k satisfies k=(2 mE/(h/2π)^2)^0.5, where m represents the mass of electron, E represents the energy level of trap of the tunnel insulating film, h represents Planck's constant, and π represents circular constant. なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)^2)^0.5と表され、mは電子の質量、 Eは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、hはプランク定数、πは円周率である。 - 特許庁