「A Si」を含む例文一覧(6826)

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  • To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film.
    Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁
  • The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.
    Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した２層構造になっている。 - 特許庁
  • The present invention uses an a-Si TFT 1 and an a-Si TFT 2 having equal photoelectric transfer characteristic.
    光電変換特性が等しいa-Si TFT１とa-Si TFT２を使用する。 - 特許庁
  • Incident luminous energy of the a-Si TFT 1 is reduced by a filter 3 to delay the progress of light deterioration in the a-Si TFT 1.
    a-Si TFT１の入射光量をフィルタ３で減らし、a-Si TFT１の光劣化の進行を遅らせる。 - 特許庁
  • The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event, transmitted from a terminal serving as an entity, to another SI-SW.
    SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
  • (A); wherein [TS objective value] is the set value of the strength of the steel sheet with Mpa as a unit, and [Si] is the mass% of Si.
    (0.0012×[TS狙い値]-0.29-[Si])/1.45＜Al＜1.5-3*[Si] ・・・(Ａ) ここに、[TS狙い値]は鋼板の強度設計値で単位はMpa、[Si]はSiの質量％ - 特許庁
  • The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event transmitted from a terminal serving as an entity to another SI-SW.
    SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
  • (since Linux 2.4.19) The following values can be placed in si_code for a SIGILL
    (Linux 2.4.19 以降)SIGILL - JM
  • He was a priest of Kai Yuan Si Temple.
    開元寺の僧。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The SI-R selects a route between the SI-SWs and transfers an event transmitted from an entity terminal to other SI-SW.
    SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
  • A Si film 20 is vapor-deposited on the entire surface, sand a SiN film 21 is formed, and Si is diffused by heat treatment to constrict a current.
    Si膜20を全面に蒸着し、SiN膜21を形成し、熱処理でSiを拡散させ電流を狭窄する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si.
    溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁
  • a former unit of electric current (slightly smaller than the SI ampere)
    電流の以前のユニット（SIアンペアより少し小さい） - 日本語WordNet
  • An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.
    結晶Siからなる基板１に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁
  • A preferred chemical precursor contains one or more N-Si bonds.
    好適な化学前駆体が一つ以上のN‐Si結合を含む。 - 特許庁
  • This high-strength steel sheet includes 1.0% or more Si+Mn as a component composition.
    成分組成として、Si+Mn：1.0%以上を含有する。 - 特許庁
  • The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.
    フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁
  • This negative electrode material is formed of particles including the Si phase and the SiC phase, and the Si phase contains the doping element and a part of the Si phase is exposed in a particle surface, and other parts of the Si phase except for the part exposed in the particle surface are in contact with the SiC phase.
    この負極材料は、Si相とSiＣ相とを含む粒子からなり、Si相が前記ドープ元素を含み、Si相の一部が粒子表面に露出し、かつSi相の粒子表面に露出している部分以外はSiＣ相と接している。 - 特許庁
  • The phosphate-based zeolite catalyst meets conditions of: a particle size<1 μm; and the particle size (μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1,000≤80, wherein [Si/(Si+Al+P)] is a molar ratio.
    粒径＜1μm；及び 粒径(μm)×[Si/(Si＋Al＋P)]×1000≦80；（式中、[Si/(Si＋Al＋P)]はモル比である）の条件を満たすリン酸塩系ゼオライト触媒により上記課題を解決することができる。 - 特許庁
  • As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.
    金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁
  • the seventh note in a musical scale, called si
    音階でシという第7番目の音 - EDR日英対訳辞書
  • internal stack error The following values can be placed in si_code for a SIGFPE
    内部スタックエラーSIGFPE - JM
  • subscript out of range The following values can be placed in si_code for a SIGSEGV
    範囲外の添字 (subscript)SIGSEGV - JM
  • Joyo City established a sister-city relationship with Gyeongsan-si on January 22, 1991.
    1991年1月22日姉妹都市提携 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To provide a method and a device for forming an HSG-Si layer in a wafer.
    ウェーハにHSG-Si層を形成するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁
  • The inner layer comprises a compound of metals of IVa, Va, and VIa groups in a periodic table, Al, Si, and B.
    内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁
  • To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.
    GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁
  • This negative electrode material consists of an amorphous phase of Si and/or Ge, or of this amorphous phase and a solid solution or a phase of intermetallic compound of Si and/or Ge.
    Siおよび／またはGeの非結晶質相、またはこれとSiおよび／またはGeの固溶体または金属間化合物の相とからなる負極材料。 - 特許庁
  • A large area of the Si substrate is polished with a grinder (Si substrate polishing step), subsequently the Si substrate is etched (Si substrate etching step).
    グラインダを用いてＳｉ基板の大部分を研磨し（Ｓｉ基板研磨工程）、引き続き、Ｓｉ基板をエッチングする（Ｓｉ基板エッチング工程）。 - 特許庁
  • A slab steel having a C content: C [wt.%] of 0.08 to 0.55, an Si content: Si [wt.%] of 0.02 to 0.60; and an Mn content: Mn [wt.%] of 0.3 to 1.5 is used as an object.
    C含有量C[wt%]を0.08〜0.55とし、Si含有量Si[wt%]を0.02〜0.60とし、Mn含有量Mn[wt%]を0.3〜1.5とするスラブ鋼を対象とする。 - 特許庁
  • Whether or not a reception synchronizing signal Si is received is determined, and each time the reception synchronizing signal Si is received, a reception frequency T is measured (steps S1 and S2).
    ステップＳ１，Ｓ２で、受信同期信号Siを受けたかが判断され、その受信同期信号Siを受ける毎に、その受信周期Ｔが測定される。 - 特許庁
  • To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.
    素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁
  • The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.
    バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。 - 特許庁
  • Figure 1 shows a HREM image of Si [110]. For the atomic arrangement, see the inset.
    図1は、Si[110]のHREM像を示す。原子配列については挿入図を参照のこと。 - 科学技術論文動詞集
  • The Heusler alloy material has a composition ratio of Co_2(Fe_xMn_1-x)Si alloy (x=0.1 to 0.9).
    ホイスラー合金材料は、Co_2(Fe_xMn_1-x)Si合金（x=0.1〜0.9）の組成比を有している。 - 特許庁
  • To prevent or inhibit the corrosion of a-Si and p-Si.
    ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する。 - 特許庁
  • First, a cavity is formed between an Si substrate 1 and an Si layer 5.
    まず始めに、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する。 - 特許庁
  • Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.
    p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁
  • A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.
    n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
  • The gate insulation film is given a multilayer structure comprising at least SiO_2 and SRN (Si Rich Nitride) film.
    ゲート絶縁膜を少なくともSiO_2とSRN（Si Rich Nitride）膜との積層構造とする。 - 特許庁
  • The inner layer is composed of a compound of Al, Si and B of periodic table IVa, Va, VIa group metal.
    内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁
  • The structure comprises a first member 100 containing a compound between an element A except both Si and Ge, and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1), and a second member 101 containing one of the element A and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1).
    Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。 - 特許庁
  • Semantic information network components include a semantic information switch (SI-SW), a semantic information router (SI-R), a semantic information gateway (SI-GW), an event place, and a session.
    意味情報ネットワークのネットワーク構成要素には、意味情報スイッチ(SI-SW)、意味情報ルータ(SI-R)、意味情報ゲートウエイ(SI-GW)、イベントプレース、セッションなどがある。 - 特許庁
  • A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.
    単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁
  • The semantic information-oriented network includes as network constituents: a semantic information switch (SI-SW), a semantic information router (SI-R), a semantic information gateway (SI-GW), event place and a session, etc.
    意味情報ネットワークのネットワーク構成要素には、意味情報スイッチ(SI-SW)、意味情報ルータ(SI-R)、意味情報ゲートウエイ(SI-GW)、イベントプレース、セッションなどがある。 - 特許庁
  • Prior to the measurement of the steel product with unknown Si concentration, a calibration curve for determining Si concentration from a sensor output in a differential magnetic permeability used for the measurement is formed by use of a sample with known Si concentration.
    Si濃度が未知の鋼材を測定する前に、まずSi濃度が既知のサンプルを用いて、測定に使用する微分透磁率におけるセンサ出力からSi濃度を求める校正線を作成する。 - 特許庁
  • The steel has a coating of a surface treating agent with 5 to 50 μm film thickness on its surface, the agent containing Si-containing iron powder by 15 to 75% of the solid content by mass ratio, so as to form a dense rust (Fe_2SiO_4) layer containing Si by the reaction of eluted Fe ions and Si ions.
    質量比で、固形分の15〜75％のSi含有鉄粉を含む表面処理剤の被覆を５〜50μｍの膜厚で表面に備え、溶出したFeイオンおよびSiイオンを反応させて、Siを含む緻密なさび(Fe_2SiO_4）層を生成させる。 - 特許庁
  • In the method, two Si lumps of a first solid Si lump 10 and a second solid Si lump 12 are brought into contact via a Ge material 14 which is brazing filler metal and are joined by brazing and soldering using pulsed laser.
    固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。 - 特許庁
  • Then local nucleation is promoted at the upper part of the Si melt by inserting a seed crystal or a coolant in the Si melt from above the Si melt, or by conducting local cooling.
    次に、Si融液の上部からSi融液中に種結晶や冷媒を挿入または局所冷却を行うことにより、Si融液上部で局所的な核形成を促進する。 - 特許庁
  • To provide a method and apparatus for refining Si efficiently performing refining of low-purity Si to high-purity Si so as to produce solar cell-grade Si from metal-grade Si, and an apparatus for producing a refined Si film.
    金属級Ｓｉから太陽電池級Ｓｉを製造すべく、低純度Ｓｉから高純度Ｓｉへの精製を効率良く行い得るＳｉ精製方法、Ｓｉ精製装置及びＳｉ精製膜製造装置を提供する。 - 特許庁
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