「4PL」を含む例文一覧(8)
- A source electrode bonding pad 15S1 of the low-side semiconductor chip 4PL is electrically connected to a lead wire 7LB through a metal plate 8B.
ロウサイド側の半導体チップ４ＰＬのソース電極用のボンディングパッド１５Ｓ１は、金属板８Ｂを通じてリード配線７ＬＢに電気的に接続されている。 - 特許庁 - A bonding pad 15S1 for a source electrode of the semiconductor chip 4PL on a low side is electrically connected to a lead wire 7LB through a metallic plate 8B.
ロウサイド側の半導体チップ４ＰＬのソース電極用のボンディングパッド１５Ｓ１は、金属板８Ｂを通じてリード配線７ＬＢに電気的に接続されている。 - 特許庁 - To manage remaining quantities of inks when heads which discharge different quantities of inks (4pl and 8pl for example) are used by replacement in an inkjet recording device.
１つのインクジェット記録装置において、吐出量の異なるヘッド（例えば、４ｐｌ、８ｐｌ）を交換して使用する場合のインク残量管理を行う。 - 特許庁 - In a package PA of the semiconductor device SM1, semiconductor chips 4PH and 4PL formed of power MOSFETs and a semiconductor chip 4D formed of a control circuit controlling their operation, are included, and the semiconductor chips 4PH, 4PL, and 4D are mounted on die pads 7D1, 7D2 and 7D3, respectively.
半導体装置ＳＭ１のパッケージＰＡ内には、パワーＭＯＳ・ＦＥＴが形成された半導体チップ４ＰＨ，４ＰＬと、その動作を制御する制御回路が形成された半導体チップ４Ｄとが内包されており、半導体チップ４ＰＨ，４ＰＬ，４Ｄは、それぞれダイパッド７Ｄ１，７Ｄ２，７Ｄ３上に搭載されている。 - 特許庁 - Semiconductor chips 4PH, 4PL having power MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect transistor) formed thereon, and a semiconductor chip 4D having a control circuit for controlling the operation thereof are enclosed within a package PA of the semiconductor device 2.
半導体装置２のパッケージＰＡ内には、パワーＭＯＳ・ＦＥＴが形成された半導体チップ４ＰＨ，４ＰＬと、その動作を制御する制御回路が形成された半導体チップ４Ｄとが内包されている。 - 特許庁 - Semiconductor chips 4PH and 4PL having a power MOS FET formed and a semiconductor chip 4D having a control circuit for controlling their operation formed are incorporated in a package PA of the semiconductor device 2.
半導体装置２のパッケージＰＡ内には、パワーＭＯＳ・ＦＥＴが形成された半導体チップ４ＰＨ，４ＰＬと、その動作を制御する制御回路が形成された半導体チップ４Ｄとが内包されている。 - 特許庁 - The metal plate 8B includes a firs section 8B1 contacting with the bonding pad 15S1 of the semiconductor chip 4PL, a second section 8B2 extending from a short side of the first section 8B1 to the lead wire 7LB, and a third section 8B3 extending from a long side of the first section 8B2 to the lead wire 7LB.
金属板８Ｂは、半導体チップ４ＰＬのボンディングパッド１５Ｓ１に接する第１部分８Ｂ１と、その第１部分８Ｂ１の短辺からリード配線７ＬＢまで延びる第２部分８Ｂ２と、第１部分８Ｂ２の長辺からリード配線７ＬＢまで延びる第３部分８Ｂ３とを有している。 - 特許庁 - The metallic plate 8B has a first part 8B1 in contact with the bonding pad 15S1 of the semiconductor chip 4PL, a second part 8B2 extending from a short side of the first part 8B1 to the lead wire 7LB, and a third part 8B3 extending from a long side of the first part 8B2 to the lead wire 7LB.
金属板８Ｂは、半導体チップ４ＰＬのボンディングパッド１５Ｓ１に接する第１部分８Ｂ１と、その第１部分８Ｂ１の短辺からリード配線７ＬＢまで延びる第２部分８Ｂ２と、第１部分８Ｂ２の長辺からリード配線７ＬＢまで延びる第３部分８Ｂ３とを有している。 - 特許庁
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