「Array」を含む例文一覧(31490)

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  • When the TFD array substrate is applied to the liquid crystal device, the liquid crystal device whose liquid crystal display panel is less likely to break, even when pressurization force is applied to a display panel surface can be formed.
    よって、このTFDアレイ基板を液晶装置に適用すれば、表示パネル面に押圧力が付与された場合でも液晶表示パネルが割れ難い液晶装置を構成することができる。 - 特許庁
  • The ultrasonic probe comprises a plurality of MUT elements (Micromachining Ultrasound Transducers) 14 and 15 with at least two kinds of different calibers, which are disposed on the same substrate 13, and array elements 12 for driving the MUT elements with the common voltage.
    同一基板13上に、口径が2種類以上相違する複数のMUT素子14,15を配設し、これらMUT素子を共通の電圧で駆動させるアレイ素子12を、具備している。 - 特許庁
  • Efficient mounting is achieved by providing multiple paths in a predetermined direction as one of paths between input/output means of a processor array in accordance with a data processing flow.
    プロセッサアレイにおける入出力制御手段間の経路の内少なくともひとつを、データ処理フローに合せて、所定の方向に多重に持たせることで、効率よく実装することが可能となる。 - 特許庁
  • A write circuit 11 in an inspection device 10 select a signal line Dc from a plurality of signal lines on an array substrate and applies a write potential VD to the signal line Ds during a write period.
    検査装置10内の書込回路11は、アレイ基板1上の複数の信号線の中から信号線Dcを選択し、書込期間中、信号線Dcに書込電位VDを印加する。 - 特許庁
  • This device comprises a memory cell array, a global word line, a global decoder circuit, a local decoder circuit, and a sector selection circuit, a word line selection switch of a global decoder circuit 110 is constituted of two NMOS transistors 200 and 202.
    メモリセルアレイ、グローバルワードライン、グローバルデコーダ回路、ローカルデコーダ回路およびセクタ選択回路を含み、グローバルデコーダ回路110のワードライン選択スイッチは2つのNMOSトランジスタ200,202で構成される。 - 特許庁
  • A memory array (25) and an addressing circuit (30) are formed by creating a circuit element (26) in the cross-point of two layers (70, 76) made of an electrode conductor, and the two layers are separated by a semiconductor material layer (72).
    メモリアレイ(25)とアドレス指定回路(30)が、電極導体の2つの層(70,76)の交点に回路エレメント(26)を作成することにより形成され、それらの2つの層は半導体材料の層(72)により分離される。 - 特許庁
  • The bit cells 12 of the prescribed numbers are accessed by receiving addresses, and a reset signal utilized for enabling a sense amplifier 34 sampling bit lines of the SRAM array 11 is generated.
    アドレスを受け取ることによって所定数のビットセル12にアクセスされ、SRAMアレイ11のビット線をサンプリングするセンス増幅器34を可能にするために利用されたリセット信号を発生させる。 - 特許庁
  • To provide a wavelength selection switch using an array waveguide diffraction grating multiplexer having polarization dependence which does not require a polarized beam displacer for spatially shifting an output light beam position.
    出力光ビーム位置を空間的にシフトさせるための偏波ビームディスプレーサを不要とする、偏光依存性を有するアレイ導波路回折格子合波器を用いた波長選択スイッチを提供する。 - 特許庁
  • In an electrode which contains silicon, and particles having an array of particle cores and silicon-containing pillars elongating therefrom as one of its active material, the particles are silicon or a mixture of silicon and germanium.
    シリコンを含み、粒子コア及びそれらから伸長したシリコン含有ピラーのアレイを有する粒子をその活物質の一つとして含む電極であって、該粒子はシリコン又はシリコンゲルマニウム混合物である。 - 特許庁
  • The microlens array 22 includes the microlens formation region 25 corresponding to the effective pixel region of an imaging element and a dummy microlens formation region 26 disposed at the periphery of the microlens formation region 25.
    マイクロレンズアレイ22は、撮像素子の有効画素領域に対応するマイクロレンズ形成領域25と、マイクロレンズ形成領域25の周囲に配置されるダミーマイクロレンズ形成領域26とを含んでいる。 - 特許庁
  • The column control circuit 2 and the row control circuit 3 makes parasitic capacitance of the memory cell MC which is included in a unit cell array MAT00 and in which re-writing is not performed accumulate the prescribed electric charges at a time t 11.
    カラム制御回路2及びロウ制御回路3は、単位セルアレイMAT00に含まれ且つ書き換えを行わないメモリセルMCの寄生容量に、時刻t11で所定の電荷を蓄積させる。 - 特許庁
  • A first conductive film for forming a plurality of word lines is formed in the memory cell array forming region of a non-volatile semiconductor storage device, and a second conductive film is formed in a semiconductor device forming region.
    不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ形成領域に複数のワード線を形成するための第1の導電膜と半導体装置形成領域に第2の導電膜を形成する。 - 特許庁
  • A smart card module comprises a substrate having a substrate upper surface and a substrate lower surface, a contact array disposed on the substrate lower surface, and a conductor structure including a via, which is disposed on the substrate upper surface.
    スマートカードモジュールには、基板上面と基板下面とを有する基板と、該基板下面に配置されたコンタクトアレイと、該基板上面に配置された、ビアを含む導体構造とが、備えられている。 - 特許庁
  • This allows pattern-recognition tools to be used to automatically "count" the cells necessary to navigate to the desired cell, without the large expenditure of time required to image the entire array.
    これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 - 特許庁
  • One part of a memory cell array 1 consisting of nonvolatile memory cells being electrically rewritable is decided as a initial setting data region 3 for storing initial setting data prescribing memory operation conditions.
    電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルからなるメモリセルアレイ1の一部が、メモリ動作条件を規定する初期設定データを記憶するため初期設定データ領域3として予め定められている。 - 特許庁
  • The power generation apparatus 1 has an array surface 15, divided into a plurality of sectioned spaces 16 by laying wires 31 and 32 in a lattice shape, on a plurality of racks 10 installed at fixed intervals.
    この発電装置1は、一定間隔を隔てて複数設置した架台10に、ワイヤー31、32を格子状に架け渡して複数の区画空間16に分割された配列面15を形成する。 - 特許庁
  • Image light beam is shifted by an arbitrary distance in the array direction of pixels by an optical path deflection means 9 using a Bragg diffraction element having a polymer distributed liquid crystal structure disposed just before a screen 6.
    スクリーン6の直前に配置したポリマー分散液晶構造のブラッグ回折素子を用いた光路偏向手段9によって、画像光を画素の配列方向に任意の距離だけシフトする。 - 特許庁
  • At least 2 of the plurality of test regions, in a preferred embodiment at least 20 of the test regions, are substantially identical, wherein each of the test regions includes an array of general anchor molecules.
    その試験領域複数の中で少なくとも2個、好適な態様では少なくとも20個が実質的に同等であり、その試験領域は各々一般的なアンカー分子のアレイを有する。 - 特許庁
  • In a write operation, write data Di in the register part are input via a common data input bus (RWL=1), and successively write data Di in the memory cell array are input (MWL=4).
    書き込み動作時は、共通のデータ入力バスを介してレジスタ部に対する書き込みデータDiを入力し(RWL=1)、続いてメモリセルアレイに対する書き込みデータDiを入力する(MWL=4)。 - 特許庁
  • Since the aperture area ratio of the array substrate 3 is enhanced, the change amount of light emission of an etching gas during dry-etching is made high and timing of just-etching can be easily detected by detecting the change amount.
    アレイ基板3の開口面積率が向上するので、ドライエッチング中のエッチングガスの発光の変化量が大きくなり、この変化量を検出することでジャストエッチングのタイミングを容易に検出できる。 - 特許庁
  • When read and write requests are outputted from a master device to the disk array, an address conversion part 4 refers to a disk constitution table and converts the addresses of the virtual disk devices into the addresses of the real disk devices.
    上位装置からのディスクアレイに対するリードおよびライト要求時、アドレス変換部4は、ディスク構成テーブルを参照して、仮想ディスク装置上のアドレスを実ディスク装置上のアドレスに変換する。 - 特許庁
  • The reproduction list generation part sets reproduction sequence for reproducing the interval set by the interval identification part, by description corresponding to the array of identification information or the reproduction sequence of the identification information.
    再生リスト生成部は、区間識別部が設定した区間を再生するための再生順を、識別情報の配列または、識別情報の再生順に対応する記述により設定する。 - 特許庁
  • At a receiving mode, the control circuit 206 reads out a set value corresponding to a received wave frequency from the storage circuit 207 to output the set value to the capacitance array 201 as the capacitance-selecting signal S1.
    受信モード時、制御回路206は受信電波の周波数に対応する設定値を記憶回路207から読み出し、容量選択信号S1としてコンデンサアレイ201に出力する。 - 特許庁
  • This disk array apparatus forming an RAID1 system for writing the same data therein by using two units of disk devices (master HDD1, master HDD2) as a set comprises an additional backup HDD3.
    2台のディスク装置(マスタHDD1,マスタHDD2)を1組として同一データを書き込むRAID1システムを構成するディスクアレイ装置において、さらにバックアップ用HDD3を備える。 - 特許庁
  • To provide an embedded ball grid array substrate in which a core layer includes a cavity in which a semiconductor chip is mounted to reduce the thickness, and its manufacturing method.
    コア層に空洞(cavity)を形成し、形成された空洞に半導体チップを内装して、厚さを減らすことができるようにした埋め込みボールグリッドアレイ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an optical connector capable of easily mounting optical elements of a semiconductor laser and a photodiode or the like by using a microlens array on an optical / electronic consolidated substrate having an optical waveguide or an optical fiber.
    光導波路または光ファイバを有する光・電子混載基板上にマイクロレンズアレイを用いて半導体レーザやフォトダイオードなどの光素子を容易に実装できる光接続装置を提供する。 - 特許庁
  • First channel waveguides 102_1-102_3 of the array waveguide grating are connected with a first fan-shaped slab waveguide 105 through first - third exponential optical waveguides 111_1-111_3.
    アレイ導波路格子の第1のチャネル導波路102_1〜102_3は、第1〜第3の指数関数形状光導波路111_1〜111_3を介して第1の扇形スラブ導波路105と接続されている。 - 特許庁
  • To output detection signals from each magnetic sensor without being affected by overlapping from adjacent magnetic domains adjacent in the arrangement direction of magnetic sensors in the case of detecting a magnetized carrier through the use of a magnetic sensor array.
    磁気センサアレイを用いて磁化担体を検知する場合に、磁気センサの配列方向で隣接する隣接磁区からのオーバーラップの影響を受けずに、各磁気センサから検出信号を出力させる。 - 特許庁
  • The matrix arithmetic processing section 6 calculates a correlation matrix Φ0 of the received signals x1-x4 from each antenna and its inverse matrix Φ0-1 and gives them to the adaptive array signal processing sections 3-5 corresponding to the users.
    行列演算部6では各アンテナからの受信信号x1〜x4の相関行列Φ_0とその逆行列Φ_0^-1を計算し、各ユーザ対応のアダプティブアレー信号処理部3〜5に供給する。 - 特許庁
  • A pad oxidized film 52 and an antioxidizing film are laminated on the cell array region and peripheral circuit region of a semiconductor substrate 50, and the pad oxidized film 52 and the antioxidizing film are etched in part.
    半導体基板50のセルアレイ領域及び周辺回路領域上にパッド酸化膜52及び酸化防止膜を積層し、パッド酸化膜52及び酸化防止膜を部分的にエッチングする。 - 特許庁
  • At predetermined positions on an array substrate 12, the spacer 15, and a particle 47 for adhesion which has a core 49 smaller than the spacer and an adhesive layer 48 formed around the core 49 are disposed by an inkjet device.
    アレイ基板12の所定位置に、スペーサ15と、このスペーサ15よりも小さい核49およびこの核49の周囲に形成した接着層48を有する接着用粒子47とをインクジェット装置により配置する。 - 特許庁
  • To provide an inexpensive probe contact device with a low inductance, high density contacts useable for inspection of an area array integrated circuit, and equipped with a high speed means for production, alternation, or repair.
    低インダクタンスで、エリアアレイ集積回路の検査用に構成できる高密度コンタクトを有する、製造、変更または修理の高速手段を備えた低コストのプローブコンタクト装置を提供すること。 - 特許庁
  • The function IC chip 3 is pressed toward the IC chip 2 for control by a heat radiating plate 4 abutted onto the upper surface of the function IC chip 3, and the contact state of the ball grid array and the electrode 23 is maintained.
    機能ICチップ3の上面に当接される放熱板4によって機能ICチップ3を制御用ICチップ2の方向に押圧して、ボールグリッドアレイと電極23の接触状態を維持する。 - 特許庁
  • To provide a disk array control device considering characteristics of data stored in a cache memory and a shared memory and access characteristics to these memories and having high throughput and a short response time.
    キャッシュメモリ及び共有メモリに格納されるデータの特性及びこれらのメモリへのアクセス特性を考慮した、スループットが高く、かつ、応答時間の短いディスクアレイ制御装置を提供することにある。 - 特許庁
  • The signal reading-out from the magnetic sensor array 5 by the signal reading circuit 11 is repeated several times by a repetition processing means 13, and the signals read out repeatedly are integration- or average-processed.
    繰り返し処理手段13により、信号読出し回路11による磁気センサアレイ5の信号読出しを数回繰り返させ、この繰り返し読み出された信号を積算または平均化処理する。 - 特許庁
  • Beams emitted by a laser array 14 pass through a diffraction grating 12, thereby, are separated into the zero-order diffraction light (real line), the +first-order and -first-order diffraction light (broken line) and form an image on a polygon mirror 20.
    レーザアレイ14にて射出されたビームは回折格子12を通過することによって0次回折光(実線)と+1次および−1次回折光(破線)とに分離されて、ポリゴンミラー20上に結像する。 - 特許庁
  • To achieve simplification of the assembly work of an optical transmitter by collectively connecting a semiconductor laser array and an optical branching filter with a ribbon fiber relating to an optical transmitter of optical wavelength multiplex communication.
    光波長多重通信の光送信器に関するものであり、半導体レーザアレイと光分波器とをリボンファイバで一括接続して、光送信器の組み立て作業の簡略化を目的としている。 - 特許庁
  • The ferroelectric memory element is directly connected to ferroelectric capacitors arranged on at least two rows in which one expanded plate lines adjoin each other in a cell array region.
    この強誘電体メモリ素子は一つの拡張されたプレートラインがセルアレイ領域内で隣り合う少なくとも二つの行上に配列された強誘電体キャパシタと直接的に接続される。 - 特許庁
  • An array substrate 1 is provided thereon with spacer projections 15 and simultaneously the points enclosing pixel regions 3 are provided with two pieces of parallel fence-like projections 11 and 12 of approximately the same projecting dimensions as those of the spacer projections 15.
    アレイ基板1上には、スペーサ突起15を設けると同時に、画素領域3を囲む個所に、スペーサ突起15と略同一の突出寸法の2本並列の垣根状突起11,12を設ける。 - 特許庁
  • To provide a sensor array which identifies the kind of a microorganism, a bacterium, a virus, pollen or the like so as to be capable of being quantitatively measured stably when the microorganism, the bacterium, the virus, the pollen or the like coexists in air or water.
    大気中や水中に微生物、細菌、ウイルス、花粉等が共存している場合において、その種類の同定をしつつ安定した定量的な測定が可能なセンサアレイを提供する。 - 特許庁
  • A system control section 62 identifiers the position of the pointed-out defective pixel in response thereto and stores it in the coordinate memory 24 as positional information denoting coordinates in an image pickup cell array 26 of the solid-state image pickup device 22.
    これに応動してシステム制御部62は、その指示された欠陥画素の位置を識別し、固体撮像デバイス22の撮像セルアレイ26における座標を示す位置情報として座標メモリ24に記憶させる。 - 特許庁
  • A semiconductor laser device 1A is provided with a semiconductor laser array 3 that is formed by juxtaposing a plurality of active layers 2 along the direction of throw, and outputs laser beams from the front end face 2a side of the active layer 2.
    半導体レーザ装置1Aは、複数の活性層2がスロー方向に沿って並設されてなる半導体レーザアレイ3を備えており、その活性層2の前端面2a側からレーザ光を出力する。 - 特許庁
  • To provide an imaging apparatus in which deterioration of image quality resulting from the shift of scanning timing of laser beams from a plurality of laser light emitting elements built in a laser diode array, or the like, can be prevented.
    レーザダイオードアレイ等に組み込まれた複数のレーザ発光素子からのレーザビームの走査タイミングのずれから生じる画像品質の劣化を防止する事ができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁
  • Conditional operation parallelism can be widely varied, for example, from mono-processing to octal-processing in VLIW execution, and across an array of processing elements (PEs) by varying the number of the flags.
    フラグの数を変えることによって、条件付きオペレーションの並列性は、例えばVLIW実行での単一の処理からオクタル処理まで、かつ処理要素のアレイにわたって広範に変化することができる。 - 特許庁
  • Meanwhile, in a read operation, read data Do from the register unit are output via the common data output bus (RRL=2), and successively read data Do are output from the memory cell array (MRL=5).
    一方、読み出し動作時は、共通のデータ出力バスを介してレジスタ部からの読み出しデータDoを出力し(RRL=2)、続いてメモリセルアレイからの読み出しデータDoを出力する(MRL=5)。 - 特許庁
  • For multiplication and addition, a large array in the hardware structure is partitioned into small structures and then a multiplier which includes a series of nearly identical elements linked together in a chained fashion can be designed.
    乗算及び加算のための、ハードウェア構造内の大きなアレイを、小さな構造に区分化することにより、チェーン状にリンクされる一連のほぼ同一の処理要素を含む乗算器設計が可能になる。 - 特許庁
  • The DRAM core 104 is provided with decoding circuits 125, 126 which are provided corresponding respectively to the operation modes, decode corresponding control signals, and generate an internal control signal for a memory cell array 121.
    DRAMコア104は、動作モードにそれぞれ対応して設けられ、対応する制御信号をデコードして、メモリセルアレイ121に対する内部制御信号を生成するためのデコーダ回路125、126を備える。 - 特許庁
  • To provide a hinge used with a dual axis micromirror such as an MEMS array and a parallel plate electrostatic operation, that allows for a compliant torsional rotation while simultaneously restricting net vertical and horizontal displacement.
    MEMSアレイなどの二重軸ミクロミラーと、平行プレート静電動作で使用されるヒンジにおいて、正味の縦横変位を同時に制限しながら、コンプライアントなトーション回転を可能にする。 - 特許庁
  • A cholesteric liquid crystal layer 57 is disposed on an incidence route of external light L3 made incident on the PIN diode 45, on the array substrate 14, and nearer to the color filter substrate 15 side than to the PIN diode 45.
    PINダイオード45に入射される外光L3の入射経路上であってアレイ基板14上に、且つPINダイオード45よりもカラーフィルタ基板15側に、コレステリック液晶層57を設けた。 - 特許庁
  • Each memory segment 11 has a second data bus DQAn including a larger number of signal lines than the first data bus DQn wherein the signal lines are connected with respective bit lines of a memory sub-array 13.
    各メモリセグメント11は第1のデータバスDQnよりも信号線の本数が多い第2のデータバスDQAnを備え、この信号線はメモリサブアレイ13のビット線とそれぞれ接続されている。 - 特許庁
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