To realize large capacitance of capacitance element in which a dielectric material layer is sandwiched by a pair of metal layers. 一対の金属層で誘電体層をサンドイッチした容量素子の大容量化を図ることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a capacitance diagnosing method for a backup capacitor capable of diagnosing its capacitance accurately. バックアップコンデンサの容量を精度よく診断することが可能なバックアップコンデンサ容量診断方法を提供すること。 - 特許庁
IMPEDANCE DETECTION APPARATUS AND CAPACITANCE DETECTION APPARATUS インピーダンス検出装置及び静電容量検出装置 - 特許庁
CAPACITANCE VARIATION DETECTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE 静電容量変化検出回路及び半導体装置 - 特許庁
Layout data are read from a database, and the capacitance of each wiring to ground and coupling capacitance between wirings are calculated. データベースからレイアウトデータを読み込み、各配線の対接地容量と配線間カップリング容量と計算する。 - 特許庁
CAPACITOR AND CAPACITANCE COUPLING TYPE POWER SUPPLY SYSTEM キャパシタ及びキャパシタンス結合型電力供給システム - 特許庁
CAPACITANCE DETECTION DEVICE, FINGERPRINT SENSOR, BIOMETRICS AUTHENTICATION DEVICE, AND SEARCH METHOD FOR CAPACITANCE DETECTION CONDITION 静電容量検出装置、指紋センサ、バイオメトリクス認証装置、及び静電容量検出条件の探索方法 - 特許庁
a unit of capacitance equal to one trillionth of a farad
1ファラドの一兆分の1に等しいキャパシタンスの単位 - 日本語WordNet
a unit of capacitance equal to one millionth of a farad
1ファラッドの100万分の1に等しい静電容量の単位 - 日本語WordNet
To reduce the junction capacitance parasitic on a source region and a drain region, and reduce the capacitance parasitic on a wiring. ソース領域、ドレイン領域に寄生する接合容量を低減し、配線に寄生する容量を低減する。 - 特許庁
To provide a capacitance detection device capable of detecting a capacitance change highly accurately without erroneous detection. 静電容量の変化を誤検出なく高精度に検出できる静電容量検出装置を提供する。 - 特許庁
LIQUID CRYSTAL DISPLAY WITHOUT STORAGE CAPACITANCE ELECTRODE LINE 保持容量電極ラインを有しない液晶表示装置 - 特許庁
To provide an electric double layer capacitor having a high capacitance. 静電容量がい電気二重層キャパシタの提供。 - 特許庁
High-frequency voltage is generated in the low-capacitance capacitor 52 positioned between the high- capacitance capacitors 51A and 51B. 各大容量コンデンサ51A・51B間に位置する小容量コンデンサ52に高周波電圧が発生する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND CONTROL METHOD FOR TERMINAL CAPACITANCE OF THE DEVICE 半導体装置とその端子容量の制御方法 - 特許庁
An overlap capacitance parameter is previously derived within a gate voltage range in which the MOSFET is kept in an off-state, the simulation of overlap capacitance characteristics is run using the overlap capacitance parameter, and an overlap length is derived from the overlap capacitance value when the MOSFET is turned on, whereby a correlation between the overlap capacitance and the overlap length is obtained to improve gate capacitance simulation in accuracy. MOSFETがオフとなるゲート電圧範囲でオーバーラップ容量パラメータを抽出しておき、そのパラメータを使ってオーバーラップ容量特性をシミュレーションし、MOSFETがオン時のオーバーラップ容量値からオーバーラップ長を導出することで、オーバーラップ容量とオーバーラップ長の相関性を取り、ゲート容量シミュレーション精度を向上させる。 - 特許庁
Each variable capacitance unit 23 includes a variable capacitance element 31, a control terminal 41 for applying a control potential to the variable capacitance element 31, and a reference potential terminal 43 for applying a reference potential to the variable capacitance element 31. 各可変容量ユニット23は、可変容量素子31と、可変容量素子31に制御電位を印加する制御端子41と、可変容量素子31に基準電位を印加する基準電位端子43とを有している。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that can be reduce the capacitance, such as the gate electrode-drain wiring capacitance, gate electrode-drain diffusion region capacitance, gate electrode-drain electrode capacitance, etc., and to provide a method of manufacturing the device. ゲート電極−ドレイン配線間容量、ゲート電極−ドレイン拡散領域間容量及びゲート電極−ドレイン電極間容量などの素子容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a high numerical aperture by forming compensating capacitance of a sufficient capacitance value without widening a width of a compensating capacitance electrode, and also to sufficiently secure a withstand voltage between said compensating capacitance electrode and data wiring. 補償容量電極の幅を広くすることなく充分な容量値の補償容量を形成し、高い開口率を得るとともに、前記補償容量電極とデータ配線との間の絶縁耐圧を充分に確保する。 - 特許庁
METHOD OF DETERMINING OUTPUT CAPACITANCE OF VOLTAGE FEEDER 電圧供給装置の出力キャパシタンスを決定する方法 - 特許庁
A holding capacitance C1 is connected to the input node A. 保持容量C1は、入力ノードAに接続している。 - 特許庁
To compactify a capacitance type position detector. 静電容量式位置検出装置の小型化を実現する。 - 特許庁
A capacitance insulating film and a second conductive film are formed. 容量絶縁膜及び第2の導電膜を形成する。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING CAPACITANCE 静電容量測定装置および静電容量測定方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING AMOUNT OF CAPACITANCE CONSUMED キャパシタンスの使用量を低減する方法及びその装置 - 特許庁
CAPACITANCE VALUE MEASURING CIRCUIT AND METHOD OF EVALUATING SEMICONDUCTOR DEVICE 容量値測定回路及び半導体装置の評価方法 - 特許庁
CAPACITANCE TYPE DENSITY MEASURING APPARATUS FOR VERY LOW TEMPERATURE FLUID 極低温流体の静電容量型密度計測装置 - 特許庁
To provide a capacitance sensor of simplified circuit constitution. 回路構成を簡素化した静電容量センサを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device consisting of capacitance of a high Q factor. Q値の高い容量からなる半導体装置を得る。 - 特許庁
MEASUREMENT APPARATUS OF GROUND CAPACITANCE IN ELECTRIC POWER SYSTEM 電力系統における対地静電容量の測定装置 - 特許庁
HIGH CAPACITANCE FILM CAPACITOR SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 高静電容量フィルムコンデンサシステムおよびその製造方法 - 特許庁
CAPACITANCE TYPE DISPLACEMENT DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 静電容量式変位検出装置及びその製造方法 - 特許庁
The apparatus has a variable capacitance capacitor C for each memory cell 1A. メモリセル1Aごとに可変容量キャパシタCを有する。 - 特許庁
A capacitor electrode defines the feedthrough electrode and a capacitance. コンデンサ電極は、貫通電極と容量を形成している。 - 特許庁
To increase a capacitance of an electric double-layer capacitor. 電気二重層キャパシタの静電容量を増大させること。 - 特許庁
VOLTAGE-CONTROLLED CAPACITANCE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT 電圧制御型容量素子及び半導体集積回路 - 特許庁