「BVDs」を含む例文一覧(6)
- To provide a high withstand voltage MOS transistor, having a high source/drain withstand voltage Bvds of approximately 300 V and a low ON resistance.
３００Ｖ程度の高いソース・ドレイン耐圧Ｂｖｄｓを有するとともに、低いオン抵抗を有した高耐圧ＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁 - The analog switching circuit is configured with Nch-MOS transistors(TRs) 2a, 2b with a high drain-source breakdown voltage BVDS, a low gate-source breakdown voltage BVGS and a low threshold voltage VT and with a Pch-MOS TR 2c with high BVDS and BVGS.
ドレイン・ソース間耐圧ＢＶＤＳが高く、ゲート・ソース間耐圧ＢＶＧＳが低く、しきい値電圧ＶＴが低いＮｃｈ−ＭＯＳトランジスタ２ａ，２ｂと、ＢＶＤＳ，ＢＶＧＳが高いＰｃｈ−ＭＯＳトランジスタ２ｃとでアナログスイッチ回路が構成される。 - 特許庁 - To provide an MOS transistor having a high source-drain breakdown voltage BVds and high current driving capability even at a low on-resistance.
高いソース・ドレイン耐圧ＢＶｄｓを有するとともに、低いオン抵抗であって電流駆動能力の高いＭＯＳトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁 - Nch-MOS TRs 2e, 2d with high BVDS and BVGS are connected to an inter-source connecting point 2S between the Nch-MOS TRs 2a, 2b.
さらにＮｃｈ−ＭＯＳトランジスタ２ａと２ｂのソース間接続点２ＳにＢＶＤＳ，ＢＶＧＳが高いＮｃｈ−ＭＯＳトランジスタ２ｅ，２ｄが接続される。 - 特許庁 - A surge protective circuit 2 clamps a surge voltage applied to a power source supply terminal Vcc by BVDS(breakdown voltage between a source and a drain) of MOS transistors MZ1, MD2, and absorbs surge energy.
サージ保護回路２は、ＭＯＳトランジスタＭＺ１、ＭＺ２のＢＶＤＳ(ソース・ドレイン間ブレークダウン電圧)により電源受給端子Ｖ_CC に印加されたサージ電圧をクランプし、サージエネルギを吸収する。 - 特許庁 - To prevent a dielectric breakdown voltage BVDS between a source and a drain of a DMOS transistor from being lowered owing to occurrence of dielectric breakdown in a part of a high-concentration N-type drift layer 5 formed in an active region 14 in the vicinity of a field oxide film corner part 19 surrounding an end E in a gate width direction.
ゲート幅方向端部Ｅを取り囲むフィールド酸化膜コーナー部１９近傍の活性領域１４に形成された、高濃度Ｎ型ドリフト層５の部分で絶縁破壊することにより、ＤＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間絶縁破壊電圧ＢＶＤＳが低下することを防止する。 - 特許庁
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