METHOD FOR MANUFACTURING BIMOS SEMICONDUCTOR DEVICE BiMOS半導体装置の製造方法 - 特許庁
To provide a method for forming a BiMOS integrated circuit in which an FET and a bipolar element are formed on the same substrate. FET及びバイポーラ素子が同一基板上に形成されるBiCMOS集積回路を形成する方法を提供する。 - 特許庁
To reduce the number of steps, and to improve hot carrier resistance of a MOS transistor and performance such as the current gain or cut-off fre quency of a PNP transistor in a method for manufacturing a BiMOS semiconduc tor device where at least an N type MOS transistor and the PNP transistor are formed in the same semiconductor substrate. 少なくともN型MOSトランジスタとPNPトランジスタを同一半導体基板に形成したBiMOS半導体装置の製造方法において、工程数を少なくし、MOSトランジスタのホットキャリア耐性やPNPトランジスタの電流増幅率や遮断周波数等の性能を高める。 - 特許庁