「Backscattering」を含む例文一覧(44)

  • DENSITY MEASUREMENT BY GAMMA-RAY BACKSCATTERING
    ガンマ後方散乱による密度測定 - 特許庁
  • SPECTRUM ANALYSIS METHOD IN RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROMETRY, AND RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPIC ANALYZER
    ラザフォード後方散乱分光法におけるスペクトル解析方法，ラザフォード後方散乱分光分析装置 - 特許庁
  • OPTICAL PULSE TESTER AND BACKSCATTERING LIGHT MEASURING METHOD
    光パルス試験器および後方散乱光測定方法 - 特許庁
  • PARALLEL MAGNETIC FIELD TYPE RUTHERFORD BACKSCATTERING ION MEASURING INSTRUMENT
    平行磁場型ラザフォード後方散乱イオン測定装置 - 特許庁
  • METHOD OF MEASURING BACKSCATTERING COEFFICIENT DEPENDING ON WATER DROP
    水滴に依存する後方散乱係数の測定方法 - 特許庁
  • CONTRAST IMPROVING METHOD OF ELECTRON BACKSCATTERING DIFFRACTION IMAGE, AND DEVICE
    電子後方散乱回折像のコントラスト改善方法、及び装置 - 特許庁
  • To surely suppress backscattering and improve the contrast of an X-ray image.
    後方散乱を確実に抑え、Ｘ線画像のコントラストの向上を図る。 - 特許庁
  • Thereafter, the electron backscattering diffraction image in the deteriorated domain is imaged (step S13).
    その後、劣化領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１３）。 - 特許庁
  • Then, the electron backscattering diffraction image in the observation domain of the sample is imaged (step S14).
    さらに、試料の観察領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１４）。 - 特許庁
  • By this, backscattering is surely suppressed and the contrast of the X-ray image is improved.
    これにより、後方散乱を確実に抑え、Ｘ線画像のコントラストの向上を図ることができる。 - 特許庁
  • Scanning electron rays (incident rays) are intermittently applied to a sample 6, backscattering electrons generated when the electrons are applied to the sample 6 are detected by a backscattering electron detector 22, and the time difference between the electrons applied to the sample 6 and the backscattering electrons detected by the backscattering electron detector 22 is compared and measured, thus measuring the shape of a sample surface.
    試料６に対して走査する電子線（入射線）を断続的に照射し、該電子線が試料６に照射されたときに発生する後方散乱電子を後方散乱電子検出器２２で検出し、時間差検出部５３により、試料６に照射される電子線と後方散乱電子検出器２２で検出した後方散乱電子との時間差を比較計測し、試料表面の形状を測定する。 - 特許庁
  • Since both N_s,source and V_thermal can be increased in the formula (1) while the increase of a backscattering coefficient r (0≤r≤1) is suppressed, the normal saturation drain current I_d,sat/W per unit channel W can be increased.
    式（１）において、backscattering係数ｒ（０≦ｒ≦１）の増大を抑えつつ、Ｎ_s,sourceとＶ_thermalの両方を増大させることができるので、単位チャネルＷあたりの定常飽和ドレイン電流Ｉ_d,sat／Ｗを大きくすることができる。 - 特許庁
  • BACKSCATTERING MEASURING APPARATUS FOR OPTICAL TIME DOMAIN FOR MULTIMODE OPTICAL FIBER, ITS LIGHT SOURCE AND MANUFACTURE OF LIGHT SOURCE PART
    マルチモード光ファイバ用光時間領域後方散乱測定装置、その光源部及び光源部の製造方法 - 特許庁
  • To provide a method of finding a backscattering coefficient depending on water drops on the ground such as a forest, by a radar.
    レーダによって、森林など地上の水滴に依存する後方散乱係数を求める方法を提供すること。 - 特許庁
  • The layer 5a showing the backscattering properties has a string of high density consisting of liquid crystal drops having 0.15 to 0.2 μm size.
    前記強い後方散乱を示す層５ａは、０．１５〜０．２μｍの液晶滴による高密度の連なりを有している。 - 特許庁
  • In a direct electron detector, backscattering of electrons into the detector volume from below a sensor is prevented.
    直接型電子検出器において、センサ下方から検出器体積へ入り込む電子の後方散乱が防止される。 - 特許庁
  • By using backscattering detection, whether the distance between the final element and the substrate is too large or not can be determined.
    後方散乱検出を使用して、最終要素と基板との間の距離が大きすぎるか否かを決定することができる。 - 特許庁
  • GENERATION METHOD AND GENERATION PROGRAM OF BACKSCATTERING INTENSITY IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING THAT METHOD
    荷電粒子ビーム露光における後方散乱強度の生成方法，生成プログラム及びその方法を利用した半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • To prevent the backscattering X-ray of an X-ray detector and to radiate internally generated heat of the X-ray detector without installing a large cooling means.
    大型な冷却手段を設置することなく、Ｘ線検出器の後方Ｘ線を防ぐとともに、Ｘ線検出器の内部発生熱を放出する。 - 特許庁
  • Backscattering X-rays are absorbed using a structure composed of a cylindrical shield tube which is fixed in a target holder so as to enclose the surface of a transmission type target.
    透過形ターゲットの表面を囲むように筒状シールド管がターゲットホルダに固定された構成によって後方散乱Ｘ線を吸収する。 - 特許庁
  • METHOD OF GENERATING BACKSCATTERING INTENSITY BASED ON LOWER LAYER STRUCTURE IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE APPLYING THE SAME
    荷電粒子ビーム露光における下層構造に基づく後方散乱強度の生成方法及びその方法を利用した半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • An A/D converter 11s digitizes an electric signal for indicating the measurement data of backscattering light that returns by applying a light pulse to an optical fiber to be measured.
    Ａ／Ｄ変換器１１ｓは被測定光ファイバに光パルスを入射して戻ってくる後方散乱光の測定データを示す電気信号をデジタル化する。 - 特許庁
  • To provide a quantum encryption device which can perform stable operation, does not have restriction of performance by backscattering stray light in a fiber, has a simple composition, and is low cost.
    安定した動作を行うことができ、ファイバ中の後方散乱迷光によるパフォーマンス上の制約が無く、かつ構成が簡易で低コストな量子暗号装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a waveguide type band rejection filter which has a large shielding efficiency, narrows a guard band by suppressing backscattering and backreflection, and suppresses reflection return light.
    遮断効率が大きく、後方散乱および後方反射を抑制することによりガードバンドを狭め、反射戻り光を抑制した導波路型バンドリジェクションフィルタを提供する。 - 特許庁
  • Cross power spectra of the primary and backscattering EM field (in the frequency domain) or cross correlation between these EM fields (in the time domain) produce a numerical reconstruction of an EM hologram.
    １次電磁場とバック散乱電磁場（周波数域）との交差パワースペクトル、或いはこれらの電磁場( 時間域) 間の交差相関は電磁ホログラムに数値再構築を作成する。 - 特許庁
  • By the scattered ray removing member 4, backscattering ray coming from the surface of the supporter 3 opposite to the surface contacting the charge read-out part 2 is absorbed and removed.
    そして、この散乱線除去部材により、支持部の電荷読み出し部と接する面とは反対側の面側から入射する後方散乱線を吸収して除去する。 - 特許庁
  • 2. Observation devices for underwater use which are designed so that they are capable of being used in submersible vessels for remote control and having a function which reduces the effect of backscattering
    （二）　潜水艇に搭載して遠隔操作することができるように設計したものであって、後方散乱による影響を減少させる機能を有するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • To provide a method capable of improving a contrast of an electron backscattering diffraction image, even in the case of a monocrystal sample or a polycrystal sample having high orientation.
    単結晶試料又は配向性が高い多結晶試料であっても、電子後方散乱回折像のコントラストを改善することができる方法を提供する。 - 特許庁
  • A pattern-forming region (die) 61 on a wafer 23 and a peripheral part 62 thereof are divided into pixels 23b of a dimension, sufficiently smaller than a spread dimension 63 of a backscattering electrons of an electron beam.
    ウェハ２３上のパターン形成領域（ダイ）６１とその周囲部分６２を、電子線の後方散乱電子の拡がり寸法６３より十分小さい寸法のピクセル２３ｂに分ける。 - 特許庁
  • To conduct accurate and highly reliable analysis without specifying an erroneous composition ratio, as to a spectrum analyzing method in a Rutherford backscattering spectrometry.
    ラザフォード後方散乱分光法におけるスペクトル解析方法に係り，誤った組成比を特定することなく，正確且つ高信頼性な分析を行うことが可能なものを提供すること。 - 特許庁
  • To provide a ring laser and an optical gyroscope using it, capable of stable operation by reducing the influence of backscattering without increas ing the threshold current, even if a ring length made comparatively long.
    リング長を比較的長くしてもしきい値電流が上昇せず、後方散乱の影響を減少させて、安定な動作が可能なリングレーザおよびこれを用いた光ジャイロスコープを提供する。 - 特許庁
  • Preferably, the part capable of sputtering in the target contains a limiting side wall 312, which limits the intrusion of plasma and backscattering grains into a dark space gap 320 between the upper shield 322 and the target.
    好ましくは、前記ターゲットのスパッタ可能な部分は制限側壁３１２を含み、上部シールド３２２と前記ターゲットの間の前記暗空間ギャップ３２０へのプラズマ及び後方散乱粒子の侵入を制限する。 - 特許庁
  • To provide white particles which reduce quantity of transmitted light even through a thin particle layer, which exhibit large backscattering and improve luminance of white light, and to provide a white powder fluid and a picture display device using them.
    薄い粒子層でも透過してしまう光が減り、後方散乱が大きく白色の輝度率を向上させることができる白色粒子、白色粉流体及びそれらを用いた画像表示装置を提供する。 - 特許庁
  • This helps to reduce backscattering X-rays to 1/20 or less compared to the case where no shield tubes are installed, making it possible to greatly reduce the amount of lead sheet used to cover the whole of the X-ray generation device.
    これによって、シールド管を装着しない場合に比べて、後方散乱Ｘ線を１／２０以下に低減することができ、Ｘ線発生装置全体を覆う鉛板の量を大幅に低減することが可能となる。 - 特許庁
  • Furthermore, the method includes using the crop yield forecasting formula and searching by a crop yield calculation unit 34, the estimated value for a growth feature of the paddy rice from backscattering intensity, obtained from an SAR image obtained by photographing a paddy rice field as an object of the first half growth period.
    収量算出部３４は、収量予測式を用い、生育期前半の対象水稲圃場を撮影したＳＡＲ画像により得られる後方散乱強度から水稲の生育的特徴の推定値を求める。 - 特許庁
  • When no voltage is applied, the liquid crystal molecules in the molecular liquid crystal part 12a turn around along the polymer network surface of the polymer network part 12b, scatter and reflect incident external light L1 so as to form backscattering light L2.
    電圧を印加しないと、液晶分子部１２ａの液晶分子がポリマーネットワーク部１２ｂのポリマーネットワーク表面に沿って向きを変えて、入射された外光Ｌ１を散乱させて反射し、後方散乱光Ｌ２が形成される。 - 特許庁
  • The polymer network liquid crystal layer 12 is constructed in such a way that when no voltage is applied thereto, it scatters and reflects incident external light L1 so as to form backscattering light L2, and when voltage is applied thereto, it transmits light emitted at an organic light emitting layer 14.
    ポリマーネットワーク液晶層１２は、電圧を印加しないと入射された外光Ｌ１を散乱させて反射して後方散乱光Ｌ２を形成し、電圧を印加すると有機発光層１４で発光した光を透過するように構成される。 - 特許庁
  • To provide a compact and lightweight X-ray generation device which can prevent backscattering X-rays generated from a transmission type target from leaking from the device to the outside, and an X-ray irradiation device using a group of X-ray generation devices.
    透過形ターゲットから発生する後方散乱Ｘ線がＸ線発生装置から外部へ漏洩することを大幅に低減できる小形で軽量なＸ線発生装置とＸ線発生装置群を用いたＸ線照射装置を提供する。 - 特許庁
  • The method for generating the paddy rice crop yield forecasting model includes generating by a crop yield forecasting formula calculation unit 30, a crop yield forecasting formula based on a correlation between backscattering intensity in a sample field during the first half growth period, obtained in a wide range using SAR (Synthetic Aperture Radar), and a growth feature of the paddy rice obtained by field investigation, such as the number of stems.
    収量予測式算出部３０は、ＳＡＲを用いて広範囲で得られる生育期前半における標本圃場での後方散乱強度と、現地調査により得られる茎数等の水稲の生育的特徴との相関に基づき収量予測式を生成する。 - 特許庁
  • A first light pulse with a large pulse width wo is applied from a pulse light generation part 15 of a data acquisition part 10 to an optical fiber 2, and the detection data of the backscattering light is converted to an electrical signal by a light reception part 17 and is sent to a main processing part 20.
    Ｓ１０１にて、光ファイバ２に第１のパルス幅（ω＝ω０）の第１光パルスを入射させた場合の光損失特性（観測波形の傾き）を予め設定し、Ｓ１０３にて、第１のパルス幅（ω＝ω０）の第１光パルスを入射させて光ファイバ２の後方散乱光を検出する。 - 特許庁
  • Then, a second light pulse with a short pulse width w1 is applied to the optical fiber, data especially corresponding to an area around the connection loss point out of the backscattering light detection data is processed and the observation waveform is displayed at a measurement waveform data display part 26 to observe precisely.
    その後、Ｓ１１３にて、第２のパルス幅（ω＝ω１）の第２光パルスを入射させて光ファイバ２の後方散乱光を検出し、Ｓ１１５にて特定された接続損失が存在する箇所（接続損失点）に相当する検出データが詳細に観察される。 - 特許庁
  • When a plurality of CPUs which transmit data by a backscattering method of a wireless signal, a router circuit which mediates data transmission and reception between the CPUs or the like, and a thread control circuit which has a thread scheduling function are provided, a semiconductor device which consumes less power and has high arithmetic performance can be provided at low cost.
    データ送信に無線信号のバックスキャッタ方式を用いる複数のＣＰＵと、ＣＰＵ−ＣＰＵ間などのデータ送受信を仲介するルータ回路と、スレッドのスケジューリング機能を有するスレッド回路と、を有することで、低消費電力で高演算能力の半導体装置を安価に提供することができる。 - 特許庁
  • The amount of backscattering differs for each position in a pattern even in a region 1 that is one small region shown in Fig. 1, thus making different quantity (the amount of bias) for changing the pattern in the region 1 according to it hitherto.
    図に示すように一つの小領域である領域１内でも、パターンの位置毎に後方散乱量が異なっているので、従来はこれに応じて領域１内でパターンを変形させる量（バイアス量）を異ならせていたが、本手段においては領域１内では全てのパターンについてバイアス量（矢印で示される）をΔｘ１として一定にしている。 - 特許庁
  • In the polymer-dispersed liquid crystal display element 10 formed by providing polymer-dispersed liquid crystal layer 5 between a pair of substrates 1 and 2 having inside a pair of electrodes 3 and 4 at least one of which is a transparent electrode, the polymer-dispersed liquid crystal layer 5 has a layer 5a showing intense backscattering properties at a part near at least one substrate 1(2).
    少なくとも一方が透明電極である一対の電極２，３を内側に有する一対の基板１，２の間に高分子分散型液晶層５を設けた高分子分散型液晶表示素子１０において、高分子分散型液晶層５が、それらの少なくとも一方の基板１（２）の近傍部分に強い後方散乱を示す層５ａを有する。 - 特許庁

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