「2H」を含む例文一覧(529)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ>
  • 1h is one hand, 2h is two hand
    「1H」は片手 「2H」は両手を表します - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • 1h is one hand, 2h is two hand
    「1h」は片手 「2h」は両手を表します - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Formula (1): H_2→2H^++2e^-; formula (2): 2H^++2e^-→H_2.
    H_2→2H^++2e^-・・・(1)2H^++2e^-→H_2・・・(2) - 特許庁
  • PURIFICATION METHOD OF 1-IODO-1H,1H,2H,2H-PERFLUOROALKANE
    1−ヨード−1H,1H,2H2H−パーフルオロアルカンの精製方法 - 特許庁
  • 2H-PYRROLO[3,4-b]QUINOLINE DERIVATIVE
    2H−ピロロ[3,4−b]キノリン誘導体 - 特許庁
  • A switching control circuit 7 controls switching operations of four switching parts 1H, 1L, 2H, and 2L.
    スイッチング制御回路7は四つのスイッチ部1H、1L、2H、及び2Lのスイッチングを制御する。 - 特許庁
  • Image pickup devices 2a-2h respectively pick up images of different supervisory areas 4a-4h.
    それぞれ異なる監視領域4a乃至4hを撮像装置2a乃至2hが撮像する。 - 特許庁
  • The floor materials 2, 2 are positioned in the width direction of the recess parts 2h, 2h by the tool 3 fitted to the recess parts 2h, 2h and arranged in the extending direction of the arrangement tool 3.
    こうして、床材2、2は、凹部2h2hに嵌合する整列具3によって凹部2h2hの幅方向に位置決めされて、整列具3の延びる方向に整列する。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING 2H-SiC SINGLE CRYSTAL
    2H−SiC単結晶の製造方法 - 特許庁
  • A bias voltage generating section (2V) includes voltage dividers (2H, 2L), between a power supply terminal (VDD) and a ground terminal (GND).
    バイアス電圧生成部(2V)は電源端子(VDD)−接地端子(GND)間に分圧器(2H、2L)を含む。 - 特許庁
  • If he would have been brought into the hospital within 2h
    2時間以内に 病院に行っていれば - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • 2H-1,2-THIAZINE 1,1-DIOXIDE DERIVATIVE
    2H−1,2−チアジン1,1−ジオキシド誘導体 - 特許庁
  • NEW ARYLPIPERAZINYLALKYL-3(2H)-PYRIDAZINONE
    新規なアリールピペラジニルアルキル−3(2H)−ピリダジノン - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING 2H SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
    2H炭化珪素単結晶の製造方法 - 特許庁
  • The width size of the recess part 2h is the substantial same as the width size of the tool 3, the tool 3 is mounted on the recess parts 2h, 2h of the plurality of the floor materials 2, 2, and can be fitted to the recess parts 2h, 2h.
    そして、凹部2hの幅寸法が、整列具3の幅寸法とほぼ同一となっており、整列具3は、複数の床材2、2の凹部2h2hにまたがるようにして、それら凹部2h2hに嵌合可能となっている。 - 特許庁
  • The face material is preferably formed of a moisture permeable material with a moisture permeation resistance of 1-6 m^2h mmHg/g.
    好適には面材は透湿抵抗が1〜6m^2h・mmHg/gである通湿性材料からなる。 - 特許庁
  • 3,4-DIHYDRO-2H-1,5-BENZODIOXEPIN COMPOUND
    3,4−ジヒドロ−2H−1,5−ベンゾジオキセピン化合物 - 特許庁
  • 1,3-DIHYDRO-2H-INDOL-2-ONE COMPOUND
    1,3−ジヒドロ−2H−インドール−2−オン化合物 - 特許庁
  • The tetrazolium compound includes 2-(4-iodophenyl)-3-(2,4-dinitrophenyl)-5-(2,4-disulfophenyl)-2H- tetrazolium salt.
    前記テトラゾリウム化合物としては、例えば、2-(4-ヨードフェニル)-3-(2,4-ジニトロフェニル)-5-(2,4-ジスルホフェニル)-2H-テトラゾリウム塩が使用できる。 - 特許庁
  • TETRAHYDRO-2H-THIOPYRANE-4-CARBOXAMIDE DERIVATIVE
    テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−カルボキサミド誘導体 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING 2H SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND 2H SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL MANUFACTURED THEREBY
    2H炭化珪素単結晶の製造方法およびそれにより得られた2H炭化珪素単結晶 - 特許庁
  • This 2H-pyran-2-one derivative or its salt is expressed by formula I.
    2H−ピラン−2−オン誘導体又はその塩。 - 特許庁
  • 2H-PYRANO[3,2-c]PYRIDIN-5(6H)-ONE DERIVATIVE
    2H−ピラノ[3,2−c]ピリジン−5(6H)−オン誘導体 - 特許庁
  • A reaction: 1/2O_2 + 2H^+ + 2H^+ + 2e^- = >H_2O, takes place on the fuel side, while the opposite reaction takes place on the opposite side.
    燃料側では1/2O_2+2H^++2e^−=>H_2O、対して反対側では反対の反応が起こる。 - 特許庁
  • To provide a process for reducing the level of content of perfluoroalkanoic acid, perfluoroalkanoic ester, and perfluoroalkyliodide contained in 1-iodo-1H,1H,2H,2H-perfluoroalkane or 1-iodo-1H,1H,2H,2H-perfluoroalkan-1-ol.
    1−ヨード−1H,1H,2H2H−パーフルオロアルカンまたは1H,1H,2H2H−パーフルオロアルカン−1−オールに含まれるパーフルオロアルカン酸、パーフルオロアルカン酸エステル、およびパーフルオロアルキルヨウ化物の含量を低減させる方法を提供する。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING 2-ALKYL-5-METHYL-3(2H)-FURANONE
    2−アルキル−5−メチル−3(2H)−フラノンの製造方法 - 特許庁
  • NEW 3,4-DIHYDRO-2H-PYRROLE COMPOUND AND USE THEREOF
    新規3,4−ジヒドロ−2H−ピロール化合物及びその用途 - 特許庁
  • NEW 2H-PYRAN-2-ONE DERIVATIVE AND ITS PRODUCTION
    新規な2H−ピラン−2−オン誘導体とその製造法 - 特許庁
  • 3(2H)-PYRIDAZINONE DERIVATIVES AND USE OF THESE COMPOUNDS
    3(2H)−ピリダジノン誘導体及びこれら化合物の使用 - 特許庁
  • The front face (the face surface) of a head body 2 includes a recess 2H, and a face insert 3 is disposed in the recess 2H.
    ヘッド本体2の前面(フェース面)に凹部2Hが設けられ、この凹部2H内にフェースインサート3が配置されている。 - 特許庁
  • A front surface (a face surface) of a head body 2 includes a recess 2H and a face insert 3 is disposed in the recess 2H.
    ヘッド本体2の前面(フェース面)に凹部2Hが設けられ、この凹部2H内にフェースインサート3が配置されている。 - 特許庁
  • Then, the garbage disposer 1 is installed on an installation panel 2h and an air sucking route is formed below the installation panel 2h.
    また、生ゴミ処理装置1は設置板2h上に設置され、設置板2hの下方には吸気経路が形成される。 - 特許庁
  • A recessed part 2H is formed on the front face (face surface) of a head body 2, and a face insert 3 is arranged in the recessed part 2H.
    ヘッド本体2の前面(フェース面)に凹部2Hが設けられ、この凹部2H内にフェースインサート3が配置されている。 - 特許庁
  • When a high side output transistor (2H) is ON, potential of a floating power terminal (2F) is equal to potential of a high potential power terminal (21) and potential of a high side power terminal (2H) is higher than it by voltage between both terminals of a capacitor (33) that is equal to voltage of a regulated voltage source (31).
    ハイサイド出力トランジスタ(2H)がオンのとき、フローティング電源端子(2F)の電位は高電位電源端子(21)の電位と等しく、ハイサイド電源端子(2H)の電位はそれよりコンデンサ(33)の両端電圧、すなわち定電圧源(31)の電圧だけ高い。 - 特許庁
  • In a direction orthogonal to the internal wall (2g), a part of an edge (5M1) of the diaphragm (5) is covered with an end of the internal wall (2g) at the opening (2h) side.
    内壁(2g)に直交する方向において、内壁(2g)の開口部(2h)側端部が振動板(5)の縁部(5M1)の一部を覆っている。 - 特許庁
  • Eight mobile devices 2 (2A-2H) are registered to a door.
    ドアに対して8個の携帯機2(2A〜2H)が登録されている。 - 特許庁
  • The lid part 30 blocks the cooling liquid inlet 2h.
    蓋部30は、冷却液注入口2hを閉塞している。 - 特許庁
  • The internal wall (2g) comprises an opening (2h) that supports the loudspeaker (5) at its inner surface side and causes a sound outputted from the loudspeaker (5) to pass therethrough.
    内壁(2g)はその内面側にスピーカ(5)を支持すると共にスピーカ(5)から出力された音を通過させる開口部(2h)を有する。 - 特許庁
  • The putter head 1 is provided with a recessed portion 2H in the front surface (face surface) of a head body 2, and a face insert 3 is disposed in the recessed portion 2H.
    ヘッド本体2の前面(フェース面)に凹部2Hが設けられ、この凹部2H内にフェースインサート3が配置されている。 - 特許庁
  • Thus, the propagation distance of audio sneaking from the speaker 3 to the microphones 2A-2H, 2A'-2H' can be effectively gained.
    これによって、スピーカ3からマイクロホン2A〜2H、2A′〜2H′への回り込み音声の伝搬距離を効果的に稼ぐことができる。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING TETRAHYDRO-2H-THIOPYRAN-4-CARBOXAMIDE DERIVATIVE
    テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−カルボキサミド誘導体の製造方法 - 特許庁
  • ACTIVATION OF CATALYST CONTAINING COPPER AND PRODUCTION OF TETRAHYDRO-2H-PYRAN-2-ONE AND/OR 3,4-DIHYDRO-2H-PYRAN
    銅を含有する触媒の活性化方法並びにテトラヒドロ−2H−ピラン−2−オン及び/又は3,4−ジヒドロ−2H−ピランの製造法 - 特許庁
  • (x) Phenol, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(1,1-dimethylethyl)-
    十 二—(二H—一・二・三—ベンゾトリアゾール—二—イル)—四・六—ジ—ターシャリ—ブチルフェノール - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • (xxi) 5-amino-4-chloro-2-phenylpyridazin-3(2H)-one; chloridazon
    二十一 五―アミノ―四―クロロ―二―フェニルピリダジン―三(二H)―オン(別名クロリダゾン) - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • METHOD FOR PRODUCING 3-HYDROXY-2-IMINO-1(2H)- PYRIDINESULFONIC ACID
    3−ヒドロキシ−2−イミノ−1(2H)−ピリジンスルホン酸の製造方法 - 特許庁
  • A circular opening 2h is formed at the end of the outer tube 2.
    外管2の先端に、円形の開口2hが設けられている。 - 特許庁
  • The external wall (2f) comprises a group of sound holes (2b) in which a plurality of through-holes (2a) are collectively formed, and which emits a sound passing through the opening portion (2h) to the outside.
    外壁(2f)は貫通孔(2a)が複数個集合形成されて開口部(2h)を通過した音を外部に放出する音孔群部(2b)を有する。 - 特許庁
  • The upper wall 2c comprises a wall top frame 2h, an opening top frame 2i located below the wall top frame 2h and a face member 2g nailed to the side faces of the wall top frame 2h and the opening top frame 2i.
    上壁部2cは壁上枠2hと当該壁上枠2hの下側に位置する開口部上枠2iと、当該壁上枠2hおよび開口部上枠2iの側面部に釘打ちされた面材2gとから構成する。 - 特許庁
  • (xvi) Phenol, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(1,1-dimethylethyl)-
    十六 二—(二H—一・二・三—ベンゾトリアゾール—二—イル)—四・六—ジ—ターシャリ—ブチルフェノール - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Preferably, the 3-carbonyl-2H-pyran-2,4(3H)-dione compound is 6-methyl-3-acetyl-2H-pyran-2,4(3H)-dione.
    より好ましくは、3−カルボニル−2H−ピラン−2,4(3H)−ジオン系化合物は、6−メチル−3−アセチル−2H−ピラン−2,4(3H)−ジオンである。 - 特許庁
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 次へ>

例文データの著作権について