「BackSide」を含む例文一覧(3364)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 67 68 次へ＞- To provide a method and a system of CMP in which abrasive adhering to the backside of a semiconductor substrate can be removed easily regardless of the state on the backside of the semiconductor substrate.
半導体基板の裏面状態に関係なく、半導体基板裏面に固着する研磨剤を容易に除去することができるＣＭＰ法およびＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁 - A surface circuit pattern layer 62 made of a conductive material is formed on the main surface of the substrate, and a backside circuit pattern layer 66 made of the conductive material is formed on a backside 50b.
基板の主表面には導電材料からなる表面回路パターン層62が形成されており、裏面50bには導電材料からなる裏面回路パターン層66が形成されている。 - 特許庁 - This prize winning ball guiding backside gutter is attached on the backside of a pachinko game board 1 on which positioning holes 181, 182 are provided and forms a guiding passage for guiding prize winning balls.
位置決め穴１８１、１８２等の設けられたパチンコ遊技盤１の裏面に取着され、入賞球を誘導するための誘導経路を形成する入賞球誘導用裏樋である。 - 特許庁 - To provide a backside bonding type solar cell which suppresses short-circuiting of an amorphous semiconductor layer formed on the backside of a semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the same.
半導体基板の裏面上に形成される非晶質半導体層における短絡の発生を抑制できる裏面接合型の太陽電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a developing device where toner leaking is not generated due to deformation caused by the concentration of stress even when a blade backside seal is provided on a backside of a layer thickness regulating blade.
層厚規制ブレードの裏側にブレード裏シールを設ける場合でも、応力の集中による変形によってトナー漏れを生じさせことのない現像装置を提供すること。 - 特許庁 - In a cooling step prior to an application step, a substrate 9 is cooled, and a nitrogen gas is blown against the backside 9a of the substrate 9 to blow off foreign matter from the backside 9a of the substrate 9.
塗布工程前の冷却工程において、基板９を冷却するとともに基板９の裏面９ａに窒素ガスを吹き付け、基板９の裏面９ａから異物を吹き飛ばす。 - 特許庁 - The display device has a protrusion 52 protruding on the backside 51 side formed in the vicinity of the insertion port 72 of the driver connector 71 on the backside 51 of the rear frame 5.
本発明の表示装置は、リアフレーム５の裏面５１であって、ドライバ用コネクタ７１の挿入口７２の近傍には、裏面５１側に突出する突起部５２が形成されている。 - 特許庁 - A plurality of protrusion electrodes 24 formed in a matrix-shape on the backside of the camera module 2 are inserted into through-holes formed on the substrate 1, respectively, and locked to the backside of the substrate 1.
カメラモジュール２の裏面にマトリクス状に形成された複数の突起電極２４が、それぞれ、基板１に形成された貫通孔に挿入され、基板１の裏面に係止されている。 - 特許庁 - The silicon window is applied to the backside (10) of a photosensitive silicon wafer or chip so that photons can illuminate the device from the backside without interference from the circuit printed on the frontside.
シリコンウィンドウは、光子が、前側にプリントされた回路から妨害されることなく、裏側からデバイスを照射できるように、感光シリコンウェハ又はチップの裏側（１０）に設けられる。 - 特許庁 - The substrate supporting body has a pass enabling the flow of backside gas for heating or cooling a substrate, by which the pressure of the backside gas is held to at least 15 Torr.
基板支持体は、基板を加熱または冷却するための裏側ガスの流れを可能にする通路を有し、それによって、裏側ガスの圧力が少なくとも１５トルに維持される。 - 特許庁 - In this case, the hooks 75 and 95 for the surface and backside are arranged in such a manner that the length in the circumference between a claw 86A of the backside inspection body 24 and the end side suction head 87A may become L.
このとき、裏面検査胴２４の爪８６Ａと尻側吸着ヘッド８７Ａのとの間の円周方向の長さがＬになるように、表、裏面用フック７５，９５が配設されている。 - 特許庁 - The counter-helix part C is cramped at three points of the front inside D, the front outside E, and the backside center by the outside abutting part E and the backside abutting part 14.
内側当接部６、外側当接部８および裏側当接部14によって対耳輪部Ｃが前面内側Ｄ、前面外側Ｅおよび裏側中央の三点にて挟持される。 - 特許庁 - The part 6 becomes movable in a substantially perpendicular direction to the backside 1a of the wall 1 while the part 6a maintains a parallel state to the backside 1a of the wall 1.
そして、被探知部６は、その当接面６ａが壁１の裏面１ａに対して平行状態を維持したまま、壁１の裏面１ａに対してほぼ直交方向に移動可能となっている。 - 特許庁 - An air passage 28 provided from the front side to the backside and discharging air heated by the backlight 3 to the side of the backside is provided in the alignment stage 4.
上記アライメントステージ４内にその前面側から背面側まで貫通して設けられ上記バックライト３で加熱された空気を背面側へ排出する空気通路２８を備えた。 - 特許庁 - To provide a vertical semiconductor device having a back electrode formed on the backside of a silicon substrate in which recesses (pits) are reduced in the backside of the silicon substrate.
シリコン基板の裏面に裏面電極が形成されている縦型の半導体装置において、シリコン基板の裏面部の窪み（ピット）が低減された半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - The layer 9 includes a first backside electrode layer 7, containing silver and a second backside layer 8 on the layer 7 that suppresses corrosion of the layer 7.
裏面電極層９は、銀を含む第１裏面電極層７と、第１裏面電極層７の腐食を抑制する第１裏面電極層７上の第２裏面電極層８とを含む。 - 特許庁 - When an alteration content is printed on the backside of the license, an image on the backside is read by the scanner 6 and displayed through the monitor 22 and a write line is assigned by a mouse 25 or the like.
免許証の裏面に変更内容を印字する場合、スキャナ６で裏面の画像を読み取ってモニタ２２を介して表示し、マウス２５等により書き出し行を指定する。 - 特許庁 - When a backward load larger than a prescribed amount is applied to the backside support body by the seated occupant, the backside support body is released from the resilient support by the spring to shift backward.
後突により、着座者が所定の大きさをこえる後方への負荷を背面支持体に加えると、背面支持体はばねによる弾性的支持から開放されて、後方へシフトする。 - 特許庁 - When a content to be printed is selected and print execution is instructed, print data for printing the mark for backside on the backside of the sheet is generated (S1), so as to be transmitted to a printer (S2).
印刷対象のコンテンツが選択され、印刷実行が指示されると、裏面用マークを用紙の裏面に印刷するための印刷用データが生成され（Ｓ１）、プリンタに送信される（Ｓ２）。 - 特許庁 - A peripheral edge of the backside surface of the substrate is cleaned, by raising the substrate above the receiving surface of the substrate support to a raised position, and exposing the backside surface of the substrate to an energized cleaning gas.
基板を基板支持体の受け面上方の上昇位置へと上昇させ、基板の背面を励起させたクリーニングガスに曝露することで基板背面周縁部をクリーニングする。 - 特許庁 - To make sure to protect a window by preventing a negative pressure from being produced on the backside of a window screen when travelling, and also to make sure to prevent rainwater on the backside of the window screen from being infiltrated.
走行時にウインドスクリーン背側に負圧が発生するのを防止してウインドプロテクションを向上させ、ウインドスクリーン背側の雨水の侵入を確実に防止したものである。 - 特許庁 - A discharge display unit has a front board 10a facing a backside board 10b and a sealing layer 15 which seals a gap between the above front board and the above backside board.
放電型表示装置は、前面基板１０ａと背面基板１０ｂとを対向配置し、これら前面基板１０ａ及び背面基板１０ｂの間隙を封止層１５で封止されている。 - 特許庁 - It is determined that the image on the backside is reflected to the image on the surface, a read image on the surface or a read image on the backside may be displayed on a liquid crystal display of the operation panel.
表面画像への裏面画像の写り込み有りと判断した場合、表面読取画像あるいは裏面読取画像を操作パネルの液晶ディスプレイなどに表示してもよい。 - 特許庁 - The device for retaining mirror includes a suction part for performing the vacuum suction for the central part of the backside of the mirror and a large number of fluid blowing parts for blowing the fluid against the circumferential region of the backside of the mirror.
ミラーの裏面の中央部を真空吸着するための吸着部と、ミラーの裏面の周縁領域に流体を吹き付けるための多数の流体吹付け部とを有する。 - 特許庁 - In a Cu wiring process, an organic-based low-permittivity interlayer film 32 is formed, and then a protective film 33 is deposited on the side and backside of a wafer bevel, and on the backside of a wafer edge.
Ｃｕ配線工程において、有機系低誘電率層間膜３２形成後に、ウェハベベルの側面上および裏面上、ウェハエッジの裏面上に保護膜３３を堆積させる。 - 特許庁 - To provide a method for retaining mirror and a device for retaining mirror capable of retaining a mirror without bending the backside of the mirror and, even when there is ruggedness or curvature on the backside of the mirror, capable of responding to such a shape.
ミラー裏面を撓ませずにミラーを保持し、ミラー裏面に凹凸や湾曲などがあっても、その形状に対応可能なミラー保持方法及びミラー保持装置を提供する。 - 特許庁 - In a backside etching process for flattening a light-receiving surface of a semiconductor substrate and a backside opposite thereto by wet etching, an etching liquid out of a region where the semiconductor substrate is immersed in the etching liquid is sprayed to the backside while the semiconductor substrate is being immersed in the etching liquid with the light-receiving surface covered.
半導体基板の受光面と反対側の裏面を湿式エッチングにより平坦化する裏面エッチング工程において、受光面を被覆して半導体基板をエッチング液中に浸漬させた状態で、半導体基板が浸漬している領域外にあるエッチング液を裏面に噴き付ける。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a backside integrated sheet for a solar cell module, capable of reducing an amount of bubbles remaining on a surface of bonding between a backsheet and a backside filler sheet in forming an integrated sheet by previously laminating the backsheet and the backside filler sheet by a thermal lamination method.
バックシート及び裏面側充填材シートを熱ラミネーション法により予め積層させて一体化シートを作製する場合に、これらの接合面に残る気泡の量を低減させることのできる太陽電池モジュール用裏面一体化シートの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The base body 2 is fixed to the carpet 1 by constituting with a projection body 6A folded along the backside of the carpet 1, while inserting the backside holder 6 to the backside from the frontside of the carpet and holding the carpet from upper/lower direction by the projection body 6A and frontside holder 7.
裏側挟持部６をカーペットの表側から裏側に挿入しつつ、カーペット１の裏面に沿うように折り曲げる突出体６Ａで構成し、突出体６Ａと表側挟持部７とによりカーペットを上下方向から挟持して、基体２をカーペット１に固定する。 - 特許庁 - After an adhesive layer 11 is arranged on the backside 2b side of a core substrate 2 having a front-side wiring layer 8 and backside wiring layer 9 on its surface and backside 2a and 2b, respectively, and through holes 5 formed through the substrate 2, the core substrate 2 is laminated upon another core substrate 2 constituted in the same way through the adhesive layer 11.
表面２ａ及び裏面２ｂにそれぞれ表面側配線層８及び裏面側配線層９が形成され、かつスルーホール５が形成されているコア基板２の裏面２ｂ側に接着層１１を配置い、一対のコア基板２を接着層１１を介して積層させる。 - 特許庁 - In this case, a circular hole 20b for exposing the land 22B with a backside space of the frame 20 is formed at a part of a backside of each land 22B in the frame 20, and in the case of thermocompression bonding, a bearing jig 4 is contacted with the backside of the part 22B via each hole 20b.
その際、フレーム２０における各ランド部２２Ｂの裏面側の部分に、該ランド部２２Ｂをフレーム２０の裏面側空間に露出させる円形孔２０ｂを形成しておき、熱圧着の際、各円形孔２０ｂを介して受け治具４を各ランド部２２Ｂの裏面に当接させる。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the backside integrated sheet for a solar cell module for laminating the backsheet used on the backside of the solar cell module and the filler sheet on the backside by the thermal lamination method, a surface roughness Ra of the surface of the laminate in the filler sheet is 0.1-2.0 μm.
太陽電池モジュールの裏面側に使用されるバックシートと、裏面側の充填材シートと、を熱ラミネーション法によって積層する太陽電池モジュール用裏面一体化シートの製造方法であって、充填材シートにおける積層面側表面の表面粗さＲａが０．１〜２．０μｍである。 - 特許庁 - A concave part which is used as a handhold in transportation of the bathtub is provided at backside wall of the bathtub in an area of 1/3 from an upper edge or from a backside bottom wall of the bathtub in a height direction in a general bathtub or a functional bathtub having pipes on backside side wall.
一般浴槽単体、または、浴槽裏面側壁に配管を有する機能浴槽において、浴槽高さ方向で浴槽上縁部、又は、浴槽裏面底壁より１／３の範囲の浴槽裏面側壁に浴槽搬入運搬時の手掛かりとなる凸部を設けた事を特徴とする。 - 特許庁 - The backside original of the paper in the paper supplying scheduling waiting 1600 is stored so that the backside original of the paper that is registered in the paper supplying scheduling waiting 1600 is made to be a front side original of the paper including the final original, and the original that is final (final original) is made to be the backside original.
給紙スケジューリング待ち１６００に登録されている紙の裏面原稿を、最終原稿を含む紙の表面原稿とし、最終的な原稿（最終原稿）を裏面原稿とするため、給紙スケジューリング待ち１６００の紙の裏面原稿を保存する。 - 特許庁 - After only a backside 16b of the SIMOX substrate 16 is etched and the oxide film 18 on the backside 16b of the SIMOX substrate 16 is removed, the SIMOX substrate 16 is etched and the polysilicon film 17 on the backside 16b of the SIMOX substrate 16 is removed, and the backside 16b of the SIMOX substrate 16 is removed by a prescribed thickness.
次にこのＳＩＭＯＸ基板１６の裏面１６ｂにのみエッチングを施してＳＩＭＯＸ基板１６の裏面１６ｂの酸化膜１８を除去した後に、このＳＩＭＯＸ基板１６にエッチングを施してＳＩＭＯＸ基板１６の裏面１６ｂのポリシリコン膜１７を除去するとともにＳＩＭＯＸ基板１６の裏面１６ｂを所定の厚さだけ除去する。 - 特許庁 - Four recesses 4 are formed on the backside 3 on the side opposite to the optically effective surface 2.
光学有効面２の反対側である裏面３には、４つの凹部４が形成されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which an aluminum spike is hard to occur on the backside of a silicon substrate.
シリコン基板の裏面部にアルミスパイクが発達しづらい半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a substrate processing apparatus capable of preventing pattern fail caused by the contamination of the backside of a substrate.
基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を防止できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - Individual pieces are separated by grinding the backside of the wafer down to where the grooves are intercepted.
ウェーハの裏面を溝が遮断されるまで研磨することによって、個別素片が分離される。 - 特許庁 - Warpage of a wafer is reduced by forming a resin layer on the backside of the wafer after grinding.
ウエハ裏面研削後に、ウエハ裏面に樹脂層を形成することで、ウエハの反りを低減する。 - 特許庁 - The backside of a wafer 1 with a surface structure of a device formed on the front surface is flatly polished.
おもて面にデバイスの表面構造を形成したウェハ１の裏面を平坦に研削する。 - 特許庁 - A disk shaped piezoelectric ceramic element 3 is adhered to in the center of a backside of the diaphragm 1.
振動板１の裏面中央には、円板状の圧電セラミックス素子３が貼り付けられている。 - 特許庁 - The backside 21b of the plate material has an RMS roughness of ≤2 nm in a region of 1×1 μm.
板材の裏面２１ｂは、１μｍ×１μｍの領域のＲＭＳ粗さが２ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The diode also includes a semiconductor light emitting element 1 fixedly bonded at its backside to the base member 2.
また、ベース部材２上に裏面が接着固定された半導体発光素子１を備える。 - 特許庁 - Then, a backside sheet 8 made of EVA resin is placed to cover the solar cells 6.
次に、太陽電池セル６を覆うようにＥＶＡ樹脂からなる裏面側シート８が載置される。 - 特許庁 - The semiconductor substrate 11 is made so laminar as to receive light from its backside surface 11a side.
半導体基板１１は、裏面１１ａ側から受光を行うように薄板化されている。 - 特許庁 - An opening (6) is formed at the backside of an insulation housing (2), and an actuator (5)is arranged in the opening (6).
絶縁ハウジング（２）の後方に開口部（６）を設け、この開口部（６）にアクチュエータ（５）を配す。 - 特許庁 - However, the backside of the substrate and the cooling surface are not contacted in almost all remaining areas.
しかし、残りの大部分の領域において、基板裏面と冷却面が接触していない。 - 特許庁 - The glass 12 is a plate member containing the sampling surface 12a and a backside 12b opposed thereto.
ガラス１２体は、採取面１２ａとそれとは反対の裏面１２ｂとを含む板状体である。 - 特許庁 - A wafer is subjected to dicing for changing the semiconductor chip into individual pieces, and the backside of the semiconductor chip is polished.
ウェハをダイシングして半導体チップを個片化した後、半導体チップの裏面を研削する。 - 特許庁
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