METHOD FOR PRODUCING POLYSUBSTITUTED ACENE COMPOUND 多置換アセン類の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING ACENE DIIMIDE COMPOUND アセンジイミド化合物の製造方法 - 特許庁
PROCESS FOR PRODUCING ACENE COMPOUND INDUCER THIN FILM アセン化合物誘導体薄膜の製造方法 - 特許庁
The substituted chalcogeno-acene compound is represented by formula (1). 式(1)で表される置換カルコゲノアセン化合物。 - 特許庁
POLYSUBSTITUTED ACENE DERIVATIVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 多置換アセン誘導体及びその製造方法 - 特許庁
The polysubstituted acene is represented by formulae (Ia) and (Ib). 一般式(Ia )及び(Ib )で表される多置換アセン。 - 特許庁
ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL MANUFACTURED USING ACENE-BASED COMPOUND アセン系化合物を利用した有機薄膜太陽電池 - 特許庁
NOVEL ACENE ORGANOSILYL COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 新規なアセン系有機シリル化合物およびその製造方法 - 特許庁
ACENE COMPOUND HAVING HIGH SOLUBILITY AND ELECTRONIC ELEMENT USING THE SAME 溶解性の高いアセン化合物およびそれを用いた電子素子 - 特許庁
The method for producing an acene diimide compound comprises a step of obtaining the acene diimide compound by reacting an acene dicarboxylic acid compound or a carboxylic derivative thereof with an isocyanate compound in the presence of a catalyst. 本発明のアセンジイミド化合物の製造方法は、アセンジカルボン酸化合物またはそのカルボン酸誘導体を、イソシアネート化合物と触媒存在下で反応させて、アセンジイミド化合物を得る工程を有する。 - 特許庁
NEW KETAL-CROSS LINKED ACENE COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 新規なケタール架橋型アセン系化合物およびその製造方法 - 特許庁
The polysubstituted acene is represented by, e.g. formula (Ia') and formula (Ib') (wherein, Prs are each an n-propyl group). 例えば例えば、(式中Prはn−プロピル基である) - 特許庁
SUBSTITUTED CHALCOGENO-ACENE COMPOUND AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING THE SAME 置換カルコゲノアセン化合物及び該化合物を含有する有機半導体デバイス - 特許庁
To provide a method easily producible of an acene diimide compound. 簡便にアセンジイミド化合物を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for simply producing a polysubstituted acene including a polysubstituted pentacene in high yield with good reproducibility and to provide a new polysubstituted acene. 多置換ペンタセンをはじめとする多置換アセンを簡易、高収率かつ再現性良く製造する方法および新規な多置換アセンを提供する。 - 特許庁
To provide a polyacene compound which is enabled to form acene-based organic semiconductor film of high mobility by a coating process. 高移動度のアセン系有機半導体膜を塗布法で形成できるポリアセン化合物。 - 特許庁
For obtaining the acene diimide compound, the method may include a step of obtaining 1,2-diol by subjecting an acene compound and vinylene carbonate to Diels-Alder reaction, and a step of obtaining the acene dicarboxylic compound by oxidative cleavage of the resulting 1,2-diol. 本発明の製造方法においては、アセンジカルボン酸化合物を得るために、アセン化合物とビニレンカーボネートとをDiels−Alder反応させて1,2−ジオールを得る工程と、得られた1,2−ジオールを酸化的開裂させてアセンジカルボン酸化合物を得る工程を有してもよい。 - 特許庁
To provide an acene compound which is useful as a semiconductor for an electronic device (e.g., thin-film transistor). 電子機器(例えば、薄膜トランジスタ)の半導体として有用なアセン類化合物の提供。 - 特許庁
The acene compound inducer thin film is produced by depositing vapor of an acene compound inducer shown by formula (1) on a substrate, and the long axis of a molecule in the thin film shown by formula (1) is oriented in the direction perpendicular to the surface of the substrate in the process for producing the acene compound inducer thin film. 本発明は、式(1)で示されるアセン化合物誘導体の蒸気を基板に蒸着させてなる結晶性アセン化合物誘導体有機半導体薄膜であり、該薄膜において式(1)の分子の長軸を基板面に垂直方向に配向されたことを特徴とするアセン化合物誘導体薄膜の製造方法である。 - 特許庁
The organic thin-film solar cell comprises a pn junction between acene system or acene system substituent compound 3 and C60 fullerene 4, and a pn junction between rubrene and C60 fullerene. 本発明では、アセン系又はアセン系置換化合物3とC60フラーレン4とのPN接合を備えた有機薄膜太陽電池とすることにより、高開放電圧を有する有機薄膜太陽電池が可能となった。 - 特許庁
An organic semiconductor element employing the acene compound inducer thin film obtained by the production process is also provided. 本発明は、さらに該製造方法で得られたアセン化合物誘導体薄膜を用いた有機半導体素子を提供する。 - 特許庁
An organic electronic material containing an acene-based compound represented with formula (1) is dissolved in a mixed solvent of cyclohexane and a solvent capable of dissolving the acene-based compound, and a substrate is coated with the solution to form the crystalline thin film of the organic electronic material. 式(1)で表されるアセン系化合物を含む有機電子材料を、シクロヘキサンと、アセン系化合物を溶解しうる溶媒との混合溶媒に溶解させ、その溶液を基板に塗布して該有機電子材料の結晶性薄膜を形成する。 - 特許庁
To provide a crystalline thin film consisting of crystal grains of uniform and large grain size while it is easy to handle a solution in which an acene-based compound is dissolved. アセン系化合物を溶解させた溶液の取り扱い性に優れ、均一かつ、粒径の大きな結晶粒で構成された結晶性の薄膜を提供する。 - 特許庁
A development roller has a shaft core body and a surface layer, and the surface layer contains an acene compound and an electron-conductive filler. 軸芯体と、表面層とを有する現像ローラであって、該表面層が、アセン化合物と電子導電性フィラーとを含有していることを特徴とする現像ローラ。 - 特許庁
To provide a new acene compound precursor capable of efficiently preparing a highly regular electroconductive thin film according to a simple method and to provide a method for producing the precursor. 規則性の高い導電性薄膜を簡易な方法で効率良く作成することができる新規なアセン系化合物前駆体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Fluorine (F) is added at the benzene ring central part in the long chain direction of an acene compound to increase stability of oxidation resistance and the like and functional groups are added at both ends in the long chain direction to increase solubility to organic solvents so that the acene compound is widely usable in production of electronic devices as an organic semiconductor not only in dry processes but also in wet processes. アセン化合物の長鎖方向のベンゼン環中心部にフッ素(F)を付加し、耐酸化性等の安定性を向上させ、かつ、長鎖方向の両端に官能基を付加して、有機溶媒への溶解性を向上させ、有機半導体としてドライプロセスだけでなくウェットプロセスでも電子デバイスの製造に広く適用するものである。 - 特許庁
Provided is a method for producing an organosilyl compound having a reactive silyl group as a terminal group, which comprises reacting an acene compound having a halogen substituent at a terminal thereof with a hydrosilane. 末端にハロゲン置換基を有するアセン系化合物をヒドロシラン類と反応させることを特徴とする末端に反応性シリル基が結合したアセン系有機シリル化合物の製造方法。 - 特許庁
The organic semiconductor materials constituting the doping layer and organic semiconductor layer must be the same organic semiconductor material and, in addition, it is preferable to use an acene-based compound as the organic semiconductor material. そして、ドーピング層と有機半導体層とを構成する有機半導体材料は同一の有機半導体材料である必要があり、なかでもアセン系化合物が好ましい。 - 特許庁
The polyacene compound has ≥1 but ≤4 condensed rings in total on an acene ring at the longitudinal direction end of a molecule and has such a structure as represented by chemical formula (I). 分子の長軸方向端部のアセン環に合計で1個以上4個以下の縮合環が備えられたポリアセン化合物であって、下記の化学式(I)で表されるような構造を有する。 - 特許庁
In the formula, A is an acene structure wherein three or more rings are condensed, L_1 a bivalent binding group, R_1 to R_5 groups selected out of a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, etc., and (m) and (n) integers of 1 to 4. (Aは3環以上が縮合したアセン構造、L_1は2価の連結基、R_1〜R_5は水素原子、アルキル基、アルケニル基等から選ばれる基、m及びnは1〜4の整数。) - 特許庁
To provide a novel acene organosilyl compound having a reactive silyl group as a terminal group (especially, a highly electroconductive one having a large ring structure) and to provide a method for producing the same simply with a high yield. 末端に反応性シリル基が結合した新規なアセン系有機シリル化合物(特に、導電性の高い大きな環構造を有するもの)およびその簡便かつ高収率な製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a substituted chalcogeno-acene compound that can be used for an organic semiconductor device and to provide an organic semiconductor device having a sufficient carrier field effect mobility using the above compound. 有機半導体デバイスに用いることのできる置換カルコゲノアセン化合物を提供するとともに、該化合物を用いた、キャリア電界効果移動度が十分な有機半導体デバイスを提供する。 - 特許庁
The photoelectric converting film has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and at least one of the p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer contains an acene-based compound having a substituent. p型半導体層とn型半導体層を有し、該p型半導体層およびn型半導体層の少なくともいずれかが置換基を有するアセン系化合物を含む光電変換膜。 - 特許庁
The organic thin film transistor having an organic semiconductor layer wherein the organic semiconductor layer includes a fluorinated acene compound which is represented by an equation C_4n+2F_2n+4, where n is an integer of 2 or over. 有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層は、式C_4n十2F_2n十4で表され、nが2以上の整数であるフッ素化アセン化合物を含む。 - 特許庁
The organic semiconductor material is, for example, (1) acene molecule material of naphthalene or the like, (2) pigment of phthalocyanine system compound or the like, (3) low molecule compound of hydrazone compound or the like, or (4) polymer compound of poly-N-vinyl calbazole or the like. 前記有機半導体材料は、例えば、▲1▼ナフタレン等のアセン分子材料、▲2▼フタロシアニン系化合物等の顔料、▲3▼ヒドラゾン化合物等の低分子化合物、又は、▲4▼ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子化合物である。 - 特許庁
To provide a method for forming a thin film for organic thin film solar cell which provides an organic thin film solar cell superior in efficiency by an applying method capable of obtaining a large area easily and at low cost by using an acene-group compound. アセン系化合物を用いて、大面積化が容易であり、低コスト化が可能となる塗布法によって、効率の良い有機薄膜太陽電池を与える有機薄膜太陽電池用薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁
In the formula, A denotes an acene structure in which three rings or more are condensed, L_1 denotes bivalent coupled group, Q_1 denotes a substituent having singlet oxygen quenching function, and m denotes an integer of 1-4. 一般式(1) A−(L_1−Q_1)_m 式中、Aは3環以上が縮合したアセン構造を表し、L_1は2価の連結基を表し、Q_1は一重項酸素消光機能を有する置換基を表し、mは1〜4の整数を表す。 - 特許庁
The condensed ring is formed by connecting, with a coupler such as chemical formula (II), the adjoining two carbon atoms of those of the acene ring formed by bonding R_1, R_2, R_3, R_4, R_5, R_6, R_7 and R_8 in chemical formula (I). 前記縮合環は、化学式(I)中のR_1,R_2,R_3,R_4,R_5,R_6,R_7,R_8が結合したアセン環の炭素原子のうち隣接する2つが、化学式(II)のような連結基で連結されて形成されたものである。 - 特許庁
To provide a method for inexpensively producing an organic thin film of an acene-based polycyclic aromatic hydrocarbon, which can produce the thin film into a uniform film thickness of a nano-order level, and can precisely control the film thickness of the thin film to be obtained. アセン系多環芳香族炭化水素の有機薄膜の製造方法であって、該薄膜をナノオーダーレベルの均一な膜厚で製造でき、得られる薄膜の膜厚を精密に制御することができる、低コストの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The photopolymerizable composition contains: (a) a radical polymerizable compound and/or a cation polymerizable compound; (b) a diacryl iodonium salt; (c) a sensitizer containing one or more kinds selected from a group consisting of cyanine dyes, coumarin dyes, xanthene dyes, thioxanthene dyes, acene dyes, merocyanine dyes and thiazolium dyes; and (d) a sensitizer assistant comprising a metallocene compound. (a)ラジカル重合性化合物および/またはカチオン重合性化合物、(b)ジアリールヨードニウム塩、(c)シアニン系色素、クマリン系色素、キサンテン系色素、チオキサンテン系色素、アセン系色素、メロシアニン系色素およびチアゾリウム系色素からなる群から選択される1種または2種以上を含む増感剤、および(d)メタロセン系化合物からなる増感助剤、を含む、光重合性組成物。 - 特許庁
In the perpendicular magnetic recording medium including a substrate 1, a soft magnetic layer 3 formed on one principal surface side of the substrate 1, a non-magnetic layer 4 formed in contact with the soft magnetic layer 3, an intermediate layer 6 formed on the non-magnetic layer 4 and a perpendicular recording layer 7 formed in contact with the intermediate layer 7, an acene coated film is used as the intermediate layer for enhancing surface flatness. 基板1と、前記基板1の一主面側に形成された軟磁性層3と、前記軟磁性層3に接触して形成された非磁性層4と、前記非磁性層4上に形成された中間層6と、前記中間層6に接触して形成された垂直記録層7とを備えた垂直磁気記録媒体において、前記中間層として表面平坦性を向上させるため、アセン塗布膜を用いる。 - 特許庁