「COPs」を含む例文一覧(47)

  • Call the cops.
    警官を呼べ. - 研究社 新英和中辞典
  • Are you cops?
    警官なの？ - Tatoeba例文
  • Call the cops.
    警察を呼んで！ - Tatoeba例文
  • They're cops.
    奴らはサツだよ。 - Tatoeba例文
  • play cops and robbers
    泥棒ごっこをする. - 研究社 新英和中辞典
  • Are they cops?
    あの人たちは警官なの？ - Tatoeba例文
  • I need to call the cops.
    警察を呼ばなきゃ。 - Tatoeba例文
  • I have to call the cops.
    警察を呼ばなきゃ。 - Tatoeba例文
  • They played at (being) cops and robbers.
    彼らは泥棒ごっこをした. - 研究社 新英和中辞典
  • We're getting out of here. The cops are coming.
    逃げよう。サツが来てる。 - Tatoeba例文
  • The cops are keeping tabs on him.
    警察は彼に目をつけている。 - Tatoeba例文
  • I hate cops like him.
    彼のような警官は大嫌いだ。 - Tatoeba例文
  • Who called the cops?
    誰がお巡りさんを呼んだの？ - Tatoeba例文
  • The boys played cops and robbers.
    男の子たちは泥棒ごっこをした。 - Tatoeba例文
  • Who called the cops?
    警察を呼んだのは誰なの？ - Tatoeba例文
  • The cops are keeping tabs on him.
    警察は彼に目をつけている。 - Tanaka Corpus
  • The cops are searching for the missing documents.
    警察は行方不明の書類を捜している。 - Tatoeba例文
  • Don't let the cops find a heater on you.
    サツにハジキを持っているのをみつかるなよ。 - Tatoeba例文
  • The boys played cops and robbers.
    男の子たちはケイドロをして遊んだ。 - Tatoeba例文
  • Tom and Mary are playing cops and robbers.
    トムとメアリーはケイドロをして遊んでいる。 - Tatoeba例文
  • Tom and Mary are playing cops and robbers.
    トムとメアリーは泥棒ごっこをしている。 - Tatoeba例文
  • caught by a couple of alert cops
    2、3人の警戒巡査によってつかまえられた - 日本語WordNet
  • The cops are searching for the missing documents.
    警察は行方不明の書類を捜している。 - Tanaka Corpus
  • Don't let the cops find a heater on you.
    サツにハジキを持っているのをみつかるなよ。 - Tanaka Corpus
  • The standards-based software could be used to control devices from vendors that support the Common Open Policy Service protocol (COPS) to communicate with routers and switches, ...
    標準ベースのソフトウェアを使用して,ルータや交換機と通信するCOPSをサポートしているベンダ製の装置を制御することができる． - コンピューター用語辞典
  • The cops are searching for clues to the brutal murder.
    警官はその残虐な殺人事件の手がかりを探している。 - Tatoeba例文
  • The cops are searching for clues to the cruel murder.
    警官たちはその残虐な殺人事件の手掛かりを捜している。 - Tatoeba例文
  • The cops are searching for clues to the brutal murder.
    警官はその残虐な殺人事件の手がかりを探している。 - Tanaka Corpus
  • The cops are searching for clues to the cruel murder.
    警官たちはその残虐な殺人事件の手掛かりを捜している。 - Tanaka Corpus
  • I've gotten much fitter, sleeker, and sexier thanks to all this running from the cops.
    散々警察から逃げ回ったおかげで、俺はこんなに健康的で、スマートで、セクシーになった。 - Tatoeba例文
  • At the time of receiving a COPS message transmitted from a policy server 3 of its own domain A, a network equipment 1 transmits an RSVP message including a COPS message to the adjacent network equipment of the other domain B.
    ネットワーク機器１は自ドメインＡのポリシーサーバ３より発せられたＣＯＰＳメッセージを受信すると、ＲＳＶＰメッセージ内にＣＯＰＳメッセージを包含し、他ドメインＢの隣接ネットワーク機器へ伝送する。 - 特許庁
  • At the time of receiving the RSVP message, the network equipment of the domain B analyzes the contents of the message, and acquires the COPS message from the RSVP message, and transmits it as the COPS message to the policy server of the domain B.
    ＲＳＶＰメッセージを受信したドメインＢのネットワーク機器はメッセージの内容を解析し、ＲＳＶＰメッセージよりＣＯＰＳメッセージを取得し、ドメインＢのポリシーサーバへＣＯＰＳメッセージとして送信する。 - 特許庁
  • Onigokko (tag), kagome play, hide-and-seek, Kick the Can, Daruma-doll fell down, and Doro-Kei (or Doro-Jun, cops and robbers)
    -鬼ごっこ、かごめ、かくれんぼ、缶けり、だるまさんがころんだ、ドロケイ(ドロジュン、泥棒と巡査、泥棒と警官) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To provide a heat treatment method for a silicon wafer which is carried out economically, in which the silicon wafer will not further contain COPs, only in a region near the surface, but will not contain COPs through the main portions of wafer thickness, and to provide the silicon wafer obtained by the method.
    従来の技術の欠点を有せず、かつ経済的に実施され、さらに表面近くの領域においてのみＣＯＰｓ不含であるのでなく、ウェーハ厚さの主要部分にわたりＣＯＰｓ不含であるシリコンウェーハの熱処理方法及び該方法により得られたシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of evaluating the quality of a semiconductor wafer capable of detecting as mach as possible particles attached to the surface of the semiconductor wafer and crystal originated particles(COPs) present in the vicinity of the surface of the semiconductor wafer, and detecting the attaches particles and the COPs by exactly separating them.
    半導体ウェ−ハ表面に付着したパーティクルと半導体ウェ−ハ表面近傍に存在するＣＯＰとをできるだけ数多く検出し、しかもこれら付着パーティクルとＣＯＰとを正確に分離して検出することができる半導体ウェ−ハの品質評価方法を提供すること。 - 特許庁
  • To inexpensively realize an electrical connection to actuators arranged in a high density by one sheet without using a plurality of sheets of flexible cables (for example, FPCs and COPs).
    フレキシブルケーブル（例えばＦＰＣやＣＯＰ）を複数枚使用することなく、１枚で高密度に配置されたアクチュエータとの電気接続を安価に実現する。 - 特許庁
  • To inexpensively realize an electrical connection to actuators arranged in a high density by one sheet without using a plurality of sheets of flexible cables (for example, FPCs and COPs).
    フレキシブルケーブル（例えばＦＰＣやＣＯＰ）を複数枚使用することなく、１枚で、高密度に配置されたアクチュエータとの電気接続を安価に実現する。 - 特許庁
  • To reduce the possibility that a control packet is affected by a user packet when the control packet such as a COPS and an SNMP is transmitted on the same network as the user packet from an end user.
    ＣＯＰＳやＳＮＭＰのような制御パケットが、エンドユーザからのユーザパケットと同じネットワークを流れる場合に、上記制御パケットが上記ユーザパケットの影響を受ける可能性を低減する。 - 特許庁
  • To obtain a method of reclaiming a semiconductor wafer capable of reclaiming the semiconductor wafer of good quality to a used wafer in which crystal defects such as COPs (crystal originated particles) exist.
    ＣＯＰ等の結晶欠陥が存在する使用済みウェハに対しても品質の良い半導体ウェハを再生することができる半導体ウェハの再生方法を得る。 - 特許庁
  • To exchange maintenance information between policy servers without providing the function of any special protocol other than a standard protocol such as a COPS at the policy server.
    ポリシーサーバにＣＯＰＳなどの標準プロトコルの他に特別なプロトコルの機能を設けることなく各ポリシーサーバ間で保持情報を交換する。 - 特許庁
  • To provide a silicon single crystal pulling apparatus, with which a silicon single crystal wherein R-OSFs are distributed in its outermost periphery and COPs are reduced can be manufactured at a low cost, and to provide single crystal silicon wafers.
    Ｒ−ＯＳＦを単結晶の最外周に分布させ、かつＣＯＰを減らしたシリコン単結晶をローコストに製造可能なシリコン単結晶引上装置と単結晶シリコンウェハを提供する。 - 特許庁
  • An annealed wafer or epitaxial wafer having a DZ (Denuded Zone) layer with reduced grown-in defect and BMD (Bulk Micro Defect) of COPs (Crystal Oriented Particles) etc. is subjected to a rapid temperature raising/falling heat treatment in an oxygen gas atmosphere.
    ＣＯＰ等のグローンイン欠陥およびＢＭＤが低減したＤＺ層を有するアニールウェーハあるいはエピタキシャルウェーハに、酸素ガス雰囲気における急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁
  • According to algorithm for discriminating the kind of defect on a wafer, if the size of defect measured with a wafer inspection device containing a plurality of dark field part detectors is smaller than a limit value indicating the maximum size of COPs, the kind of defect is decided as being not particles.
    ウェーハ上の欠陥の種類を判別するためのアルゴリズムによれば、複数の暗視野部検出器を含むウェーハ検査装置によって測定されたウェーハ上の欠陥のサイズがＣＯＰの最大サイズを表わす限界値よりも小さければ前記欠陥の種類がパーチクルでないと判定する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of reducing crystal defects such as COPs when manufacturing silicon single crystals without lowering cooling power of a cooling body, and preventing generation of cracks or fractures from occurring even when dislocations occur in the silicon single crystal, and an apparatus for pulling a silicon single crystal for use for the method.
    冷却体の冷却能を低下させることなく、シリコン単結晶の製造時におけるＣＯＰ等の結晶欠陥の低減を図ることができ、かつ、シリコン単結晶に転位が発生した場合でも、クラックや割れの発生を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法及びそれに用いられるシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method in which a substrate of low COPs (Crystal-Originated-Particles) suitable for an epitaxial wafer can efficiently be manufactured and a high-quality epitaxial wafer can be manufactured in good yield so that the epitaxial wafer may have high-quality epitaxial surface quality exerting no adverse effect on at least device characteristics.
    エピタキシャルウェーハにおいて、少なくともデバイス特性に悪影響を及ぼさない高品質なエピタキシャル表面品質を得るために、エピタキシャルウェーハ用として最適な低COPの基板を効率よく製造でき、高品質エピタキシャルウェーハを歩留りよく製造できる製造方法の提供。 - 特許庁
  • The silicon wafer has a density of nucleation centers for the oxygen precipitation of at least 10^7 cm^-3 in its bulk, and has a zone that does not contain nucleation centers, having a thickness of at least 1 μm on the wafer front surface, and COPs density that is smaller than 10,000 cm^-3, down to a depth corresponding to at least 50% of the wafer thickness.
    該シリコンウェーハは、バルク内に少なくとも１０^7ｃｍ^-3の酸素析出のための核形成中心の密度、及びウェーハ表側面に少なくとも１μｍの厚さを有する核形成中心不含のゾーン並びにウェーハ厚さの少なくとも５０％に相当する深さまで１００００ｃｍ^-3未満のＣＯＰｓ密度を有する。 - 特許庁
  • The management network configuration method of this invention uses a conventional communication quality assurance function of each network unit to preset the setting of priority and band assurance of a control packet for network policy management such as the COPS and the SNMP thereby separating a management network through which the control packet is transmitted from a network through which a user packet is transmitted apparently in the network operation.
    本発明の管理網ネットワーク構成方法は、各ネットワーク装置の従来からある通信品質保証機能により、ＣＯＰＳやＳＮＭＰのようなネットワークのポリシィ管理のための制御パケットについて優先度や帯域保証の設定を予め設定しておくことにより、ネットワーク運用の見かけ上はユーザパケットの流れるネットワークから制御パケットの流れる管理網ネットワークを分離させる。 - 特許庁

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