「BMR」を含む例文一覧(9)
- Accordingly, a large number of the mutually parallel micro-current paths are formed to a BMR element 10.
したがって、ＢＭＲ素子１０には、互いに並列な多数の微小電流路が形成されている。 - 特許庁 - When BMR is set on the basal metabolic rate (kcal/day), FFM on the free-fat mass (kg), and A, B, C on constants, the basal metabolic rate can be calculated by the equation: BMR=A×FFM+B×(1/age)+C.
基礎代謝量（ｋｃａｌ／日）をＢＭＲとし、除脂肪量（ｋｇ）をＦＦＭとしそして定数をＡ、Ｂ、Ｃとすれば、基礎代謝量は、ＢＭＲ＝ＡｘＦＦＭ＋Ｂｘ（１／年齢）＋Ｃで表わされる式を用いて計算できる。 - 特許庁 - When the basal metabolic rate (kcal/day) is denoted as BMR, the lean body mass (kg), FFM, and constants A, B and C, the basal metabolic rate can be computed by using the expression BMR=AxFFM+Bx (1/age)+C.
基礎代謝量（ｋｃａｌ／日）をＢＭＲとし、除脂肪量（ｋｇ）をＦＦＭとしそして定数をＡ、Ｂ、Ｃとすれば、基礎代謝量は、ＢＭＲ＝ＡｘＦＦＭ＋Ｂｘ（１／年齢）＋Ｃで表わされる式を用いて計算することができる。 - 特許庁 - When a voltage is applied between an electrode layer 1c and the electrode layer 2c, a current passing through the micro-current paths is made to flow in the layer-thickness direction of the BMR element 10.
電極層１ｃと電極層２ｃとの間に電圧を印加すると、ＢＭＲ素子１０の層厚方向に微小電流路を通過する電流が流れる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect element that is stable in a free layer and a magnetic domain at a nano-junction and is high in sensitivity in the magnetroresistance effect element for magnetic heads having BMR effect.
ＢＭＲ効果を有する磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子において、自由層やナノ接合部の磁区の安定性や感度の高い磁気抵抗効果素子の作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance effect element that is stable in a free layer and a magnetic domain at a nano-junction and is high in sensitivity in the magnetroresistance effect element for magnetic heads having BMR effect, and to provide a method for manufacturing the magnetoresistance effect element.
ＢＭＲ効果を用いた磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子において、自由層やナノ接合部の磁区の安定性や感度の高い磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The magnetoresistive head is for a current-perpendicular to plane type and applicable to both giant magnetoresistive (GMR) system and ballistic magnetoresistive (BMR) system.
この磁気抵抗ヘッドは膜面垂直電流種用であり、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）方式或いはバリスティック磁気抵抗（ＢＭＲ）方式のいずれにも使用することができる。 - 特許庁 - Prior to burying the Al-CVD film P1, the control section sputters a part of the metal nitride film BM2 positioned on the bottom of the via hole VH to form a re-adhesive nitride film BMr on the side wall of the bottom of the via hole VH.
そして、制御部は、Ａｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を埋め込む前に、ビアホールＶＨの底部に位置する金属窒化膜ＢＭ２の一部をスパッタし、ビアホールＶＨの底部の側壁に再付着窒化膜ＢＭｒを形成させた。 - 特許庁 - To provide medicines for the treatment and management of disorders/conditions such as obesity, low BMR (Basal Metabolic Rate), hyperglycaemia, hypertension, hypercholesterolemia, type 2 diabetes mellitus, migraine, osteo-arthritis, joint degeneration/inflammation, clinical depression, menopausal syndrome, aging syndrome, circulation syndrome, capillary degeneration, reduced cognitive and memory functions, hearing loss and sexual dysfunction, and methods therefor.
肥満、低ＢＭＲ、高血糖、高血圧、高コレステロール血症、２型糖尿病、片頭痛、変形性関節炎および関節の変性／炎症、臨床的うつ病、更年期障害、老化症候群、循環症候群、毛細血管の変性、認識および記憶の機能の低下、難聴、性機能障害、などの障害／状態の治療及び管理のための医薬及びその方法の提供。 - 特許庁
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