「-ela」を含む例文一覧(26)
- When forming a polycrystalline silicon (poly-Si) thin film, ELA is performed following ICP-CVD.
多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）薄膜形成時にＩＣＰ−ＣＶＤに次いでＥＬＡが行われる。 - 特許庁 - To improve characteristic of an SELAX-TFT and improve throughput of ELA crystallization.
ＳＥＬＡＸ−ＴＦＴの特性向上とＥＬＡ結晶化のスループットの向上を実現する。 - 特許庁 - Output circuits 400 and 500 are formed by ELA radiation scanning in a vertical direction.
出力回路４００、５００を、垂直方向に走査されるＥＬＡ照射によって形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR OPTIMIZING CHANNEL CHARACTERISTICS USING ELA POLY-SI FILM CRYSTALLIZED IN LATERAL DIRECTION
横方向に結晶化したＥＬＡ多結晶ＳＩ膜を使用してチャネル特性を最適化する方法 - 特許庁 - To provide an excimer laser annealing method(ELA) for obtaining a p-Si good in crystallinity in the ELA for forming the p-Si for p-Si TFT LCDs.
ｐ−ＳｉＴＦＴＬＣＤのｐ−Ｓｉを形成するエキシマレーザーアニール(ＥＬＡ)において、結晶性の良好なｐ−Ｓｉを得るためのＥＬＡを提供する。 - 特許庁 - The operational characteristics of networking encryption products to be eligible for export under appropriate Encryption Licensing Arrangements are not complex.
ネットワーク暗号化製品を, 適切なELA(Encryption Licensing Arrangements)の下で輸出適格とすることの運用上の特性は複雑ではない． - コンピューター用語辞典 - METHOD FOR OPTIMIZING CHANNEL CHARACTERISTICS USING MULTIPLE MASKS FOR FORMING LATERALLY CRYSTALLIZED ELA POLYCRYSTALLINE SI FILM
横方向に結晶化したＥＬＡ多結晶ＳＩ膜を形成するために複数のマスクを使用してチャネル特性を最適化する方法 - 特許庁 - Sizes of the transistors 600P and 600N are made equal to or larger than a pixel pitch in an ELA scanning direction.
トランジスタ６００Ｐ，６００Ｎのサイズを、ＥＬＡ走査方向における画素ピッチと同一もしくはそれ以上に設定する。 - 特許庁 - The address information of object data is stored in an ELA register 160 at the time of starting cache ejection processing by BackEviction, and while the address of data whose aquisition is requested from a processor exists in an ELA register 160, a request processing part continues to re-execute the data acquisition processing.
ＢａｃｋＥｖｉｃｔｉｏｎによるキャッシュ排出処理の開始時に対象データのアドレス情報をＥＬＡレジスタ１６０に格納し、プロセッサから取得要求のあったデータのアドレスがＥＬＡレジスタ１６０に存在する間はリクエスト処理部がデータ取得処理を再実行し続ける。 - 特許庁 - To solve the problem, wherein since an obtainable crystal particle size is small in crystallization by conventional ELA method, the frequency of laser irradiations is several times or more for increasing the a crystallized particle size, but a variety of problems occur, such as, output stability, productivity, rise in the price of ELA device due tot the increase in size, and the like.
従来のＥＬＡ法による結晶化は、得られる結晶粒径が小さかったため、レーザ照射回数を数回以上にして大粒径化が行われているが、出力安定性や生産性、大型化によるＥＬＡ装置価格の上昇等種々の問題が発生している。 - 特許庁 - Respective buffer transistors arranged in the same line in the major axis direction of ELA radiation are irradiated by one ELA shot, and degrees of characteristic variation of driving pulses WS and DS outputted from respective buffer transistors are equalized between the start side and the end side.
ＥＬＡ照射長軸方向に同列で配置された各バッファトランジスタを同一ＥＬＡショットで照射し、各バッファトランジスタから出力される駆動パルスWS，DSの特性ばらつきの具合を開始側と終了側で同一にする。 - 特許庁 - Even in the case of characteristic variation of driving pulse waveforms due to difference in ELA radiation intensity among stages, the mobility correction period is fixed in respective stages and unevenness of brightness is suppressed.
段ごとにＥＬＡ照射強度が異なることで駆動パルス波形の特性ばらつきがあっても、移動度補正期間を各段で一定にでき、輝度ムラを抑えることができる。 - 特許庁 - Since the insulating film has high insulation and denseness due to the formation by the ELA, when the insulating film is formed by the CVD method after the thin film is formed, the insulating film having very high insulation can be obtained.
この絶縁膜はＥＬＡによって形成されるため、緻密で高い絶縁性を有するため、この薄膜を形成した上で、ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成すると非常に絶縁性の高い絶縁膜を得ることができる。 - 特許庁 - A raster data conversion part generates four enlarged raster data ELA-ELD of a larger data size than an actual exposure area as a block, and stored in first and second buffer memories alternately according to an time interval TM.
ラスタデータ変換部は、実際の露光エリアよりもデータサイズの大きい４つの拡大ラスタデータＥＬＡ〜ＥＬＤをブロックとして生成し、時間間隔ＴＭに従って第１、第２バッファメモリへ交互に格納する。 - 特許庁 - The mechanism and constitution of the ELA device 2 is more simplified for producing the poly silicon thin film by the process for obtaining a polycrystalline amorphous silicon thin film 12 on the glass substrate 11.
ガラス基板11上のアモルファスシリコン薄膜12を多結晶化させてポリシリコン薄膜にするＥＬＡ装置２の機構や構成をより簡略化できる。 - 特許庁 - At this time, by the relative movement of the exposure area EA, the exposure raster data by each block are repeatedly extracted three times, thereby extracting the exposure raster data ELA1-ELD1, ELA2-ELD2, ELA3-ELD3 in order from the four enlarged raster data ELA-ELD.
このとき、露光エリアＥＡの相対移動に合わせながらブロック毎の露光用ラスタデータ抽出を３回繰り返し、露光用ラスタデータＥＬＡ１〜ＥＬＤ１、ＥＬＡ２〜ＥＬＤ２、ＥＬＡ３〜ＥＬＤ３を、４つの拡大ラスタデータＥＬＡ〜ＥＬＤから順に抽出する。 - 特許庁 - To easily and exactly provide a delay time of a camera image in a device in which image data photographed by cameras 3a-3n mounted to cars 1a-1n of elevator devices ELa-ELn are compressed and distributed to a monitoring center S of the elevator through a circuit N.
エレベータ装置ＥＬａ〜ＥＬｎのかご１ａ〜１ｎに取り付けられたカメラ３ａ〜３ｎで撮像した画像データを圧縮し、回線Ｎを介してエレベータの監視センターＳへ配信する装置において、カメラ画像の遅延時間を容易に且つ正確に得ることができるようにする。 - 特許庁 - The scanning direction 300 of the excimer laser is made the same as the L length direction (current direction) of the transistor (TFT) 210 forming a buffer in a vertical scanner 200, in the ELA crystallizing process of an active matrix organic EL display 100.
アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００のＥＬＡ結晶化工程においてエキシマレーザのスキャン方向３００と、垂直スキャナ２００内のバッファを形成するトランジスタ（ＴＦＴ）２１０のＬ長方向（電流が流れる方向）が同方向になるようにする。 - 特許庁 - The output circuit 500 for outputting a scan driving pulse DS which determines a start timing of mobility correction operation, and respective buffer transistors of the output circuit for a write driving pulse WS which determines an end timing, are arranged in a line in a major axis direction of ELA radiation.
移動度補正動作の開始タイミングを決定する走査駆動パルスDSを出力する出力回路５００と、終了タイミングを決定するサ書込駆動パルスWSを出力する出力回路４００の各バッファトランジスタを、ＥＬＡ照射長軸方向に一列に並べて配置する。 - 特許庁 - A p-type transistor 600P and an n-type transistor 600N constituting a buffer transistor 600 of an output circuit which outputs driving pulses to determine a start timing and an end timing of mobility correction operation, are formed by ELA radiation scanning in a vertical direction.
移動度補正動作の開始や終了の各タイミングを決定する駆動パルスを出力する出力回路のバッファトランジスタ６００を構成するｐ型トランジスタ６００Ｐおよびｎ型トランジスタ６００Ｎを垂直方向に走査されるＥＬＡ照射によって形成する。 - 特許庁 - A method for forming a thin film comprises steps of forming an amorphous silicon film by using a chemical vapor phase epitaxy method (CVD), crystallizing the amorphous silicon film by a laser annealing method (ELA) in a predetermined atmosphere thereby forming a polycrystal silicon film and also forming an insulating film having a very thin film thickness.
化学的気相成長（ＣＶＤ）法を用いて非晶質シリコン膜を形成し、所定の雰囲気中でレーザアニール（ＥＬＡ）法により非結晶シリコン膜を結晶化することによって、多結晶シリコン膜を形成すると同時に、非常に膜厚が小さい絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - The method for forming a semiconductor film on a substrate such as an active matrix substrate for image display is constituted by crystallizing an α-Si film by an ELA method and reducing a hydrogen content in the α-Si film prior to its formation into a p-Si film by an SLS method.
画像表示装置用アクティブマトリクス基板等の基板上に半導体薄膜を形成する方法において、ａ−Ｓｉ膜をＳＬＳ法によりｐ−Ｓｉ化する際に、事前にＥＬＡ法で結晶化するとともに膜中の水素含有量を減少させておくことにより、アブレーションの発生を防止しつつ、ＳＬＳ法として十分に高いフルエンスでエネルギ照射が可能となる。 - 特許庁 - By appropriately setting a difference of refractive index between microprism arrays 4, 5 and glass substrates 6, 7, shapes of them and a distance between the microprism arrays 4, 5, incident light ILa passing through a region DI is emitted to the outer part as emission light ELa from a region DI' altogether, thereby, the parallelism is maintained and, resultantly, the desired light modulator can be obtained.
マイクロプリズムアレイ４、５とガラス基板６、７との屈折率差やそれぞれの形状、及び、マイクロプリズムアレイ４、５間の距離を適切に設定しておくことにより、領域Ｄ１を通過する入射光ＩＬａが、全て領域Ｄ１′より射出光ＥＬａとして外部に射出されることで平行性が保たれ、所望の光変調装置が得られる。 - 特許庁 - In the camera image distribution device for the elevator, camera servers 4a-4n provided with function for superposing time data on the image of the camera, function for compressing the superposed image data and function for distributing the compressed image data and the time data to which data compression is not applied to the monitoring center S of the elevator through the circuit are provided on the elevator devices ELa-ELn.
エレベータ装置ＥＬａ〜ＥＬｎに、前記カメラの画像に時刻データを重ね合わせる機能と、前記重ね合わせられた画像データを圧縮する機能と、前記圧縮された画像データと、データ圧縮を施さない時刻データとを回線を介して前記エレベータの監視センターＳに配信する機能とを備えたカメラサーバ４ａ〜４ｎを設ける。 - 特許庁 - To provide a dielectric porcelain which has high permittivity, a low dielectric loss, and a change in relative permittivity by temperature satisfying the X7R properties of ELA Standards, and provides high insulation resistance even when low voltage is applied, and to provide a multilayer ceramic capacitor provided with the dielectric porcelain as a dielectric layer and having excellent service life properties in a high temperature load test.
高誘電率かつ誘電損失が小さく、比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足し、印加する電圧が低い場合にも高い絶縁抵抗が得られる誘電体磁器と、このような誘電体磁器を誘電体層として備え、高温負荷試験での寿命特性に優れる積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁 - To stabilize adjustment, device costs and production by freely changing a filter concentration distribution by a small relative moving amount of a dot size level for a gradation filter used for an excimer laser annealing (ELA) device for irradiating the surface of a low temperature polysilicon TFT liquid crystal panel with excimer laser beams and annealing it.
低温ポリシリコンＴＦＴ液晶パネルの表面にエキシマレーザビームを照射してアニールするエキシマレーザアニーリング（ＥＬＡ）装置に用いるグラデーションフイルタを、ドットサイズレベルの小さな相対移動量で、フィルタ濃度分布を自在に変化させ、調整・装置コスト・生産の安定化を実現する。 - 特許庁
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