「Capacitance」を含む例文一覧(9962)

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  • According to the projecting part 43a, the distance between the pixel electrode 9a and the data line 6a is widened as compared with the case where the third interlayer insulating film 43 is formed as a uniform insulating film, and parasitic capacity generated by using the pixel electrode 9a and the data line 6a as capacitance electrodes is reduced.
    このような凸部43aによれば、第3層間絶縁膜43を一様な絶縁膜として形成する場合に比べて、画素電極9a及びデータ線6a間の距離を広げることができ、画素電極9a及びデータ線6aの夫々を容量電極として発生する寄生容量を低減できる。 - 特許庁
  • In this case, resin sections 14, 14 made of a polymer material are provided at one portion of the wires 13A, 13B wound around the winding core 11A to adjust capacitance.
    本発明のコモンモードチョークコイル10は、コア11の巻芯部11Aに巻回されたワイヤ13A、13Bが巻芯部11Aから引き出された電極12、12に接続されてなり、巻芯部11Aに巻回されたワイヤ13A、13Bの一部に高分子材料からなる樹脂部14、14を静電容量調整用として設けた。 - 特許庁
  • Here, since the row and columnar wiring operate as integration circuits due to their resistance and stray capacitance components, it is possible to adjust the voltages to be applied to each columnar wiring according to the distances from its feed power side by varying the thinning-out rate according to the distances from its feed power side up to the row wiring.
    ここで行及び列配線は、その抵抗及び浮遊容量成分により積分回路として動作するので、この間引きレートを、行配線への給電側よりの距離に応じて変更することにより、各列配線に印加される電圧をその給電側よりの距離に応じて調整することができる。 - 特許庁
  • To enable semiconductor device to be lessened in inter-wiring and inter-wiring layer effective dielectric constant and inter-wiring and inter-wiring layer capacitance.
    セルフアラインデュアルダマシン法では、配線層間と配線間の各絶縁膜に有機材料を用い、配線間の絶縁膜をエッチング加工する際に、これらの絶縁膜の層間の全面に有機材料よりも誘電率の高いエッチングストッパ層を用いるため、実効的な誘電率の低減が十分にできないという問題の解決を図る。 - 特許庁
  • To provide an electrostatic capacitance system touch panel that can prevent the physical property change and resistance increase of a conductive polymer included in a transparent electrode of the touch panel and can have higher visibility by further having a transparent protection layer formed between the transparent electrode and a transparent adhesive coupled with the transparent electrode.
    タッチパネルの透明電極に結合される透明接着剤の間に透明保護層をさらに形成することにより、透明電極を成す導電性高分子の物性の変性及び抵抗増加を防止し、タッチパネルの視認性を向上させることができる静電容量方式のタッチパネルを提供する。 - 特許庁
  • In this capacity detection type acceleration sensor, a moving body 4 is stored movably in a body 1, wherein liquid is enclosed, and an acceleration is detected by measuring a capacitance change between the electrodes caused by a gap change between the opposite electrodes 2a, 2c corresponding to the position of the moving body 4 that moves by receiving acceleration.
    容量検知型加速度センサは、液体が封入された本体1内に移動体4が移動可能に収容されており、加速度を受けて移動する移動体4の位置に応じて対向する電極2a,2c間のギャップが変化することによる電極間の静電容量の変化を計測することで加速度を検知する。 - 特許庁
  • To allow an infinitesimal capacitance to be measured in a remarkably high accuracy as compared with that of a prior art by applying, for example, to a substrate checking unit for checking pixels of a liquid crystal display panel and applying to a measurement or the like of an electrostatic capacity of each pixel for constituting the panel.
    本発明は、微小容量測定装置に関し、例えば液晶表示パネルの各画素を検査する基板検査装置に適用して、液晶表示パネルを構成する各画素の静電容量の測定等に適用して、従来に比して格段的に高い精度により微小な容量を測定することができるようにする。 - 特許庁
  • The array substrate includes: a plurality of scanning lines 19, a plurality of auxiliary capacitance lines 21, a plurality of signal lines 27 and a plurality of switching elements formed on the substrate; an insulating film; a plurality of pixel electrodes 34; and a plurality of base portions 7 formed of the same material as the pixel electrodes 34 and formed on the insulating film.
    アレイ基板は、基板上に形成された複数の走査線19、複数の補助容量線21、複数の信号線27及び複数のスイッチング素子と、絶縁膜と、複数の画素電極34と、画素電極34と同一材料で上記絶縁膜上に形成された複数の下地部7とを有する。 - 特許庁
  • To provide a structure of a semiconductor device wherein stray capacitance between a thin film vibrator and a semiconductor substrate is little and to provide the semiconductor device including the thin film vibrator that can be formed by a generic thin film forming technology without the need for using a piezoelectric body, applicable to high frequency applications and driven at a low voltage.
    薄膜振動子と半導体基板との浮遊容量の少ない半導体装置の構造を提供するとともに、圧電体を用いなくても一般的な薄膜形成技術によって形成でき、高周波化と低電圧駆動が可能な薄膜振動子を有する半導体装置を提供することにある。 - 特許庁
  • To provide an electrolyte for driving an electrolytic capacitor capable of inhibiting radical chain thermal oxidation reaction for a long term only with a small quantity of chemical added without dropping spark generating voltage of the electrolytic capacitor, and capable of inhibiting an increase in a rate of capacitance change and tanδ while inhibiting an increase in specific resistance of the electrolyte.
    電解コンデンサの火花発生電圧が低下させずに、少量の薬品添加でもラジカル連鎖熱酸化反応を長期的に抑え、電解液の比抵抗の上昇を抑制しながら、容量変化率、tanδの上昇の抑制が可能な電解コンデンサの駆動用電解液を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a copper foil with a carrier which reduces a connection resistance without dropping an electric capacitance of a compact Li battery in a laminated circuit substance performing an interconnection by a conductive paste and thins down a film having excellent adhesiveness with the substrate in a laminated substrate for ensuring the adhesiveness with resin on both the surfaces of the copper foil.
    小型化したLi電池の電気容量を落さず、導電ペーストによって相間接続を行う積層回路基板においては接続抵抗を低くし、銅箔両面にて樹脂との密着性を確保する積層基板においては基板との密着性が良好な薄膜化したキャリア付き銅箔を提供することである。 - 特許庁
  • Also, since an n well 111 in the driving control circuit region 201 is separated from an n^- well 112 in the pixel paved region 202, potential fluctuation of the n well 111 does not propagate directly to the pixel paved region 202 but becomes capacitive coupling by parasitic capacitance, and the influence on the pixel paved region 202 can be reduced.
    また、駆動等制御回路領域201のnウェル111と、画素敷き詰め領域202のn^-ウェル112は分離されているので、nウェル111の電位の変動は直接、画素敷き詰め領域202に伝搬せず、寄生容量による容量結合となって画素敷き詰め領域202への影響は小さくできる。 - 特許庁
  • Hereby, when an on-off switch 24 is in the open state, the charge is prevented from flowing into the sensor electrode E1 from a supply potential V2 through a diode 26, and erroneous detection generated when the on/off state of on-off switches 22-24 is controlled and the capacitance change is detected from a potential change, can be prevented.
    これにより、開閉スイッチ24が開状態のときに、ダイオード26を介して電源電位V2からセンサ電極E1に電荷が流れ込むことがなくなり、開閉スイッチ22〜24の開閉を制御してノードN1の電位の変化から静電容量の変化を検出する際の誤検出を防ぐことができる。 - 特許庁
  • This invention does not need to use off-chip inductors or capacitors, and contributes to the yield and the amount of production, because no extra connections are required, in comparison with prior art because switchings among the bands are performed by using the current, voltage or capacitance between the input terminal and the output terminal of the transistor.
    電流又は電圧もしくはトランジスタの入力端と出力端との間の電気容量値を使用してバンドを切替えているので、本発明は先行技術に比較して、チップ外のインダクタ及びキャパシタを使用する必要がなく、かつ、定格該の結線を要しないので歩止まり及び産量に寄与する。 - 特許庁
  • If the oscillation frequency of the oscillating circuit 21 increase with the rise in the temperature inside the capacitance sensor 11, then the resistance value of the thermostat 26 which constitutes the feedback resistance 24 rises, so as to increase the resistance value of the feedback resistance 24 and reduce the oscillating frequency of the oscillating circuit 21.
    静電容量センサ11の内部温度が上昇して発振回路21の発振周波数が高くなるような場合は、帰還抵抗24を構成するサーミスタ26の抵抗値が上昇するので、帰還抵抗24の抵抗値が増大し、発振回路21の発振周波数を低下させるように作用する。 - 特許庁
  • For frequencies used for the transmission line, the signals can be transmitted without distortions, if a resistor R per unit length of the transmission line determined by a resistor of a laminated conductor, inductance L per unit length of the transmission line, conductance G per unit length and capacitance C of unit length satisfy the expression R/G=L/C.
    伝送線路を使用する周波数において積層導体の抵抗で決まる伝送線路の単位長さあたりの抵抗Rが、伝送線路の単位長さあたりのインダクタンスL、単位長さあたりのコンダクタンスG、単位長さあたりのキャパシタンスCとの関係をR/G=L/Cであれば、信号はひずみなく伝播する。 - 特許庁
  • The liquid crystal display device is arranged so a to modulate a gamma correction voltage or a compensation potential difference Vepp in capacitance coupling driving by a vertical cycle control voltage generated according to the temperature of at least one point in the liquid crystal device and the expected temperature distribution in the vertical direction of the liquid crystal panel.
    液晶表示装置内の少なくとも1ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶表示パネルの垂直方向の温度分布に応じて作成された垂直周期の制御電圧により、ガンマ補正用電圧もしくは容量結合駆動における補償電位差Veppを変調するようにした。 - 特許庁
  • To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.
    MOCVD法などの成膜時の温度が約300℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁
  • This capacitance sensor includes a frame 21 sandwiched between first and second substrates 11 and 31, displaceable weights 22a-22e supported by the frame 21, and electrodes 12a-12d, 13, 32a-32d, and 33 provided on the substrates 11 and 31 correspondingly to the weights 22a-22e.
    第1の基板11と第2の基板31に挟まれた枠体21と、この枠体21に支持された変位可能な重錘体22a乃至22eと、この重錘体22a乃至22eに対応して基板11,31上に設けられた電極12a乃至12d,13,32a乃至32d,33とを備えている。 - 特許庁
  • An image forming apparatus includes: voltage detection means 50 for detecting voltage of an electric double-layer capacitor 42 in a power storage device 41; and calculation means 45 for detecting an arrival time until the voltage of the electric double-layer capacitor 42 reaches a second specified value from a first specified value to determine capacitor electrostatic capacitance during charging.
    蓄電装置41における電気二重層キャパシタ42の電圧を検知する電圧検知手段50と、充電時において電気二重層キャパシタ42の電圧が第1所定値から第2所定値に達するまでの到達時間を検知してキャパシタ静電容量を求める算出手段45と、を備える。 - 特許庁
  • The lighting system 1 includes: an electrode portion 2; a frequency variable oscillation circuit 3 that varies a frequency with change of a stray capacitance Cs formed between the electrode portion 2 and a human body M; and a controller 7 which controls lighting of a light source 9 based on the fluctuation signal obtained by the frequency variable oscillation circuit 3.
    照明装置1は、電極部2と、電極部2と人体Mと間に形成された浮遊容量Csの変化で周波数が可変する周波数可変発振回路3と、周波数可変発振回路3で得られる揺らぎ信号に基いて光源9を点灯制御する制御部7とを備える。 - 特許庁
  • There is provided a conductive polymer electrolyte that is not only small in deterioration of the impedance characteristics but also high in the capacitance generating ratio while maintaining the high withstand voltage characteristics by applying a combination of salt and the ionic liquid having one type or more of the ionic liquid with a predetermined anion composition or the ionic liquid having the predetermined anion composition.
    特定のアニオン成分を有するイオン液体を1種以上、あるいは特定のアニオン成分を有するイオン液体と塩の組み合わせを用いることにより、高耐圧特性を維持しつつインピーダンス特性低下が少なく、かつ高容量発現率のに導電性高分子電解質を提供することができる。 - 特許庁
  • To provide a protective circuit for protecting elements, which tend to decrease in input capacitance and resistance value, from degradation and breakage, by suppressing potential rising, against a high-speed surge on the GHz order such as CDM which a conventional protective circuit designed to absorb a surge on the MHz order or less does not handle.
    MHzオーダー以下のサージを吸収するように設計された従来の保護回路が想定していないCDMのようなGHzオーダーの高速なサージに対して電位上昇を抑制し、入力容量が小さく耐量値が低くなる傾向にある素子を劣化や破壊から守るための保護回路を提供する。 - 特許庁
  • A liquid crystal display device 1 is so configured as to detect a contact position of a contact body by detecting static capacitance formed between the contact body and a part of counter electrodes 35 when the contact body comes in contact with a plane of a counter substrate 22, the plane being opposite from a plane on which the counter electrodes 35 are formed.
    液晶表示装置1は、対向基板22の対向電極35が形成されている面とは反対側の面に接触体が接触したときに、接触体と対向電極35の一部との間に形成される静電容量を検知することよって、接触体の接触位置を検出するように構成されている。 - 特許庁
  • To repeatedly divert the IC card of large capacitance by remarkably prolonging the service life of a battery for power source by forming the active state of the battery only when the main body of simulation FD cartridge is inserted to the FD slot of FD corresponding electronic equipment and forming the inactive state in the other case.
    本発明は、模擬FDカートリッジ本体をFD対応電子機器のFD受口に挿入した時にのみ電源用電池の稼働状態が形成され、それ以外は非稼働状態を形成でき、電池寿命を大巾に拡大して容量の大きなICカードを繰り返し転換使用できるようにする。 - 特許庁
  • To prevent deterioration of a selection characteristic due to a new undesired tuning circuit formed by capacitance generated in the nonconductive mode of a switch diode in a double-tuned circuit of a tuner switchable, so as to be tune to a plurality of frequency bands according to the conductivity/ nonconductivity of the switch diode.
    スイッチダイオードの導通または非導通によって複数の周波数帯に同調可能なように切替可能なチューナの複同調回路において、スイッチダイオードの非導通時に発生する静電容量によって構成される所望しない新たな同調回路による選択特性の悪化を防止する - 特許庁
  • The receiver circuit reduces kick-back noises due to coupling capacitance from a pair of differential input transistors when a clock signal rises up to a high level by connecting the drain nodes of the pair of differential input transistors which respond to a reference voltage and a data signal, respectively, while the signal is at a low level, to a ground voltage.
    レシーバ回路は、信号がローレベルである間、基準電圧とデータ信号を各々受け入れる一対の差動入力トランジスタのドレイン端子を接地電圧と連結することにより、クロック信号がハイレベルに遷移する時に、一対の差動入力トランジスタの結合容量によるキックバックノイズを減少させる。 - 特許庁
  • The device comprises matrices of multiple TFTs and pixel electrodes 10 placed in the area enclosed with scanning lines 4 and signal lines on a glass substrate 2 and an auxiliary capacitance electrode 8 formed on almost all of the display panel of a glass substrate 1 next to an insulating film 9 on the pixel electrodes 10.
    ガラス基板2上の走査線4および信号線に囲まれた領域にマトリクス状に夫々配置された複数のTFTおよび複数の画素電極10と、画素電極10に対して絶縁膜9を挟んでガラス基板1上の略表示画面全面に渡って形成された補助容量電極8とを備える。 - 特許庁
  • To provide a chip-type solid electrolytic capacitor, as well as, a manufacturing method therefor, capable of surely jointing a terminal board to an outer package resin part without causing damages on an insulating member, dispensing with the pasting operation of a heat resistance tape and deburring operation for reduced cost, and suppressing increase in the thickness of the insulating member for reduced size or increased capacitance.
    絶縁部材を損傷させず、端子基板と外装樹脂部の接合を確実にするとともに、耐熱テープ貼り作業及びバリ取り作業を不要とし、コスト削減が図れ、更に、絶縁部材の厚みを薄く抑え、小型化または大容量化が図れるチップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Redundancy multiplexer circuit technique with an improved integrated circuit area efficiency provides similar functionality to conventional CMOS transmission, or 'pass' gates while concomitantly reducing circuit complexity, the die area necessary to support the redundant elements and the complementary control signals in the memory devices ICs and undesired parasitic capacitance.
    集積回路面積効率のよい冗長マルチプレクサ回路技術は、従来のCMOSトランスミッションまたはパスゲートと同じ機能を提供しながら、回路の複雑性、メモリデバイスIC中の相補制御信号および冗長素子を支えるのに必要なダイ面積ならびに不所望な寄生容量を減じる。 - 特許庁
  • In this capacitance type input device 1, the shielding conductive layer 18 faces one face 10a of a translucent substrate 10 where translucent electrodes 11, 12 for detecting an input operation position are formed, so that the translucent electrodes 11, 12 can be protected from external noise.
    静電容量型入力装置1では、透光性基板10において、入力操作位置を検出するための透光性電極11、12が形成されている一方面10a側にシールド用導電層18を対向させているので、透光性電極11、12を外部ノイズから保護することができる。 - 特許庁
  • As a means to prevent saturation of TRs of an input stage circuit, a diode D1 is inserted to the circuit, and as a means to prevent saturation of TRs of an output stage circuit, a diode D2 is inserted to the circuit so as to attain a high speed operation with less additional components to prevent saturation and with less addition of undesired parasitic capacitance.
    また、入力段回路トランジスタの飽和を防止する手段として、ダイオードD1を挿入し、出力段回路トランジスタの飽和を防止する手段として、ダイオードD2を挿入することにより、飽和防止のための追加素子を少なく、余分な寄生容量の付加を少なくして、高速動作を可能とした。 - 特許庁
  • A varactor element 7 is connected between a gate bias application terminal 6 of a tip short-circuit stub 2 provided for input impedance matching and ground, the capacitance of the varactor element 7 is changed by adjusting a gate bias voltage so as to equivalently change the electric length of the tip short-circuit stub 2.
    入力インピーダンス整合用に設けた先端短絡スタブ2のゲートバイアス印加端子側6と接地との間に可変容量素子7を接続し、この可変容量素子7の容量値をゲートバイアス電圧値を調整することによって変化させ、先端短絡スタブ2の電気長を等価的に変化させる。 - 特許庁
  • A reverse bias applying means 9 is composed of a switching transistor Tr4 for writing a negative potential Vmb to the capacitance C1, applies the negative potential Vmb as the reverse bias, that is a negative polarity with reference to the source S, and performs downward adjustment of an upward change of the threshold voltage generated by applying the forward bias.
    逆バイアス印加手段9は、容量C1に負電位Vmbを書き込むスイッチングトランジスタTr4からなり、ドライブトランジスタTr2のゲートGに、ソースS基準で負極性となる逆バイアスとして負電位Vmbを印加し、順バイアスの印加によって生じた閾電圧の上方変動を下方修正する。 - 特許庁
  • The measuring terminal 22A, the IGBT element and the photocoupler are provided for each of the plurality of loads 3, thereby easily individually controlling current supply to each load 3 by shutting off voltage application to the load 3 which is e.g., short-circuited, opened or determined defective in capacitance measurement of a previous step.
    測定端子22Aと、IGBT素子と、フォトカプラが、複数の負荷3毎にそれぞれ設けられているので、例えばショートまたはオープンとなっていたり、前工程の容量測定などで不良と判定された負荷3に対する電圧印加を遮断して、各負荷3への電流供給を容易に個別制御できる。 - 特許庁
  • The inclination sensor device 9 is provided with a capacitance electrodes 2 which are opposite up and down arranged in between a space 1 at least one side of which are composed of a plurality of electrodes 2a, and provided with a dielectric block 3 accomodated in the space 1, and movable between a plurality of electrodes 2a according to the inclination of space 1.
    空間1を間に配して上下に対向し、少なくとも一方が複数の電極2aからなる容量電極2と、空間1内に収容され、空間1の傾きに応じて複数の電極2a間を移動可能な誘電体ブロック3とを具備する傾斜センサ装置9である。 - 特許庁
  • Even if an overcurrent due to the parasitic inductance L or capacitance C of the high voltage cable 22 is generated and begins to flow into the cold-electrode 12, the overcurrent can be prevented from flowing, as it is, into the cold-electrode 12 by the second current control resistor 41 and thereby long life of the cold-electrode 12 is ensured.
    高圧ケーブル22に寄生しているインダクタンスLやキャパシタンスCに起因する過電流が発生して冷陰極12に流れようとしても、第2の電流制御抵抗41によって当該過電流がそのまま冷陰極12に流れることを防止でき、冷陰極12の長寿命化が図れる。 - 特許庁
  • This process for producing an electrostatic capacitance-type acceleration sensor comprising a fixed electrode 4, a movable electrode 6 also serving as a weight, and a beam 5 made of metals and placing them in the direction perpendicular to a substrate, includes the step of forming the fixed electrode 4, the movable electrode 6, and the beam 5 by wet plating process.
    固定電極4、錘を兼ねた可動電極6、および梁5が金属からなり、基板に対して垂直方向にこれらが配置されている容量型加速度センサの製造方法であって、固定電極4、可動電極6、および梁5を湿式めっき法により形成する工程を備えている。 - 特許庁
  • A conduction angle of AC input current is enlarged to improve a power factor by the rectifying operation of a 4-fold voltage rectifier circuit in which an amplitude relationship is imparted to the capacitance of a smoothing capacitor and voltage feeding back a switching output to a rectifying current route of a rectifying and smoothing circuit.
    そして、平滑コンデンサのキャパシタンスに大小関係を与えた4倍電圧整流回路の整流動作と、スイッチング出力を整流平滑回路の整流電流経路に電圧帰還する構成とにより、交流入力電流の導通角を拡大して力率改善を図るようにされる。 - 特許庁
  • At waiting conditions in which the charge pump 3 does not operate pumping of the voltage, the transistor switches SW1, SW2 are turned off, and thereby a current does not flow into the first resistance voltage dividing circuit 5 and a pumped voltage Vpp is detected only with the capacitance voltage-dividing circuit 4, and thereby the power consumption in waiting condition can be reduced.
    チャージポンプ3が昇圧動作を行っていない待機状態時は、トランジスタスイッチSW1,SW2をオフして、第1の抵抗分圧回路5に電流が流れないようにして容量分圧回路4のみで昇圧電圧Vppの電圧検知を行うため、待機状態時の消費電力を低減することができる。 - 特許庁
  • A temperature compensating thin-film capacitor 1 has such a structure, with a first dielectric thin film 5 having permittivity of 4.0 or lower and a coefficient of linear thermal expansion of 50 ppm/°C or higher and a second dielectric film 4 whose absolute value of a temperature coefficient of capacitance is 50 ppm/°C or lower are interposed between a pair of electrodes.
    比誘電率が4.0以下であり、かつ線熱膨張係数が50ppm/℃以上である第1の誘電体薄膜5と、容量温度係数の絶対値が50ppm/℃以下の第2の誘電体薄膜4とが一対の電極間に介在されたことを特徴とする温度補償用薄膜コンデンサ1。 - 特許庁
  • This capacitance-type physical quantity sensor comprises a fixed electrode 13 formed on a glass substrate 11, and a pressure-sensitive diaphragm 15a placed on a confronting position and serving as a movable electrode, and is suited to surface mounting since extraction parts 14a and 14b of the two electrodes are formed on an under surface 11b of the glass substrate.
    ガラス基板11上に形成された固定電極13と、対向する位置に置かれた可動電極となる感圧ダイヤフラム15aとを有し、両電極の引き出し部14a,14bがガラス基板の下面11bに形成された、平面実装に適した静電容量型物理量センサである。 - 特許庁
  • To provide a capacitance type or conductivity type sensor device which is best suited for measuring storage levels such as liquid, powder and the like in a tank and a vessel, and is not only made compact and light, but also manufactured at low cost, and whose electrode in a complicated shape corresponding to shapes of the tank and the vessel can be produced easily.
    タンクや容器の形状にあわせた複雑な形状の電極の製作が容易であり、小型軽量化が図れると共に製造コストが安くなるような、タンクや容器内の液体や粉体等の貯蔵レベル等を計測するのに最適な静電容量式又は電気導電度式のセンサ体を提供する。 - 特許庁
  • As a width W_2 of the second region 11b is greater than a width W_1 of the first region 11a, an acoustic capacitance per a unit length of the second region 11b in the paper conveyance direction is greater than that of the first region 11a in the paper conveyance direction.
    第2領域11bの幅W_2が、第1領域11aの幅W_1よりも大きくなっているため、第2領域11bの紙送り方向に関する単位長さあたりの音響容量は、第1領域11aの紙送り方向に関する単位長さあたりの音響容量よりも大きくなっている。 - 特許庁
  • An auxiliary capacitance electrode 6 has an anode oxide film unformed area 6A formed of a pair of side parts on both sides of almost U-shaped part 6a to be superimposed on prescribed three side parts of the pixel electrode 5, and an anode oxide film formed area 6B (shown as hatched part) provided on both sides of the area 6A.
    補助容量電極6は、画素電極5の所定の3側辺部と重ね合わされるほぼコ字状部6aの両側の一対の辺部からなる陽極酸化膜非形成領域6Aと、その両側に設けられた陽極酸化膜形成領域6B(斜線で示す部分)とを有する。 - 特許庁
  • The voltage control circuit 8 of a DC chopper type quick charging circuit calculates the changes of quick charging voltage by the capacity fluctuations of the capacitor 7 from the measured temperature value of the capacitor itself or the ambient measured temperature value to correct the fluctuations of the calculated capacitance C by control of output current i.
    直流チョッパ型の急速充電回路の電圧制御回路8は、コンデンサ7の容量変動による急速充電電圧の変化を、コンデンサ自体の温度計測値、または周囲の温度計測値から算出し、この算出したコンデンサ容量Cの変動に出力電流iの制御で補正する。 - 特許庁
  • To provide a storage node formation method for a semiconductor device capable of uniformly maintaining capacitor capacitance and improving the reliability of an element by minimizing the loss difference of a conductive film at the center part and peripheral part of a cell area generated by an etch- back process at the time of separation of a storage node 26.
    ストレージノード26の分離時にエッチバック工程によって発生するセル領域の中央部と周辺部の導電膜が損失差異を最小化させることによって、キャパシタ容量を均一に維持でき、素子の信頼性を向上させることができる半導体装置のストレージノード形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a card-like data recording medium which has optical recording data with comparatively large capacitance, electric recording data and visual sense confirmation data describing description of recorded contents of an optical recording medium or related information, respectively, in a data recording medium having an outer shape with standard card size.
    標準のカード・サイズの外形を有するデータ記録媒体において比較的大きな容量の光学的記録データと、該光学的記録媒体の記録内容を説明若しくは関連情報を記載した電気的記録データ及び視覚確認データをそれぞれ具備するカード状データ記録媒体を提供する。 - 特許庁
  • The lower electrode 16 of the capacitance element is formed on the insulating film 14 so that the electrode 16 may be connected to the plug 15 and the electrode 16 is constituted of a first-conductivity barrier film 16a, a second-conductivity iridium oxide barrier film (oxygen barrier film) 16b, and a metallic film 16c.
    層間絶縁膜14の上にはコンタクトプラグ15と接続されるように容量素子の下部電極16が形成されており、該下部電極16は、第1の導電性バリア膜16a、酸化イリジウム膜よりなる第2の導電性バリア膜(酸素バリア膜)16b及び金属膜16cより構成されている。 - 特許庁
  • In a stator of the brushless motor molded by an insulative resin, a capacitance between a shaft and a bracket can be reduced, and the high-frequency electrolytic corrosion (the wavy abrasion phenomenon) is prevented from occurring to the bearing since a stator iron core is short-circuited to the bracket through an iron core connecting terminal and a bracket connecting terminal.
    絶縁樹脂にてモールドされたブラシレスモータの固定子において、固定子鉄心は鉄心接続端子とブラケット接続端子を経由してブラケットと短絡する構造にすることで、軸とブラケット間の静電容量を減少させることが可能であり軸受の電食(波状磨耗現象)を防止することを目的とする。 - 特許庁
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