「ARF」を含む例文一覧(331)

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  • ARF EXCIMER LAMP
    ＡｒＦエキシマランプ - 特許庁
  • Then activate and use cip kip and ink4a arf for stimulation
    次に活性化して 刺激に cip/kipとink4a/arfを使う - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • ArF EXCIMER LASER APPARATUS
    ＡｒＦエキシマレーザ装置 - 特許庁
  • MIRROR FOR ArF LITHOGRAPHY AND OPTICAL MEMBER FOR ArF LITHOGRAPHY
    ＡｒＦリソグラフィ用ミラー、およびＡｒＦリソグラフィ用光学部材 - 特許庁
  • ArF EXCIMER LASER FOR EXPOSURE
    露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置 - 特許庁
  • LINE NARROW-BAND ArF EXCIMER LASER
    狭帯化ＡｒＦエキシマレーザ装置 - 特許庁
  • ArF EXCIMER LASER AND SCANNING TYPE ALIGNER
    ＡｒＦエキシマレーザ及びスキャン式露光機 - 特許庁
  • 2-STAGE ArF EXCIMER LASER FOR EXPOSURE
    露光用２ステージＡｒＦエキシマレーザ装置 - 特許庁
  • ArF POSITIVE TYPE PHOTO-IMAGE FORMING COMPOSITION
    ＡｒＦポジ型光画像形成用組成物 - 特許庁
  • The ultraviolet light is ArF excimer laser light, and is used for an ArF lithography exposure apparatus.
    前記紫外光がＡｒＦエキシマレーザー光であり、ＡｒＦリソグラフィー露光装置に使用される。 - 特許庁
  • ArF EXCIMER LASER DEVICE AND FLUORINE LASER DEVICE
    ＡｒＦエキシマレーザ装置及びフッ素レーザ装置 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING PATTERN USING ArF LASER BEAM
    ＡｒＦレーザ光を用いるパターン形成方法 - 特許庁
  • SYNTHETIC QUARTZ GLASS MATERIAL FOR ArF PHOTOLITHOGRAPHY DEVICE
    ＡｒＦ露光装置用合成石英ガラス素材 - 特許庁
  • DOPANT GAS FEEDING AND EXHAUSTING DEVICE FOR ArF EXCIMER LASER
    ＡｒＦエキシマレーザの添加ガス給排気装置 - 特許庁
  • ArF EXCIMER LASER AND BAND NARROWING MODULE THEREOF
    ＡｒＦエキシマレーザ装置及びその狭帯域化モジュール - 特許庁
  • To provide a method for specifically measuring only GTP-bonded ARF6 without causing a cross reaction with other ARF-family proteins.
    他のARFファミリータンパク質と交差反応を起こさず、GTP結合型ARF6のみを特異的に測定する方法を提供する。 - 特許庁
  • SYNTHETIC QUARTZ GLASS MEMBER FOR ArF EXCIMER LASER LITHOGRAPHY
    ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用合成石英ガラス部材 - 特許庁
  • RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR ArF EXCIMER LASER
    ＡｒＦエキシマレーザー用感放射線性樹脂組成物 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING POLYMER SOLUTION FOR ARF EXCIMER LASER RESIST
    ＡｒＦエキシマレーザーレジスト用ポリマー溶液の製造方法 - 特許庁
  • PRODUCTION OF SYNTHETIC QUARTZ GLASS FOR ArF EXCIMER LASER LITHOGRAPHY
    ＡｒＦエキシマレ—ザ—リソグラフィ—用合成石英ガラスの製造方法 - 特許庁
  • To provide a method of forming a fine pattern in a semiconductor device, which enables the formation of a narrow pattern by preventing the deformation of a photoresist pattern for ArF.
    ArF用フォトレジストパターンの変形を抑え、狭いパターンの形成が可能な半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • ArF EXCIMER LASER, KrF EXCIMER LASER, AND FLUORINE LASER
    ＡｒＦエキシマレーザ装置、ＫｒＦエキシマレーザ装置及びフッ素レーザ装置 - 特許庁
  • ARF OR KRF EXCIMER LASER DEVICE FOR EXPOSURE, AND FLUORINE LASER DEVICE
    露光用ＡｒＦ、ＫｒＦエキシマレーザ装置及びフッ素レーザ装置 - 特許庁
  • To provide a method of forming a pattern using an ArF laser beam, which prevents deformation or the defective shaping of the pattern formed on a photosensitive film.
    感光膜に形成されるパターンの変形や形状不良を抑制できるArFレーザ光を用いるパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
  • A preferred embodiment in an ArF excimer laser system is configured as a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) and specifically designed for use as a light source for integrated-circuit pattern lithography.
    好適な実施形態は、MOPAとして構成され、特に集積回路パターン転写用の光源用として設計されたArFエキシマレーザシステムである。 - 特許庁
  • To solve the problem that a precise pattern can not be formed in an ArF resist for exposure to ArF excimer laser light because of inferior durability of the resist against fluorine-based dry etching.
    ＡｒＦエキシマレーザ露光用のＡｒＦレジストは、弗素系ドライエッチング耐性が劣るため精密なパターンを形成することができない。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC QUARTZ GLASS MEMBER FOR ArF EXCIMER LASER LITHOGRAPHY
    ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用合成石英ガラス部材の製造方法 - 特許庁
  • TREATMENT OF OPTICAL MATERIAL FOR ArF EXCIMER LASER AND OPTICAL MATERIAL
    ＡｒＦエキシマレ—ザ—用光学材料の処理方法及び光学材料 - 特許庁
  • A front side space volume and a backward side space volume are not equal, and an aperture area ARf of the first opening and an aperture area ARr of the second opening are not equal.
    前方側空間容積と後方側空間容積とが不等で第１開口部の開口面積ARfと第２開口部の開口面積ARrとが不等である。 - 特許庁
  • To provide a new negative resist composition suitable for an ArF excimer laser.
    ＡｒＦエキシマレーザー用として好適な新規ネガ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁
  • HIGH-RELIABILITY MODULAR PRODUCTION HIGH-QUALITY NARROW- BAND HIGH-REPETITION RATE ArF EXCIMER LASER
    高信頼性・モジュラ製造高品質狭帯域高繰り返しレ—トＡｒＦエキシマレ—ザ - 特許庁
  • SYNTHETIC QUARTZ GLASS FOR ArF EXCIMER LASER, ITS MANUFACTURING METHOD AND USE THEREOF
    ＡｒＦエキシマレーザー用合成石英ガラス及びその製造方法並びにその用途 - 特許庁
  • To provide a new silicone copolymer with favorable transparency for short wavelength exposure such as an ArF exposure and suitable as an intermediate layer material used for microfabrication.
    ArF露光のような短波長露光での透過性がよく、さらに、微細加工に使用される中間層材料として好適な新規シリコーン共重合体を提供する。 - 特許庁
  • If a second pattern (110) is formed by using an SOG film, a hard mask pattern (111) having a pitch of 30 nm can be formed by using ASML1400 ArF DRY equipment that has, for example, a resolution ability of 60 nm.
    SOG膜による第２パターン(110)を形成すれば、例えば、60nmの解像能力を有するASML1400 ArF DRY装備を用いて30nmのピッチを有するハードマスクパターン(111)を形成できる。 - 特許庁
  • SYNTHESIZED QUARTZ GLASS MEMBER FOR HIGH POWER ArF EXCIMER LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    高出力ＡｒＦエキシマレーザー用合成石英ガラス部材およびその製造方法 - 特許庁
  • When water is charged into the inner holes and water is dropped from the above and a quartz glass window is covered on the inner holes and the glass window is irradiated with ArF laser having 193 nm wavelength, a cell chip in which the surface and the inner holes are hydrophilic is prepared.
    内孔に水を入れ、その上から水を垂らし石英ガラス窓を被せ、193nmのArFレーザー光を照射すると、表面と内孔が親水性であるセル・チップができる。 - 特許庁
  • To solve problems due to deformation of a photoresist pattern in an etching process using the photoresist pattern exposed with a light source whose wavelength is of 157 nm to 193 nm, that is, an F_2 or ArF laser.
    波長が157nmないし193nmである露光源、すなわちF2またはArFレーザで露光されたフォトレジストパターンを利用したエッチング過程における前記フォトレジストパターンの変形に伴う問題点を解決する。 - 特許庁
  • Further, in this state, the surface of the reflector 1 is irradiated by ArF laser beam of washing light.
    そして、この状態で、反射鏡１の表面に、洗浄光であるArＦレーザ光を照射する。 - 特許庁
  • To provide a method capable of preventing the distortion of a photoresist pattern, which is formed using a light source having wavelengths of 157 nm to 193 nm, for example, an ArF laser or fluorination (F_2) laser source, and thus forming a smaller pattern.
    157nmないし193nm波長の光源、例えば、ArFレーザまたはフッ化(F_2)レーザ光源を利用して形成されたフォトレジストパターンの変形を防止でき、より微細なパターンを形成できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • The photoresist composition can especially be used as a chemical amplification type photoresist composition suitable for ArF or KrF excimer laser lithography, ArF immersion exposure lithography, EB exposure lithography, and EUV exposure lithography.
    特に、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザリソグラフィならびにＡｒＦ液浸露光リソグラフィ、ＥＢ露光リソグラフィ、ＥＵＶ露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成として用いることができる。 - 特許庁
  • To provide treatment conditions in which highly precise etching can be realized by a high selection ratio without generating an ArF resist damage in a low dielectric constant film (low-k film, SiOCH) corresponding to an ArF resist mask.
    ＡｒＦレジストマスク対応の低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜、ＳｉＯＣＨ）において、ＡｒＦレジストダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。 - 特許庁
  • To provide a mask blank, a transfer mask and other components with excellent chemical resistance and excellent ArF irradiation resistance.
    優れた耐薬品性およびＡｒＦ照射耐性を有するマスクブランク、転写マスク等を提供する。 - 特許庁
  • Next, an EUV mask substrate 205 is irradiated with an Arf laser beam 204 through the photo mask 203.
    次に、ＥＵＶマスク基板２０５に対し、フォトマスク２０３を介してＡｒＦレーザ光２０４を照射する。 - 特許庁
  • To provide a resist cover film forming material having high transmittance to ArF laser beam or the like for an immersion exposure.
    液浸露光用のＡｒＦレーザ光等に対する透過率が高いレジストカバー膜形成材料。 - 特許庁
  • The resist film 4 is exposed with ArF excimer laser light 5 and patterned by development.
    レジスト膜４をＡｒＦエキシマレーザ光線５を用いて露光した後、現像してレジスト膜４をパターニングする。 - 特許庁
  • To provide a resist composition for reducing a developing defect, in an ArF excimer laser lithography or the like.
    ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等において、現像欠陥（ディフェクト）が少ないレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
  • When approximately 6 to 10 ppm of xeon, or 40 ppm of krypton is added to the ArF laser, performance is improved.
    ＡrＦレーザに約６−10ｐｐｍのキセノン、または40ｐｐｍのクリプトンを添加すると、性能が改善される。 - 特許庁
  • By incorporating nano-diamond into a photosensitive resin composition, high sensitivity not only to a g-line (wavelength; 436 nm) or an i-line (wavelength; 365 nm) but to a light source of a short wavelength such as a KrF excimer laser (248 nm) or an ArF excimer laser (193 nm) and improved plasma resistance are provided to the composition.
    感光性樹脂組成物にナノダイアモンドを含有させることにより、g線（波長436nm）、i線（波長365nm）、KrFエキシマレーザー（248nm）やArFエキシマレーザー（193nm）などの短波長の光源に対しても高感度でプラズマ耐性を高める。 - 特許庁
  • In this case, the resist 5 for KrF/ArF is first patterned, the SOG film 4 and the resist 3 for i-beam are dry-etched using the resist 5 for KrF/ArF as a mask, and the first insulating film 2 is dry-etched using the resist 3 as a mask.
    その際は、まずＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５をパターニングし、それをマスクにしてＳＯＧ膜４、ｉ線用レジスト３をドライエッチングし、そのｉ線用レジスト３をマスクにして第１の絶縁膜２をウェットエッチングする。 - 特許庁
  • To provide an ArF excimer lamp for narrowing the full width at half maximum of spectrum of ArF excimer light emitted therefrom, and efficiently emitting high purity light.
    この発明が解決しようとする課題は、ＡｒＦエキシマランプから放射されるＡｒＦエキシマ光のスペクトルの半値全幅を狭くし、純度の高い光を効率良く放射するＡｒＦエキシマランプを提供することにある。 - 特許庁
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