ANTIBODY COMPOSITION SPECIFICALLY BINDING TO CD10 CD10に特異的に結合する抗体組成物 - 特許庁
The ferroelectric memory device comprises a reference potential generation circuit in a system which generates the reference potential by averaging the potential read from two ferroelectric capacitors CD00 and CD20 for reference memory cells storing high-level data and two ferroelectric capacitors CD10 and CD30 for reference memory cells storing low-level data, for example. 強誘電体メモリ装置は、例えば、ハイレベルのデータを記憶した2個のリファレンスメモリセル用強誘電体キャパシタCD00、CD20と、ローレベルのデータを記憶した2個のリファレンスメモリセル用強誘電体キャパシタCD10とCD30から読み出された各電位を平均化して、基準電位を生成する方式のリファレンス電位発生回路を有する。 - 特許庁