「APM」を含む例文一覧(57)
＜前へ 1 2- After a protection oxide film 22 is removed by conducting wet-etching, namely HF etching, using hydrofluoric acid or buffer hydrofluoric acid on the protection oxide film formed on a silicon substrate 20, the silicon substrate 20 where the hydrophobic surface is exposed is cleaned with the APM solution.
シリコン基板２０上に形成されている保護酸化膜２２に対してフッ酸又は緩衝フッ酸を用いたウェットエッチングつまりＨＦエッチングを行なって保護酸化膜２２を除去した後、疎水性表面が露出したシリコン基板２０に対してＡＰＭ溶液を用いて洗浄を行なう。 - 特許庁 - To keep a resolution at a practically sufficiently high resolution in the measurement or the like of the effective density of particles calculated on the basis of the measurement of particle mass distribution by an aerosol particle mass analyzer (APM) or a particle size value (effective diameter) and a particle mass calculated from the other particle size measuring means.
エアロゾル粒子質量分析装置（ＡＰＭ）による粒子質量分布の測定あるいは他の粒径測定手段から求めた粒径値（有効径）と粒子質量とで求められる粒子の有効密度の測定等において、分解能を一定かつ実用的に十分高い分解能を維持する。 - 特許庁 - After removing organic substances such as a photoresist film or metallic particles by cleaning the surface of a semiconductor wafer using a sulfuric acid solution containing persulfuric acid produced with a persulfuric acid producing device without performing SPM cleaning, APM cleaning or HPM cleaning, the semiconductor wafer is cleaned with pure water and dried.
ＳＰＭ洗浄、ＡＰＭ洗浄およびＨＰＭ洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。 - 特許庁 - The target throttle opening (load command value) is compensated based on the distance between the present operation state amount and the median Amm of a region A1 corresponding to the present operation state out of a plurality of regions in the map M so that the present operation state amount Apm remains in the region A1.
そして、マップＭ中の複数領域のうち現在の運転状態量に該当する領域Ａ１の中央値Ａｍｍと現在の運転状態量との離間距離に基づき、現在の運転状態量Ａｐｍが該当領域Ａ１に留まり易くなるよう、目標スロットル開度（負荷指令値）を補正する。 - 特許庁 - When abnormal discharge occurs between the positive electrode ADE and a control electrode G1 or a negative electrode K, and the ampere meter APM detects increase of the dark current value, the D.C. power source DCA supplied to the positive electrode ADE is supplied by varying its voltage value to lower it so that the dark current value is set below the set value.
陽極ＡＤＥと制御電極Ｇ１または陰極Ｋとの間に異常放電が発生し、電流計ＡＰＭが暗電流値の増大を検出した場合には、暗電流値が設定値以下となるように、陽極ＡＤＥに供給する直流電源ＤＣＡの電圧値を下げるように可変させて供給する。 - 特許庁 - In order to remove a germanium (Ge) contaminant stuck in a manufacturing process of a semiconductor device, a treatment is performed using a solution containing hafnium (HF) after a treatment using an oxidative solution such as an ammonia-hydrogen peroxide solution (APM), hydrochloric acid-hydrogen peroxide solution (HPM), sulfuric acid-hydrogen peroxide solution (SPM), and aqua regia or oxidation treatment such as oxidative plasma treatment.
半導体デバイス製造過程において付着したゲルマニウム（Ｇｅ）汚染物を除去するために、酸化力を有する溶液、例えば、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＭ），塩酸−過酸化水素水（ＨＰＭ）、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）、王水等による処理、もしくは、酸素プラズマ処理等の酸化処理に連続して、弗酸（ＨＦ）含有水溶液による処理を行なう。 - 特許庁 - In the temperature-measuring device 10, a resistance bulb 102 is coated with a coating member 105 consisting of a fluororesin; the circumference of the member 105 is surrounded with a gap by double tubes 106 consisting of a fluororesin to be protected from the outside; the tubes 106 are inserted into a quartz glass tube 101 and the resistance bulb 102 is placed in the APM in a cleaning bath 60.
温度測定装置１００は，測温抵抗体１０２をフッ素樹脂からなるコーティング部材１０５で被覆し，このコーティング部材１０５の周囲をフッ素樹脂からなる二重チューブ１０６により隙間をもって囲んで外部から保護し，二重チューブ１０６を石英ガラス管１０１内に挿入して測温抵抗体１０２を洗浄槽６０内のＡＰＭ中に入れている。 - 特許庁
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