能で、駆動電圧を比較的低くできる静電誘導型トランジスタを提供することである。
To provide an electrostatic-inductive transistor which can operate at a relatively high speed and can lower a driving voltage relatively. - 特許庁 - オン／オフ比を比較的大きく、かつドレイン電流を比較的大きくできる静電誘導トランジスタである。
To provide a static induction transistor that can make the on/off ratio relatively large, and in addition, the drain current relatively large. - 特許庁 - チップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタ及びこれを用いたオーディオ用パワーアンプ回路
DUAL STATIC INDUCTION TRANSISTOR IN ADJACENT ARRANGEMENT WITHIN CHIP AND POWER AMPLIFIER CIRCUIT FOR AUDIO USING THE SAME - 特許庁 - チャネル幅の微細な制御が可能となる、新規な構造の炭化珪素静電誘導トランジスタ、ならびにその製造方法を提供する。
To provide a silicon carbide electrostatic induction transistor of new structure whose channel width can be controlled microscopically, and to provide a manufacturing method of the transistor. - 特許庁 - 解決しようとする課題は、静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプにおいて、スピーカをドライブするチョークコイルを不要とし、且つ、出力用静電誘導トランジスタの特性選別も容易になり、正負のバランスのよいアンプを提供することである。
To provide an amplifier that dispenses with a choke coil driving a speaker, facilitates the selection of characteristics of a static induction transistor for output, and improves negative/positive balance in a power amplifier for audio using a static induction transistor for the final stage. - 特許庁 - 本発明の課題は、パワーアンプ、特に静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプの最終段のトランジスタに流れる無信号時の電流（アイドリング電流）の電源電圧変動依存性を抑制するバイアス回路を提供することである。
To provide a bias circuit suppressing the supply voltage variation dependence of current (idling current) in the absence of signals that flows to the transistor of the final stage of a power amplifier for audio especially using a static induction transistor for the final stage. - 特許庁 - 本発明では、同一導電型、特に特性の揃ったＮチャネル静電誘導トランジスタ２つを出力段としてシリーズに重ねて、両者をシリーズ接続した電圧の同じ電源で各々バイアスし、両Ｎチャネル静電誘導トランジスタの中間端子と電源の中間端子からスピーカを駆動するようにしたものである。
Two N-channel static induction transistors having the same conductive type, especially even characteristics, are overlapped in series as an output stage, both of them are biased each by serially connected power supplies having an identical voltage, and a speaker is driven from the intermediate terminals of both N-channel static induction transistors and the power supplies. - 特許庁 - アノード電極９と、半導体層７、７１と、この半導体層に埋め込まれたゲート電極５と、カソード電極２とを備えたゲート電極埋め込み静電誘導型トランジスタである。
This gate electrode embedding electrostatic-inductive transistor comprises an anode electrode 9, semiconductor layers 7, 71, gate electrodes 5 embedded in these semiconductor layers, and a cathode electrode 2. - 特許庁 - ゲート電極による光の遮蔽の問題と電界の遮蔽の問題を回避できる、有機ＥＬ素子構造と縦型ＦＥＴ構造とを有する静電誘導型の発光トランジスタを提供する。
To provide a static induction type light emitting transistor having an organic EL device structure and a vertical FET structure by which a problem of light shielding and a problem of electric field shielding by a gate electrode are avoided. - 特許庁 - 静電誘導トランジスタは、内部に複数のゲート１が形成されたチャネル形成領域としての活性層４と、活性層４を挟むように形成されたソース２とドレイン３を有する。
The static induction transistor has an active layer 4 containing a plurality of gates 1 and used as a channel forming area, and a source 2 and a drain 3 formed to pinch the active layer 4. - 特許庁 - 本発明が解決しようとする課題は、パワーアンプ、特に静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプの最終段のトランジスタのソース・ドレインを駆動する電源とゲートを駆動する電源の立ち上げ時の不備による素子破壊を防止した電源立上げタイミング制限回路を提供することである。
To provide a power-on timing limiting circuit for preventing an element from being broken by defects when turning on a power supply for driving sources/drains and that for driving gates in the transistor of the final stage of a power amplifier for audio especially using a static induction transistor for the final stage. - 特許庁 - パワーアンプの最終出力段の静電誘導トランジスタのソース・ドレインに繋がる電源の立ち上がりタイミングより、ゲート又はこれを駆動する回路をバイアスする電源の立ち上がりを早く、又は、少なくとも遅れないようにタイミング制限したものである。
Timing is limited to start up a power supply for biasing a gate or a circuit for driving the gate earlier than or at least not later than that for starting up a power supply connected to the source/drain of the static induction transistor at the final output stage of a power amplifier. - 特許庁 - 従来のトランジスター及び半導体がその多目的の用途の広がりに応じて技術、性能及び材料面で要求度の高まりみせているのに応える為、開発した油を利用することによって新技術で、その要求を性能、加工及びコスト面でも充分満たす上、その油を循環させて性能を更にアップすると同時に高圧を印加することによって静電誘導による性能を更に高めた技術。
A technology further improving a performance by electrostatic induction in order for conventional transistor and semiconductor to meet high requirements of technology, performance and material depending on a spreading of various purpose applications in such a way that by utilizing a developed oil, those requirements are satisfied with aspects such as performance, process, and cost or the like, that the oil is circulated, and that high voltage is applied. - 特許庁
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