「CZ method」を含む例文一覧(169)
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ＣＺ法単結晶引上げ装置 - 特許庁 - CZ METHOD BASED SINGLE CRYSTAL PULLING-UP EQUIPMENT
ＣＺ法単結晶引上げ装置 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING CZ SILICON SINGLE CRYSTAL
ＣＺシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁 - A single crystal 9 is grown by a CZ method.
ＣＺ法により単結晶９を育成する。 - 特許庁 - METHOD FOR MELTING POLYCRYSTALLINE SILICON RAW MATERIAL IN CZ METHOD
ＣＺ法における多結晶シリコン原料の溶解方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Si SINGLE CRYSTAL INGOT BY CZ METHOD
ＣＺ法によるＳｉ単結晶インゴットの製造方法 - 特許庁 - SAFETY MECHANISM FOR CZ METHOD BASED SINGLE CRYSTAL PULLING-UP EQUIPMENT
ＣＺ法単結晶引上げ装置の安全機構 - 特許庁 - CZ METHOD BASED, COOLER EQUIPPED SILICON SINGLE CRISTAL SILICON PULLING-UP DEVICE WITH IMPROVED EFFECT OF DEFECT DISPLACEMENT BY DASHNECK METHOD SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING-UP DEVICE BASED ON CZ METHOD AND PROVIDED WITH COOLER, ENHANCED IN ELIMINATING DEFECT IN DASHNECK METHOD
ダッシュネック法による欠陥排除効が高められたクーラー付ＣＺ法シリコン単結晶引上げ装置 - 特許庁 - CZ RAW MATERIAL SUPPLY METHOD AND TOOL FOR SUPPLY
ＣＺ原料供給方法及び供給用治具 - 特許庁 - To provide a method and device for directly producing semiconductor wafers including silicon wafers without depending on conventional ingot (CZ method).
従来のインゴット（CZ法等）によらず、シリコンウエハを含む半導体ウエハを直接製造する方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for melting a polycrystalline silicon raw material in the CZ method.
ＣＺ法における多結晶シリコン原料の溶解方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR MEASURING LEVEL OF LIQUID SURFACE IN APPARATUS FOR PULLING SINGLE CRYSTAL BY CZ METHOD
ＣＺ法による単結晶引き上げ装置内の液面レベル測定方法 - 特許庁 - CZ METHOD BASED SINGLE CRYSTAL PULLING-UP EQUIPMENT SMOOTHLY PERFORMING RECHARGE.ADDITIONAL CHARGE
リチャージ・追いチャージを円滑に行うＣＺ法単結晶引上げ装置 - 特許庁 - BOTTOM HOT ZONE STRUCTURE OF FURNACE FOR GROWING SINGLE CRYSTAL OF LITHIUM TANTALATE BY Cz METHOD
Ｃｚ法によるタンタル酸リチウム単結晶育成炉下部ホットゾーン構造 - 特許庁 - To improve the yield of a dislocation-free single crystal when the single crystal is grown by a CZ method.
ＣＺ法による単結晶育成での無転位収率を改善する。 - 特許庁 - To provide a cable type CZ method-based single crystal pulling-up device which is capable of suppressing the resonance of a cable system in the cable type CZ method-based single crystal pulling-up device.
ＣＺ法単結晶引上げ装置においてケーブル系の共振を抑制することができるケーブル式ＣＺ法単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF RECOVERING QUARTZ CRUCIBLE AFTER GROWING SINGLE CRYSTAL AND DEVICE FOR GROWING CZ-SINGLE CRYSTAL
単結晶育成後の石英るつぼ回収方法およびＣＺ単結晶育成装置 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF FZ SINGLE CRYSTAL SILICON USING SILICON CRYSTAL ROD MANUFACTURED BY CZ METHOD AS RAW MATERIAL
ＣＺ法により製造したシリコン結晶棒を原料としたＦＺ単結晶シリコンの製造方法 - 特許庁 - Or, the silicon crystal manufactured from the polycrystalline silicon raw material by a CZ method or a MCZ method is used.
或いは、多結晶シリコン原料からＣＺ法又はＭＣＺ法により製造したシリコン結晶を使用する。 - 特許庁 - The seed crystal used for the silicon crystal manufacture by the CZ method constitutes the support part.
また、ＣＺ法によるシリコン結晶製造で用いられた種結晶を被把持部として有する。 - 特許庁 - To quickly and easily quantify a nitrogen concentration in a silicon crystal manufactured by a CZ method.
ＣＺ法で作製されたシリコン結晶の窒素濃度を迅速かつ簡単に定量化する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER, EPITAXIAL WAFER AND CZ SILICON WAFER FOR EPITAXIAL GROWTH
エピタキシャルウエーハの製造方法及びエピタキシャルウエーハ、並びにエピタキシャル成長用ＣＺシリコンウエーハ - 特許庁 - To provide a silicon wafer formed by a CZ method and properly used for an IGBT, and to provide its manufacturing method.
ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon wafer formed by CZ method, which is suitably used in IGBT, and a manufacturing method of the wafer.
ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This substrate can be manufactured by carving it out of a silicon single crystal enhanced by the CZ method.
この基板は、ＣＺ法で引き上げられたシリコン単結晶から切り出して作製することがでる。 - 特許庁 - A raw material silicon ingot 10 is pulled ((c) and (d)) from a molten liquid 9 by a CZ method.
石英ルツボ１ａ内に残存している残存融液９ａを石英ルツボ１ａから排出する（e)。 - 特許庁 - To provide a mechanism or a controlling method capable of adjusting the V/G ratio completely reflecting the state in a CZ furnace in a CZ-type single crystal ingot production apparatus.
ＣＺ法単結晶インゴット製造装置において、ＣＺ炉内の状態を完全に反映してＶ／Ｇの調整を行うことができるような機構もしくは制御方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a silicon single crystal having reduced dislocation density and a crystal axis orientation of [110] by a CZ method.
転位密度を低減した、ＣＺ法による結晶軸方位が［１１０］のシリコン単結晶を育成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon wafer formed by a CZ method suitably available for substrates for IGBT also, and to provide a method of manufacturing the same.
ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A single-crystal silicon bulk is manufactured by growing single-crystal silicon in [100]-direction by the CZ method.
ＣＺ法により、［１００］方向に単結晶シリコンを成長させて、単結晶シリコンのバルクを作製する。 - 特許庁 - A wafer is obtained, by cutting a silicon single crystalline ingot obtained by a CZ method into thin discs (step S1).
ＣＺ法により得られたシリコン単結晶インゴットを薄円板状に切り出してウェハを得る（ステップＳ１）。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a high-resistivity CZ silicon wafer which can prevent deterioration of resistivity due to development of a oxyfen donor and has a high gettering-effect, the high-resistivity CZ silicon wafer manufactured by its method, a SOI wafer used with the high-resistivity CZ wafer as a base wafer.
酸素ドナーの発生による抵抗率の低下を防ぎ、かつ高いゲッタリング効果を有する高抵抗率ＣＺシリコンウエーハを製造する方法、およびその方法により製造された高抵抗率ＣＺシリコンウエーハならびに、この高抵抗率ＣＺウエーハをベースウエーハとして用いて得られるＳＯＩウエーハを提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a carbon fiber-reinforced carbon composite material for a single crystal drawing-up unit by CZ method (Czochralski method) which is high in thermal efficiency.
熱効率の高いＣＺ法（チョクラルスキー法）による単結晶引き上げ装置用炭素繊維強化炭素複合材料の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon wafer by a CZ (Czochralski) method, suitably used as a substrate for an IGBT (insulating gate bipolar transistor), and to provide a method for producing the silicon wafer.
ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The silicon crystal material manufactured by the CZ silicon crystal manufacturing method has a support part 3 formed in the CZ silicon crystal manufacturing method and serving for growing a single crystal in a crystal manufacturing apparatus by the FZ method as well as shoulder 5, straight body 2, tail 6.
ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部５、直胴部２、及び尾部６と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部３を有する。 - 特許庁 - The epitaxial wafer manufacturing method comprises epitaxially growing a carbon-doped CZ silicon wafer at low temperatures lower than 1000°C A.
炭素がドープされたＣＺシリコンウエーハに１０００℃未満の温度でエピタキシャル成長を行うエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁 - To provide a split heater in a cylindrical form and to provide a single crystal pulling device by a CZ method using the heater.
円筒形状をなす分割式ヒーター、およびこのヒーターを用いたＣＺ法による単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an exhaust system and a dust treating method capable of treating generated combustible dust, in a silicon single crystal pulling apparatus by CZ method.
ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ装置において、生じる可燃性の粉塵を処理可能な排気システム及び粉塵の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by a CZ method for stably manufacturing a crystal with high yield and a higher collection rate of a defect-free portion.
ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、歩留まりよく安定して、無欠陥部分の採取率をより高くできる製造方法の提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for controlling oxygen concentration in a silicon single crystal when pulling up the crystal from silicon molten liquid by CZ method.
ＣＺ法によりシリコン溶融液からシリコン単結晶を引き上げる際に適用される、結晶中の酸素濃度制御方法及び装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide an apparatus suitable for pulling a single crystal having a large diameter by the CZ method, and a method for pulling the single crystal using the same.
ＣＺ法により大口径の単結晶の引き上げに適した単結晶引上げ装置、およびこれを用いた単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a CZ method based single crystal pulling-up equipment provided with a safety mechanism which enables to detect precisely the clash between a cooler movable in a CZ furnace and other members in the furnace and to immediately avoid the risk.
ＣＺ炉内を移動するクーラーを備えると共に、ＣＺ炉内におけるクーラーその他の炉内部材の衝突を適確に検出して迅速に危険を回避するような安全機構を備えたＣＺ法単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for pulling a silicon single crystal by a CZ method where the acquisition rate and its assurance of a fault-free crystal (perfect crystal) can be enhanced.
無欠陥結晶（完全結晶）の取得率とその確実性を向上させることができるようなＣＺ法シリコン単結晶引上げ装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - The p-type silicon substrate 1 has been manufactured with the CZ method and obtains p-type characteristics by introducing boron as an impurity.
ｐ型シリコン基板１は、ＣＺ法によりシリコン基板の製造が行われ、また不純物であるボロンを導入し、ｐ型の特性を得ている。 - 特許庁 - To provide a long-lasting graphite crucible which shows excellent durability and inhibits deformation and damage that occur in CZ method operation.
ＣＺ法操業で発生する変形や破損を防止した耐久性に優れた長寿命の黒鉛ルツボとその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a CZ wafer having a nearly uniform and high resistance at a high yield without applying a neutron radiation thereto.
中性子線の照射を行うことなくほぼ均一な高抵抗を持つＣＺウェーハを高い歩留まりで作製可能な方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a seed crystal for pulling up silicon single crystals which can prevent a slip from occurring in a diameter-reduced portion of the seed crystal in a method for pulling up silicon single crystals by Czochralski method (CZ method).
チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶の引上げ方法において、種結晶の縮径部にスリップが入ることを予防し得るシリコン単結晶引上げ用の種結晶を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nitrogen-doped silicon single crystal by Czochralski method (CZ method) capable of suppressing cost of manufacturing by sufficiently reducing the used amount of an expensive raw material for a nitrogen dopant.
高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して、製造コストの抑制を実現できるチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a wafer where the surface uniformity of BMD density is attained even if a ring shape OSF area is formed in lifting a single crystal by a CZ method.
ＣＺ法による単結晶引上時においてリング状ＯＳＦ領域が形成された場合でもＢＭＤ密度の面内均一化を図ったウェーハを得る。 - 特許庁 - To facilitate improvement in efficiency of pulling work by reducing the damage and degassing of a crucible member in pulling and growing a silicon single crystal by a CZ method.
ＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げ育成において、ルツボ部材の損傷および脱ガスを低減させ、引上げ作業効率の向上を容易にする。 - 特許庁
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