This increases the area of the active carbon fibers contacted with electrolyte per unit weight and the mutual contact area of the fibers because of the short fiber length, and hence increases the conduction passages to reduce the reduction ratio of the capacitance to the discharge current. これにより単位重量当りの活性炭素繊維が電解液と接触する面積が増大し、また、繊維長が小さいことから繊維が互いに接触する面積を増大するので、伝導通路が増大し放電電流に対する容量の低下率が低減する。 - 特許庁
To provide a malfunction detection circuit without necessity of creating a resistance element or a capacitance element in a semiconductor integrated circuit, nor preparing them as an external part when the malfunction detection circuit for performing stop detection of an oscillation circuit or the like is formed in the semiconductor integrated circuit. 発振回路の停止検出などを行う異常検出回路を半導体集積回路で形成する場合に、抵抗素子や容量素子を半導体集積回路内に作成する必要がない上に、外付け部品として用意する必要がない異常検出回路の提供。 - 特許庁
The film deposition apparatus includes: the electrode roller pair for depositing a film while conveying the substrate by hanging and winding the substrate; and an LC resonance circuit with variable capacitance and inductance, which serves as a power supply device for supplying a plasma excitation electrical power to the electrode roller pair. 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用いると共に、この電極ローラ対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるLC共振回路を用いることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁
To improve the efficiency in record capacitance by setting a low resolution in correspondence to conditions for recording in a record medium when contents comprising a digital broadcasting or a MPEG trans-stream which received the digital broadcasting in the case where conditions of reproducing the low resolution existed therein were detected. デジタル伝送又はデジタル放送を受信したMPEGトランスストリームからなるコンテンツを記録する際に、その中に存在する低解像度再生の条件を検出したときに、その条件に応じた低解像度にして記録媒体に記録するようにして記録容量の効率化を図る。 - 特許庁
The inductor 31 and the capacitor 32 have values selected so that a parallel connection circuit 130 of a gate-drain capacitance 11 with the resonator circuit 30 performs parallel resonance at a frequency f0 in a required frequency range for operating the high frequency amplifier. インダクタ31及びキャパシタ32の値は、高周波増幅器が動作することが必要な周波数帯域内の周波数f0において、ゲート・ドレイン間容量11と、並列共振回路30とが並列に接続された回路130が並列共振するようなものとする。 - 特許庁
After forming a capacitor lower electrode layer of amorphous or polycrystalline silicon, a laser irradiation is made to form irregularities on the capacitor lower electrode layer to increase the surface area in a melting and re-solidifying stage, thus making the reduction of the occupied area of the capacitor compatible with ensuring of the capacitance. キャパシタ下部電極層を非晶質シリコンまたは多結晶シリコンで形成したのちに、レーザーを照射することにより、溶融、再固化時にキャパシタ下部電極表面に凹凸を形成し、表面積を増大させ、キャパシタの占有面積縮小と静電容量の確保を両立する。 - 特許庁
By this structure, a dielectric layer 5 having a thickness corresponding to the second electrode layer 12 lies in a space between the first internal electrode 21 for signals and the internal electrode 23 for grounding where capacitance is formed, and the space between the electrodes thereby expands to secure withstand voltage performance. この構成により、容量が形成される第1の信号用内部電極21と接地用内部電極23との間に第2の電極層12に対応する厚さの誘電体層5が介在することとなり、電極間の間隔が広がることによって耐電圧性を確保できる。 - 特許庁
To perform filtering with desired spatial frequency characteristics without losing the frequency components in the Fourier spectrum and to perform matched filtering with a high data recording and reproducing function, fast processing property and a large capacitance as a hologram memory and with high identifying ability. フーリエスペクトルの各周波数成分が失われることなく、所望の空間周波数特性のフィルタリングを行うことができ、ホログラムメモリとしてのデータ記録再生機能と高速性及び大容量性を有する識別能力の高いマツチトフィルタリングを行える記録方法とフィルタリング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of correcting a heat transfer coefficient profile of an electrostatic chuck by setting surface density of a mesa configuration of an insulating layer of the chuck, a method of adjusting height of the mesa configuration of an insulating layer of the chuck, or a method of correcting a capacitance profile of the electrostatic chuck. チャックの絶縁層のメサ構成の面密度を設定することによって静電チャックの熱伝達係数プロフィルを修正する方法や、チャックの絶縁層のメサ構成の高さを調節する方法、または静電チャックの静電容量プロフィルを修正する方法を提供する。 - 特許庁
This time constant circuit 100 or the like is equipped with a charging circuit for intermittently charging a capacitor thereof and a discharging circuit for intermittently discharging the capacitor and by performing intermittent charging/discharging operation on the capacitor of small electrostatic capacitance, a great time constant is set. この時定数回路100等は、このコンデンサを間欠的に充電する充電回路と、間欠的に放電させる放電回路とを備えており、小さな静電容量のコンデンサに対して間欠的な充放電動作を行うことにより、大きな時定数が設定されている。 - 特許庁
The presence of the object on the table is detected by applying a voltage on the second inductor assembly which will result in a magnetic field which when picked up by the first inductor assembly will create a magnetic field response in the first inductor assembly dependent on the capacitance of the capacitor electrodes. テーブル上での対象物の存在は、第2インダクタアセンブリ上に電圧を印加して検出され、電圧の印加は磁界を生じ、その磁界は、第1インダクタアセンブリによって受信されると、コンデンサ電極の静電容量に応じて第1インダクタアセンブリにおける磁界応答を生成する。 - 特許庁
Since the common-mode noise has the same conduction direction for the current in the lines 5, 6, the lines 5, 6 have inductance based on the layer 4, and have capacitance between the electrode 3 which becomes equivalent to a distributed constant circuit. コモンモードノイズは、フィルター内線路5とフィルター内線路6の電流の通電方向が同じ向きであることから、コモンモードノイズに対して、フィルター内線路5,6は、磁性体層4に基づいたインダクタンスを持ち、かつ、グランド電極3との間に容量を有して分布定数回路と等価になる。 - 特許庁
In this invention, there are provided a slave filter 3 having the transconductance amplifier 1 and a capacitor circuit 2 and functioning as an original filter, and a self-regulation circuit 4A regulating variations in transconductance of the transconductance amplifier 12 and capacitance of the capacitor circuit 2, respectively. この発明は、トランスコンダクタンス増幅器1と容量回路2とを有し本来のフィルタとして機能するスレーブフィルタ3の他に、トランスコンダクタンス増幅器12のトランスコンダクタンスおよび容量回路2の容量のばらつきをそれぞれ調整する自己調整回路4Aを備えている。 - 特許庁
To provide an electrode for a supercapacitor which exhibits high specific capacitance, even at high-speed charging or discharging by using ultrafine carbon fibers exhibiting a high specific surface area and high electrical conductivity as a substrate, and by electrochemically depositing a metal oxide thin film on the substrate. 高比表面積および優れた導電度を有する超極細炭素繊維を基板とし、前記基板に金属酸化物薄膜を電気化学的に堆積させることによって、高速充電・放電の際にも高比容量を有するスーパーキャパシタ用電極およびその製造方法の提供。 - 特許庁
To provide an electric double-layer capacitor in which the capacitance per unit volume is enhanced, even in an electric double-layer capacitor containing an electrolyte and activated carbon that are produced by polymerizing a phenol compound and an aldehyde compound under the presence of a basic catalyst. フェノール性化合物とアルデヒド化合物とを塩基性触媒の存在下に重合して得た有機エアロゲルを炭化して得られる活性炭と電解質とを含む電気二重層キャパシタの中でも、単位体積あたりの静電容量が向上した電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁
A bias voltage is applied to the center conductor 2a of the coplanar transmission line 2 to cause a strain in the piezoelectric 3, this changing the capacitance between the center conductor 2a of the transmission line 2 and the piezoelectric 3 to control the phase shift quantity. コプレーナ伝送線路2の中心導体2aにバイアス電圧を印加することにより橋状圧電体3に歪みを発生させ、その時のコプレーナ伝送線路2の中心導体2aと橋状圧電体3との間のキャパシタンスの変化により移相量を制御する。 - 特許庁
An electrostatic capacitance system touch panel of the present invention comprises a transparent substrate, a transparent electrode including a conductive polymer formed on the transparent substrate, a transparent protection layer with a transparent property formed on the transparent electrode, and a transparent adhesive formed on the transparent protection layer. 本発明による静電容量方式のタッチパネルは、透明基板、前記透明基板上に形成される導電性高分子からなる透明電極、前記透明電極上に形成される透明な性質の透明保護層及び前記透明保護層上に形成された透明接着剤を含む。 - 特許庁
The oscillator has a variable capacitance diode 11, a distal end open stub (capacitive stub) 15 indicating capacitive characteristics near a tuning frequency, and a reference voltage applying circuit becoming an open state near an oscillation frequency and for providing barrier potential of the variable capacitive element. 可変容量ダイオード11と、同調周波数近傍で容量性の特性を示す先端開放スタブ(容量性スタブ)15と、共振周波数近傍で開放となり、かつ、前記可変容量素子の障壁電位を与えるための基準電圧印加回路とを備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate having an insulator layer which can sufficiently reduce the parasitic capacitance and the parasitic resistance in a new structure for the semiconductor device in which active elements and passive elements are formed on the semiconductor substrate, having sufficient strength and to provide its manufacturing method. 半導体基板に能動素子と受動素子が形成された半導体装置のため、新規な構成にて寄生容量及び寄生抵抗等を十分に低減することができ、しかも十分な強度を得ることが可能な絶縁物層を有する半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To increase the capacitance of a solid electrolytic capacitor while suppressing the cracking or crystallization of a dielectric layer and preventing increase in leakage current when a heat treatment process such as a reflow process is performed for the solid electrolytic capacitor. 固体電解コンデンサに対してリフロー工程等の熱処理工程を行った場合において、誘電体層中に亀裂を生じたり、誘導体層が結晶化したりするのを抑制し、漏れ電流が増加するのを防止すると共に、固体電解コンデンサの静電容量を増大させる。 - 特許庁
When a distance d between the lower electrode film 120 and the upper electrode film 130 changes due to pressurization caused by the touch of the surface of a protection panel 13, a capacitance between the electrode of the lower electrode film 120 and the upper electrode film 130 at the position changes. 保護パネル13の表面をタッチすることによる押圧で下側電極膜120と上側電極膜130との間の距離dが変化すると、その位置における下側電極膜120の電極と上側電極膜130との間の静電容量が変化する。 - 特許庁
The reactance element 4 is connected in parallel with a piezoelectric element PZ on the secondary of the electromagnetic coupling transformer 2 and constitutes a resonance circuit performing parallel resonance with the capacitance component in the equivalent circuit of the piezoelectric element PZ and the inductance component of the electromagnetic coupling transformer 2 at the drive frequency. リアクタンス素子4は、電磁結合トランス2の二次側で圧電素子PZと並列に接続され、圧電素子PZの等価回路におけるキャパシタンス成分および電磁結合トランス2のインダクタンス成分と駆動周波数で並列共振する共振回路を構成する。 - 特許庁
The capacitance detection type sensor elements 10 including a rectangular diaphragm 11 and the planar back electrode 12 provided facing each other includes fixing parts 14 provided adjacently to each side of the diaphragm 11 and having sides with predetermined length on the sides adjacent to the diaphragm 11. 相互に対向して設けられた、矩形状の振動板11と平面状の背電極12とを含む容量検知型センサ素子10は、振動板11の各辺に隣接して設けられ、振動板11に隣接する側に所定の長さの辺を有する固定部14を含む。 - 特許庁
At least a part of a capacitive element 112 comprising a capacitive lower electrode 109, a capacitance insulating film 110 and a capacitive upper electrode 111 is coated with a second hydrogen barrier film 113 formed of at least one of bismuth tantalate, bismuth niobate and bismuth tantalum niobate. 容量下部電極109、容量絶縁膜110及び容量上部電極111からなる容量素子112の少なくとも一部分を、タンタル酸ビスマス、ニオブ酸ビスマス及びタンタルニオブ酸ビスマスの少なくとも1つからなる第2の水素バリア膜113によって被覆する。 - 特許庁
In this multilayer capacitor, a dielectric layer and internal electrodes 11, 21 for forming electrostatic capacitance are laminated, and the internal electrodes are arranged in the direction orthogonal to a mounting face 2 while extraction electrodes 12, 22 extracted from the internal electrodes are electrically connected to external electrodes 31, 32. 誘電体層と静電容量を形成するための内部電極11,21…とが積層されており、内部電極が実装面2と直交する方向に位置し、該内部電極から引き出された引出電極12,22が外部電極31,32と電気的に接続されている積層コンデンサ。 - 特許庁
According to this constitution, a series inductance component is increased, and a parallel capacitance component is reduced to facilitate impedance matching, when the impedance matching between an external standard impedance; and the low impedance of the stripline in a multilayer substrate is contrived in the input/output terminal part. これにより入出力端子部分で、外部の標準インピーダンスと多層基板内部のストリップ線路の低インピーダンスとのインピーダンス整合を図る際、直列インダクタンス成分を増すと共に並列キャパシタンス成分を減少させて、そのインピーダンス整合を容易に行えるようにする。 - 特許庁
Means for measuring the running speed of the tread (Y) by running said thread (Y) through two capacitance type detector heads (1a, 1b) spaced at specified distance L, through L/T operations of the time for the twist to pass through one head and arrive at the second.
一定距離Lをおいて配列された2個の静電容量型検出ヘッド(1a 、1b )に糸条(Y)を通過せしめて、該糸条(Y)の糸斑を一方の検出ヘッドから検出してから他方の検出ヘッドが検出するまでの時間TからL/Tの演算により糸条(Y)の走行速度を測定する方法。 - 特許庁
To provide an electrode 10 whose heat resisting adhesion between a polarizable porous sheet 12 and a collector 11 is strong, its internal resistance is low, its continuous production is easy, and the high capacitance can be secured with the internal resistance lower than the customary when using it in the electric double layer capacitor. 分極性多孔質シート12と集電体11との耐熱接着性が高く、内部抵抗が低く、連続生産が容易で、且つ電気二重層キャパシタに用いた場合に、従来以上の低内部抵抗で高電気容量を確保し得る電極10を提供する。 - 特許庁
An L-R parallel circuit 13 consisting of Lf and Rf is inserted into a wiring between the output terminal of the inverter 2 and the motor 3 to pass a high-frequency component through Rf side to increase the damping rate of a series resonance circuit consisting of the wiring inductance L0 and stray capacitance C0. インバータ2出力端と電動機3との間の配線にL_fとR_fのL−R並列回路13を挿入し、高周波成分をR_f側に流すことで配線のインダクタンスL_0と浮遊容量C_0で構成される直列共振回路の減衰率を大きくする。 - 特許庁
Furthermore, all the image data saved into the save region are periodically erased completely upon incurring a predetermined event (with a power-off operation as an event, upon incurring the event, it is determined the restoration process not to be performed any more), so that empty capacitance is secured at all the time. さらに退避領域に退避させた画像データすべてを所定のイベント(電源断操作をイベントとしてそのイベントの発生を受けたときに復元処理はもう行なわれないと判定する)の発生を受けて定期的に完全消去するようにして空き容量をいつも確保するようにする。 - 特許庁
This voltage control oscillation circuit comprises an 8-shaped coil 13 connecting in series the looped coils 11 and 12 so that they can form a point symmetry, a capacitor 16 with variable capacitance diodes 14 and 15 connected to the 8-shaped coil 13 in parallel and a differential amplifier 19 having transistors 17 and 18. ループ状コイル11、12が、互いに点対称になるように直列接続された8の字状コイル13と、8の字状コイル13に並列接続された可変容量ダイオード14、15を有するキャパシタ16と、トランジスタ17、18を有する差動アンプ19を備えている。 - 特許庁
When a wire 130 or the like is to be formed in the customized layer 120 in response to demands of an intermediate user such as a machine manufacturer, the connection structure of the wire 130 is made different from that of the laminate 150, thereby forming the capacitance element 140 or resistive elements 141-144. 機器メーカなどの中間ユーザの要求に対応してカスタマイズ層120に配線130などを形成するとき、積層体150に対する配線130の接続構造を相違させることにより、容量素子140や抵抗素子141〜144が形成される。 - 特許庁
In the second measurement process, a probe 9 arranging a pair of capacitance sensors 14 face to face is inserted between two adjacent fuel rods 4, 4 in the X-axis direction and the Y-axis direction, which outputs respective distance information from the probe 9 to the facing fuel rods 4 as the mountain waveform. 第二測定処理で、X軸方向とY軸方向に隣接する2つの燃料棒4、4の間に一対の静電センサ14を対向配置したプローブ9を挿入して、プローブ9から対向する燃料棒4までの距離情報を山形波形としてそれぞれ出力する。 - 特許庁
On the active matrix substrate 1, where a TFT 14 is connected to each picture element electrode 16 arranged on a transparent substrate in a matrix, the parasitic capacitance Cgd is formed by a region, where the gate electrode 14G overlaps with the drain electrode 14D, and the periphery region. 透明基板上にマトリクス状に配置された各絵素電極16にTFT14が接続されたアクティブマトリクス基板1において、ゲート電極14Gとドレイン電極14Dとが重なり合う領域およびその周縁領域とによって寄生容量Cgdが形成される。 - 特許庁
In a first embodiment, the adjustment device (20) includes a capacitance proximity sensor (21) having at least three transmission electrodes (31a-31e) arranged at mutual intervals in a vertical direction, and one common reception electrode (32), and incorporatable or incorporated into the head rest. 位置調整装置(20)は、第1実施例において、垂直方向に互いに間隔を隔てて配置された少なくとも3個の送信電極(31a〜31e)と1個の共同受信電極(32)とを有しヘッドレストに組入れ可能であるか組み入れられた容量式近接センサ(21)を有している。 - 特許庁
By raising the gate bias voltage of the transmission transistor and the initial voltage of the floating diffusion node to be more than a supply voltage using the voltage coupling phenomenon of the coupled gate, the capacitance of the photodiode can be increased and the image lag phenomenon can be decreased. カップルドゲートの電圧カプッリング現象を用いて伝送トランジスタのゲートバイアス電圧及びフローティング拡散ノードの初期電圧を電源電圧以上に上昇させることでフォトダイオードの容量を増加させることができ、イメージラグ現象を減少させることができる。 - 特許庁
A MOS type transistor for power supply connected to first aluminum (Vcc) 13 which is power supply wiring and first aluminum (Vss) 14 which is ground wiring is formed between polysilicon 11 and a diffusion region 12 and capacitance is formed between the power supply wiring and the ground wiring. ポリシリコン11と拡散領域12の間に、電源配線である第一アルミ(Vcc)13とグランド配線である第一アルミ(Vss)14とに接続されているMOS型の電源容量用トランジスタ22を形成して、電源配線とグランド配線間に容量を形成する。 - 特許庁
To accurately measure a failure current flowing through a DC power supply line derived from an AC/DC conversion device and an insulation resistor between a voltage application part of a DC device or a loading device and an insulation resistor, and a leak current flowing through a ground static capacitance. 交流/直流変換装置から導出される直流給電線、直流装置や負荷装置の電圧印加部分と接地部分間の絶縁抵抗を通じて流れる故障電流と対地静電容量を通じて流れる漏洩電流を正確に測定する。 - 特許庁
To obtain an inexpensive and compact capacitor potential divider that can eliminate the need for providing a plurality of capacitors with a large withstand voltage being provided in a transformer for preventing electrostatic breakdown due to steep surge penetration, and can stabilize secondary-side capacitance. 急峻なサージ侵入による静電破壊を防止するために変成器内に設けていた耐電圧の大きい複数個のコンデンサを設けることを不要にでき、安価で、小型化を図ることができ、また、2次側静電容量を安定化させることができるコンデンサ分圧器を得る。 - 特許庁
To provide an oscillating element and an oscillator employing the same which achieves stable oscillation by suppressing parasitic capacitance of a fixed electrode and a vibrating element, other than capacitive coupling for setting a resonant frequency for the oscillating element constituted of the fixed electrode and the vibrating element in a mechanical oscillator. メカニカル発振器における固定電極と振動子からなる発振子に対し、共振周波数を設定する容量結合以外の固定電極と振動子との寄生容量を抑制し、安定した発振を行う発振子及びそれを用いた発振器を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor element housing package and a semiconductor device in which a capacitance component generated at a substrate is reduced and a characteristic impedance value of a line conductor is not fluctuated, in the line conductor with a capacitor wider than the line conductor and mounted on the half way of the upper surface of a circuit substrate. 回路基板の上面に線路導体より幅広のコンデンサが途中に実装された線路導体において、基体との間に生じる容量成分を少なくし、線路導体の特性インピーダンス値が変動しない半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide an oscillation circuit capable of realizing stable oscillation of the oscillation circuit by reducing the effect of parasitic resistance and parasitic capacitance of a vibrator on the resonance characteristic (Q value, gain, etc.), with improved measurement accuracy of a vibration type sensor, and to provide the vibration type sensor using the same. 振動子の寄生抵抗や寄生容量による共振特性(Q値やゲイン等)への影響を低減して、発振回路の安定した発振を実現し得ると共に、振動式センサの測定精度を向上させ得る発振回路およびそれを用いた振動式センサを提供する。 - 特許庁
Thereby, the voltage between the gate G and drain D of the field-effect transistor Q1 becomes the same AC potential, therefore no current is generated through the stray capacitance, and the input impedance of the field-effect transistor Q1 can be made high in the same way as the case that the feedback capacitor is used. これにより、電界効果トランジスタQ1のゲートGとドレインDとの電位が交流的に同一になり、この間の浮遊容量を通じての電流が生じず、帰還コンデンサを用いていた場合と同様にして、電界効果トランジスタQ1の入力インピーダンスが高められる。 - 特許庁
The matrix type capacitance transparent touch panel is provided, in which a plastic transparent substrate with a plurality of beltlike transparent conductive materials arranged in parallel at an interval is bent inward or outward so that the beltlike transparent conductive materials face each other at 45 degrees as the upper substrate and the lower substrate. 複数の帯状透明導電体が間隔をあけて平行に配置されるプラスチック透明基板を、帯状透明導電体が45度で対向するように内側または外側に折り曲げ、それぞれを上部基板と下部基板とにしたマトリクス式静電容量型透明タッチパネルを提供する。 - 特許庁
Therefore, silicon oxide is used, in place of a bulk of silicon dioxide, which is usually used as the material for the formation of a gate dielectric layer, and a semiconductor device capable of reducing leakage current is provided, while an input FET capacitance is made to increase. よって、ゲート誘電体層形成の材料として従来使用されていた二酸化シリコン製バルクの代替材料として酸化シリコンを用いることにより、入力FETキャパシタンスを増加させながら、リーク電流を減らすことを可能とする半導体デバイスを提供することを特徴とする。 - 特許庁
A second dielectric film 4 having a temperature coefficient of electrostatic capacitance different from a prescribed value is formed by covering the top face edge to stepped part of the dielectric thin film 3, and an upper electrode 5 is provided so as to cover the dielectric thin film 3 and the second dielectric film 4. 誘電体薄膜3の上面縁部乃至誘電体薄膜3の段差部を覆って所定の静電容量温度係数とは異なる静電容量温度係数をもつ第二誘電体膜4を設け、誘電体薄膜3と第二誘電体膜4とを覆って上部電極5を設ける。 - 特許庁
In the case the short circuit defect between the auxiliary capacitance elements 51 occurs, a laser is made to irradiate the part of the connection wire 74 overlapping with the protective layer 56 for repair so as not to make the laser which has cut the connection wire 74 reach the pixel electrode by means of the protective layer 56 for repair. 補助容量素子51間に短絡不良が発生した場合には、この接続配線74の修復用保護層56が重なっている部分にレーザーを照射することで、接続配線74を切断したレーザが、修復用保護層56により画素電極にまで達しないようにする。 - 特許庁
Furthermore, after manufacturing it, each elastic arm section 20C is prevented from plastically deforming carelessly before incorporating the diaphragm 20 as the portion of the capacitance-type sensor. これにより、ダイヤフラム20の製造時に各弾性アーム部20Cが塑性変形してしまうのを効果的に抑制するとともに、その製造後も、該ダイヤフラム20が静電容量型センサの一部として組み込まれる前に、各弾性アーム部20Cが不用意に塑性変形してしまわないようにする。 - 特許庁
The pixel sensor cell including a column circuit, a design structure for fabricating the pixel sensor cell including the column circuit and a method for operating the pixel sensor cell including the column circuit are predicated upon the measurement of multiple reference data point and signal data point pairs from a floating diffusion at a variable capacitance. 列(カラム)回路を含む画素センサ・セル、列回路を含む画素センサ・セルを製造するための設計構造体、及び列回路を含む画素センサ・セルを動作させるための方法は、可変キャパシタンスでの浮遊拡散部からの複数の参照データ・ポイントと信号データ・ポイントとのペアの測定に基づく。 - 特許庁
To provide a sealing bag capable of housing a large electrode without a dead space, effective in increasing capacitance of battery, and using a laminated sheet by applying drawing process treatment, and to provide a nonaqueous electrolyte battery excellent in sealing reliability by using this sealing bag. 内部にできるだけ大きな電極を、デッドスペースなしに入れることができ、電池の電気容量の増加に有効な、絞り加工処理を施した貼り合せシートを使用した封入袋および、該封入袋を用いて、密封信頼性の優れた非水電解質電池を得る。 - 特許庁