「Back gate」を含む例文一覧(643)

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  • In this case, a constitution in which the back gate terminal is fixed to a high potential in response to the control signal or a constitution in which the gate terminal and the back gate terminal are short circuited may be performed.
    制御信号に応答してバックゲート端子を高電位に固定する構成、あるいはゲート端子とバックゲート端子とを短絡する構成も可能である。 - 特許庁
  • In addition, the remains of some buildings are also visible to the back-gate side to the southeast of the "Honmaru."
    そのほか、南東方向の搦手にも郭跡がみられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The major captain for the back gate party was Kuranosuke OISHI's legitimate son Chikara OISHI.
    裏門隊の大将は大石内蔵助の嫡男大石主税。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Then, the space provided with the etch back is filled with gate material.
    その後，エッチバックにて設けられたスペースにゲート材を充填する。 - 特許庁
  • Besides, I had to conserve my power so I could open the gate back home.
    帰りのゲートを開く力を残しとかなきゃならなかったし - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • At an upper end edge of the rear gate 5, a gate weather strip 15 with which a lower end edge of the back door comes into contact when the back door is closed is attached.
    リアゲート５の上端縁には、バックドアを閉じたときにバックドアの下端縁が接触するゲートウエザストリップ１５を取り付ける。 - 特許庁
  • The gate terminal becomes the same potential as that of a back gate terminal, and can prevent characteristic deterioration of the P-channel FET 12.
    ゲート端子がバックゲート端子と同電位になり、ＰチャンネルＦＥＴ１２の特性劣化を防止できる。 - 特許庁
  • Hangan's vassals including Yuranosuke and Rikiya divide into two groups, namely those for the front gate and those for the back gate, and they raid Moronao's residence.
    由良之助、力弥ら判官の家臣たちは表門と裏門に分かれて師直邸へ討ち入る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • An impurity diffusing layer which may be used for isolation of elements is formed of a back gate, and a diffusing layer adjacent to the diffusing layer to form the back gate is formed of a drain, a source and a gate of the wiring layer bridging over the drain, source and back gate.
    素子分離として用いることのできる不純物拡散層をバックゲート、バックゲートを形成する拡散層に隣接した拡散層をドレイン及びソース、ドレイン、ソース及びバックゲート上を跨ぐ配線層のゲートからなる構成を有している。 - 特許庁
  • A back gate of the PMOS transistor MP_9 is connected to the source thereof.
    ＰＭＯＳトランジスタＭＰ_９は、そのバックゲートがソースに接続されている。 - 特許庁
  • An active layer 33 is formed on this back gate insulation film 11.
    このバックゲート絶縁膜１１上に能動層３３が形成される。 - 特許庁
  • BOOTSTRAP DIODE EMULATOR WITH DYNAMIC BACK-GATE BIASING AND SHORT-CIRCUIT PROTECTION
    ダイナミック・バックゲート・バイアスと短絡保護を伴うブートストラップ・ダイオード・エミュレータ - 特許庁
  • A back gate insulation film 11 is formed covering the light shield film 70.
    遮光膜７０を覆ってバックゲート絶縁膜１１が形成される。 - 特許庁
  • An Oten-mon Gate (応天門 or 應天門.) was located on the back side of the palace of the Heijo-kyo Capital and another Oten-mon Gate on the back side of the palace of the Heian-kyo Capital: The Oten-mon Gate constituted the official gate to Chodoin (Hasshoin) where government operations and important ceremonies in the Imperial Court were executed.
    応天門（おうてんもん、應天門）は、平城京、平安京大内裏にあった門で、朝廷内での政務・重要な儀式を行う場であった朝堂院（八省院）の正門であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In a PMOS transistor M3, a source and a back gate are coupled to the V_BOOT and a drain is coupled to the gate of the transistor MA.
    ＰＭＯＳトランジスタＭ３は、ソースとバックゲートがＶ＿ＢＯＯＴに、ドレインがトランジスタＭＡのゲートに結合される。 - 特許庁
  • Yoshitomo and TAIRA no Yorimori (younger brother of Kiyomori) had a fierce battle at the Ikuho-mon Gate; Yorimori could not break through the gate and pulled back his troops.
    郁芳門では義朝と平頼盛（清盛の弟）が激戦し、頼盛は突破できず兵を退いた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To reduce back-gate voltage dependency of a threshold voltage of a transistor.
    トランジスタの閾値電圧のバックゲート電圧依存性を低減することができる。 - 特許庁
  • The polysilicon layer is polished and etched to stay back from the gate electrode 16.
    ポリシリコン層は、ポリッシング、エッチングされゲート電極１６に対して引込む。 - 特許庁
  • He took up his residence near the back gate of the Yushima tenjin Shrine in Edo in 1803 (44 years old).
    享和3年（1803年、44歳）、江戸湯島天神の裏門付近に居住。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • leaning on his staff, till he came to the eastern gate, at the back of the city,
    町の後の東門に着くまで、杖にすがりながらゆっくり歩いた。 - Andrew Lang『トロイア物語：都市の略奪者ユリシーズ』
  • The gate electrode of the PMOS transistor QP12 and a back gate terminal BP12 are connected through a resistor R1, and the gate electrode of the NMOS transistor QN12 and a back gate terminal BN12 are connected through a resistor R2.
    ＰＭＯＳトランジスタＱＰ１２のゲート電極とバックゲート端子ＢＰ１２とが抵抗Ｒ１を介して接続され、ＮＭＯＳトランジスタＱＮ１２のゲート電極とバックゲート端子ＢＮ１２とが抵抗Ｒ２を介して接続される。 - 特許庁
  • Then a part of the deposited insulation layer 23 is etched back, and the space provided by the etching-back is packed with a gate material.
    その後，堆積絶縁層２３の一部をエッチバックし，エッチバックにて設けられたスペースにゲート材を充填する。 - 特許庁
  • The n-type impurity region has an impurity concentration higher than that of the channel region and back gate region and receives little influence of diffusion of a p-type impurity from the gate region and back gate region.
    ｎ型不純物領域はチャネル領域およびバックゲート領域より不純物濃度が高く、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物の拡散の影響をほとんど受けない。 - 特許庁
  • To prevent a driver from moving back a vehicle in an ETC gate section.
    ＥＴＣゲート区間内でドライバーが車両を後退させてしまうことを防ぐ。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND METHOD OF CONTROLLING BACK-GATE POTENTIAL OF TRANSISTOR
    半導体集積回路、電子機器、及びトランジスタのバックゲート電位制御方法 - 特許庁
  • Each back gate of the third/fourth transistors M3, M4 is connected in the same manner.
    第３トランジスタＭ３、第４トランジスタＭ４のバックゲートも同様に接続する。 - 特許庁
  • REINFORCING STRUCTURE OF BACK DOOR FOR VEHICLE, AND REINFORCING STRUCTURE OF TAIL GATE FOR VEHICLE
    車両用バックドアの補強構造及び車両用テールゲートの補強構造 - 特許庁
  • A p-type back gate region is provided under the channel region 5 and is electrically connected to the gate region 2.
    ｐ型のバックゲート領域が、チャネル領域５の下部に設けられると共に、ゲート領域２と電気的に接続される。 - 特許庁
  • To back a bit line, a control gate, and a word gate with a metal line of low resistance while maintaining a minimum metal wiring pitch.
    ビット線、コントロールゲートおよびワードゲートに、最小金属配線ピッチを維持しながら低抵抗金属線を裏打ちする。 - 特許庁
  • In a clamp transistor M11, a gate is connected to the source of the transistor MA and the source and the back gate are connected to the drain of the transistor M3.
    クランプ・トランジスタＭ１１は、ゲートがトランジスタＭＡのソースに、ソースとバックゲートがトランジスタＭ３のドレインに結合される。 - 特許庁
  • The gate insulating film 25A and the gate electrode 26A are formed so as to protrude from the back surface, thereby providing an unevenness between a face of the back surface side of the semiconductor substrate 22 and an apical face of the back surface side of the gate electrode 26A.
    そして、ゲート絶縁膜２５Ａおよびゲート電極２６Ａが裏面側に突出するように形成されることで、半導体基板２２の裏面側の面から、ゲート電極２６Ａの裏面側の先端面までの間に段差が設けられる。 - 特許庁
  • The ion sensor is comprises an ion responsive field effect transistor (ISFET) 10, having a gate electrode for taking out the back gate photocurrent Ibp generated in between a back gate B and a source S and between the back gate B and the drain D, and photocurrents Isp and Idp generated in the source S or the drain D are corrected by using the back gate photocurrent Ibp.
    バックゲートＢとソースＳとの間、およびバックゲートＢとドレインＤとの間に発生するバックゲート光電流Ｉｂｐを取り出すためのゲート電極Ｇを持つイオン感応性電界効果トタンジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０よりなるイオンセンサであって、バックゲート光電流Ｉｂｐを用いて、ソースＳやドレインＤにおいて発生する光電流Ｉｓｐ，Ｉｄｐを補正することを特徴とする。 - 特許庁
  • The ISFET 101 includes a back gate 111, a source 112 and a drain 113.
    ＩＳＦＥＴ１０１は、バックゲート１１１，ソース１１２，およびドレイン１１３を備える。 - 特許庁
  • FLOATING BACK GATE ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM)
    フロ—ティング・バックゲ—ト電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ） - 特許庁
  • A shift lever 15 is supported operatably to back and forth and right and left along a shift gate 14.
    シフトレバー15はシフトゲート14に沿って前後左右に操作可能に支持されている。 - 特許庁
  • A first transistor M1 is provided between the back gate of the synchronous rectification transistor SW2 and the first terminal 102, and a second transistor M2 is provided between the back gate and the second terminal 104.
    第１トランジスタＭ１は、同期整流用トランジスタＭ２のバックゲートと第１端子１０２間に、第２トランジスタＭ２は、バックゲートと第２端子１０４間に設けられる。 - 特許庁
  • The back gate bias is applied to all the carried SRAMs by a well bias which a well bias generation circuit 8 generates based on the back gate bias recorded in the fuse box 7.
    ウェルバイアス生成回路８がヒューズボックス７に記録されたバックゲートバイアスに基づき生成するウェルバイアスにより搭載される全てのＳＲＡＭにバックゲートバイアスが印加される。 - 特許庁
  • These well bias voltage (VBB, VPP) are given to a back gate of this logic transistor.
    このロジックトランジスタのバックゲートへ、これらのウェルバイアス電圧（ＶＢＢ，ＶＰＰ）を与える。 - 特許庁
  • In a seat back 2, a contour mat 2C capable of receiving and supporting the back face of an occupant is installed in a gate-shaped back frame 2F.
    シートバック２は門形状のバックフレーム２Ｆの枠内に乗員の背面を受け止め支持可能なコンターマット２Ｃが取付けられた構成となっている。 - 特許庁
  • The back gate electrode EG2 arranged inside the arch shape is arranged so as to pass through the front gate electrode EG1.
    アーチ形状の内部に配置されているバックゲート電極ＥＧ２は、フロントゲートＥＧ１をくぐるようにして配置されている。 - 特許庁
  • The SOI MOSFET device has a polysilicon back gate 26 for controlling a threshold voltage of a polysilicon-containing front gate 50.
    ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴデバイスは、ポリシリコン含有フロント・ゲート５０のしきい値電圧を制御するポリシリコン・バック・ゲート２６を有する。 - 特許庁
  • A controllable back gate bias is applied to each of the first sub-differential transistors 212, 214, 216.
    第１のサブ差動トランジスタ(212,214,216)の各々には、調整可能なバック・ゲート・バイアスが印加される。 - 特許庁
  • The gate door 400 is rotated with the fixing shaft 140 as a center and is opened and closed to the front and back.
    門扉４００は、固定軸１４０を中心として回転し、前後に開閉する。 - 特許庁
  • A source of the Nch-MOSFET N3 in the second switch group is connected to its back gate.
    第２スイッチ群のＮｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ Ｎ３のソースとそのバックゲートを接続する。 - 特許庁
  • Thus, the threshold voltage of the first transistor Q1 is reduced by a back gate effect.
    こうして、バックゲート効果によって第１のトランジスタＱ１のスレッショルド電圧を下げる。 - 特許庁
  • This also suggests that Emonfu of the Right placed the statue on the right side of the gate; all of these signify that the Komainu dates back to the Heian era.
    右府は右に置くと記述されるように平安時代にさかのぼる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To attain a low cost gate valve adaptable to back pressure having an easily adjustable and simple mechanism.
    調整が容易で、かつシンプルな機構によって安価な逆圧対応型のゲートバルブを得る。 - 特許庁
  • If you don't wanna be linked to the sapphic reporter... you should leave through the back gate.
    もし"レズのレポーター"との 関係を疑われたくなかったら 裏口から出た方が良いわね - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • An estimated finished dimension, for example, a gate length obtained from data corrected through OPC is reflected (back annotation) in a circuit diagram (schematic).
    ＯＰＣによって補正を掛けられたデータより得られる推定仕上がり寸法、例えば、ゲート長を回路図（schematic)に反映する（Back Annotation）。 - 特許庁
  • The first thin film transistor section 10a includes a first front gate electrode 3a and a drain-side back gate electrode 8a electrically connected to the first front gate electrode 3a, and the second thin film transistor section 10b includes a second front gate electrode 3b and a source-side back gate electrode 8b to which a source potential is applied.
    第１の薄膜トランジスタ部１０ａは、第１のフロントゲート電極３ａと、この第１のフロントゲート電極３ａに電気的に接続されたドレイン側バックゲート電極８ａとを備え、第２の薄膜トランジスタ部１０ｂは、第２のフロントゲート電極３ｂと、ソース電位が印加されるソース側バックゲート電極８ｂとを備えている。 - 特許庁
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