This cis-acting element contains a region where an XlnR/Ace2-binding sequence (ggctaa) and an Hap complex-binding sequence (ccaat) are connected via a spacer sequence of 0-100 bases. 本発明に係るシス作用エレメントは、XlnR/Ace2結合配列(ggctaa)及びHap複合体結合配列(ccaat)が0〜100のスペーサー配列を介して配置した領域を有する。 - 特許庁