「Capacitance」を含む例文一覧(9962)
＜前へ 1 2 .... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 .... 199 200 次へ＞- The bandpass filter 1 includes: a first capacitance electrode 13 electrically connected to a resonance electrode 7; and a second capacitance electrode 15 electrically connected to the first capacitance electrode and facing the first capacitance electrode via a dielectric layer.
また、これらの電極パターンの形状を変化させて共振周波数を小さくした場合、共振周波数と共振周波数の２倍の周波数帯域の間であって減衰量の小さい帯域が通過帯域から外れてしまうため、通過帯域における信号が大きく減衰してしまう。 - 特許庁 - To provide a non-contact data receiving/transmitting body, a capacitance adjustment method and an capacitance adjustment apparatus therefor which enable the peripheral part of an antenna body, i.e. the inside area of a coil, to be widely secured and which provide a high degree of freedom in a capacitance adjustment range or a capacitance adjustment interval.
アンテナ体の周回部すなわちコイルの内側領域を広く確保することができるとともに、キャパシタンスの調整範囲や調整間隔において高い自由度を有する、非接触型データ受送信体並びにそのキャパシタンス調整方法及びそのキャパシタンス調整装置を提供する。 - 特許庁 - The control circuit controls the switch circuit and the pre-charge circuits to start pre-charging the initial stage pump capacitance with the plurality of pump capacitances connected in series, and then starts pre-charging the next stage pump capacitance after separating the next stage pump capacitance from the initial stage pump capacitance.
制御回路は、スイッチ回路およびプリチャージ回路を制御することにより、複数のポンプ容量を直列接続した状態で初段のポンプ容量のプリチャージを開始し、その後に初段のポンプ容量と次段のポンプ容量を切り離して次段のポンプ容量のプリチャージを開始する。 - 特許庁 - CIRCUIT SUBSTRATE WITH ANTENNA, METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT SUBSTRATE WITH ANTENNA, CIRCUIT SUBSTRATE WITH CAPACITANCE, METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT SUBSTRATE WITH CAPACITANCE, CIRCUIT SUBSTRATE WITH ANTENNA AND CAPACITANCE, METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT SUBSTRATE WITH ANTENNA AND CAPACITANCE AND NON- CONTACT INFORMATION TRANSFER DEVICE
アンテナ付き回路基板およびアンテナ付き回路基板の製造方法および容量付き回路基板および容量付き回路基板の製造方法およびアンテナ及び容量付き回路基板およびアンテナ及び容量付き回路基板の製造方法および非接触型情報授受装置 - 特許庁 - A feedback circuit 71 is constituted to return a capacitance measurement value 53 from the capacitance sensor 51 to the electropneumatic regulator 22 through a capacitance amplifier 52 and a pressure controller 61 and to control supply pressure to the lower pressing chamber 14 according to the capacitance measurement value 53.
静電容量センサ５１からの静電容量測定値５３を静電容量アンプ５２及び圧力コントローラ６１を介して電空レギュレータ２２に戻し、静電容量測定値５３に応じて下部加圧室１４への供給圧を制御するフィードバック回路７１を構成する。 - 特許庁 - The amplification transistor T_1 whose gate terminal is connected to both the first capacitance part C_11 and the second capacitance part C_12 or either of them outputs a voltage value corresponding to the amount of charge stored in one connected to the gate terminal between the first capacitance part and the second capacitance part.
増幅用トランジスタＴ_１は、第１容量部Ｃ_１１および第２容量部Ｃ_１２の双方または何れか一方にゲート端子が接続され、第１容量部および第２容量部のうちゲート端子に接続されているものに蓄積されている電荷の量に応じた電圧値を出力する。 - 特許庁 - A switched capacitor (100) is switchable between a first drive mode of amplifying an input signal (Sin) with a positive gain responsive to a capacitance ratio (Cs/Cf) of a sampling capacitance to a feedback capacitance and a second drive mode of amplifying the input signal (Sin) with a negative gain responsive to the capacitance ratio (Cs/Cf).
スイッチトキャパシタ(100)は、サンプリング容量とフィードバック容量との容量比(Cs/Cf)に応じた正利得で入力信号(Sin)を増幅する第１の駆動モードと、容量比(Cs/Cf)に応じた負利得で入力信号(Sin)を増幅する第２の駆動モードとを切り替えることができる。 - 特許庁 - An auxiliary capacitance line CY has a first auxiliary capacitance line portion CY1 at least a part of which intersects a signal line X and a second auxiliary capacitance line portion CY2 which is thinner than the first auxiliary capacitance line portion CY1 and does not intersects the signal line X, alternately connected to each other.
補助容量線ＣＹは、信号線Ｘに少なくとも一部が交差する第１補助容量線部分ＣＹ１と、この第１補助容量線部分ＣＹ１より細く且つ信号線Ｘに交差しない第２補助容量線部分ＣＹ２とが交互に接続されたものである。 - 特許庁 - A capacitance value CVDD1 of a parasitic capacitance C1 between the power supply terminal P11 and a ground terminal P21 and a capacitance value CVDD2 of a parasitic capacitance C2 between the power supply terminal P12 and the ground terminal P22 are set to satisfy the relationship of CVDD1 <<CVDD2.
電源用端子Ｐ１１，接地用端子Ｐ２１間の寄生容量Ｃ１の容量値ＣＶＤＤ１と電源用端子Ｐ１２，接地用端子Ｐ２２間の寄生容量Ｃ２の容量値ＣＶＤＤ２との関係は、ＣＶＤＤ１＜＜ＣＶＤＤ２の関係となるように設定される。 - 特許庁 - To provide a display device which is not configured to suppress OFF-current of a switching transistor and to increase capacitance of a capacitance element but is made resistant to an influence by parasitic capacitance or wiring capacitance, and to provide a driving method therefor, especially a driving method by a dot matrix system.
スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑えたり、容量素子の容量を大きくする構成ではなく、寄生容量又は配線容量の影響を受けにくい表示装置、及びその駆動方法、特に面積階調方式による駆動方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - In the beginning of a period wherein the circuit nodes B enters a floating state, electric charges migrate between the capacitance that a transistor Q1 has between its gate and the circuit node B (called the capacitance that the transistor Q1 has) and the capacitance that a transistor Q2 has between its gate and the circuit node B (called the capacitance that the transistor Q29).
回路節点Ｂがフローティングになった当初、トランジスタＱ１がゲートと回路節点Ｂの間にもつ容量（トランジスタＱ１がもつ容量という）と、トランジスタＱ２がゲートと回路節点Ｂの間にもつ容量（トランジスタＱ２がもつ容量という）の間での電荷移動が生じる。 - 特許庁 - An internal resistance deterioration index depending on an internal resistance of the capacitor and changing monotonously relative to increase of the internal resistance, and a capacitance deterioration index depending on the capacitance and changing monotonously relative to decline of the capacitance, are calculated from measurement results of the internal resistance and the capacitance.
内部抵抗と静電容量との測定結果から、キャパシタの内部抵抗に依存し、内部抵抗の増加に関して単調に変化する内部抵抗劣化指数、及び静電容量に依存し、静電容量の低下に関して単調に変化する静電容量劣化指数を算出する。 - 特許庁 - The capacitance 4 is charged by turning on the transistor 3, 4 and connecting to power supply VCC at charging, then a voltage of the capacitance 4 is applied to the capacitance 1, by turning on the transistors 2, 5 and connecting to the power supply VCC, and the transistors 2, 3 are turned on at discharging of the capacitance 1.
充電時にトランジスタ３、６をオンにして電源ＶＣＣに接続することにより容量４を充電し、つぎにトランジスタ２、５をオンにして電源ＶＣＣに接続することにより容量４の電圧を容量１に印加し、容量１のディスチャージ時にトランジスタ２、３をオンにする。 - 特許庁 - An additional capacitance or capacity is formed making use of a capacitance between interconnect lines (M11 and M12) and capacitance between through-holes (B11 and B12) that have large capacity following the advance of microfabrication in the process technology.
プロセス技術の微細化に伴って大きな容量を持つようになった配線間（Ｍ１１およびＭ１２間）容量およびスルーホール間（Ｂ１１およびＢ１２間）容量を利用して、付加容量またはキャパシタを形成する。 - 特許庁 - An auxiliary capacitance wiring drive circuit 42 applies an auxiliary capacitance wiring drive signal, in which a high-level electric potential and a low-level electric potential alternate in a single frame period to the auxiliary capacitance wirings CSL1-CSLm.
補助容量配線駆動回路４２は、各補助容量配線ＣＳＬ１〜ＣＳＬｍに、１フレーム期間毎にハイレベルの電位とロウレベルの電位とが交互に現れる補助容量配線駆動信号を印加する。 - 特許庁 - Besides, the controller performs an interpolation calculation to obtain coordinates of a touch point for the touch medium, on the basis of the peak capacitance detection differential value and a first adjacent capacitance detection differential value which is adjacent to the peak capacitance detection differential value.
また、コントローラは、ピーク容量検出差分値およびピーク容量検出差分値に近隣する第１近隣容量検出差分値に基づいて補間計算を行い、タッチ媒体のタッチポイントの座標を獲得する。 - 特許庁 - The signal detecting element (T1) includes the capacitance detecting electrode (41) and the capacitance detecting dielectric film (42), provided on the side between the capacitance detection electrode (41) and the object contacting side.
当該信号検出素子（Ｔ１）は、容量検出電極（４１）と、当該容量検出電極（４１）の当該対象物が接触する側に設けられる容量検出誘電体膜（４２）とを含んでいる。 - 特許庁 - To provide a large-capacitance electrochemical capacitor which has a specific capacitance higher than that of a prior art electric double layer capacitor and which is lower in manufacturing cost than a pseudo-capacitance capacitor using fine particles of ruthenium oxide.
従来の電気二重層キャパシタより比容量値が高く、しかも酸化ルテニウム微粒子を使用した疑似容量によるキャパシタに比べて製造コストが安い大容量の電気化学キャパシタを提供する。 - 特許庁 - As a result, the magnitude of the auxiliary capacitance can be increased, the area of the auxiliary capacitance part can be made small while the magnitude of the auxiliary capacitance is maintained in the expected magnitude and the numerical aperture can be enhanced.
その結果、補助容量の大きさを増加することができ、補助容量の大きさを所期の大きさに維持しつつ補助容量部の面積を小さくすることが可能となり開口率を向上させることができる。 - 特許庁 - A CV conversion circuit 5 detects the composite capacitance of the capacitance between the fixed electrode 3 and the electric conductor section 2a and the capacitance between the fixed electrode 4 and the electric conductor section 2a.
そして、固定電極３および導電体部２ａ間の静電容量と、固定電極４および導電体部２ａ間の静電容量との合成静電容量をＣＶ変換回路５により検出する。 - 特許庁 - To provide a capacitance detecting circuit and a method, and a finger print sensor, which improve S/N ratios by reducing the effects of disturbance noise, and detect a very small capacitance value Cs and a capacitance change value ΔCs of a sensor element with sufficient sensitivity.
外乱ノイズの影響を低下させ、Ｓ／Ｎ比を向上させ、センサ素子の微少な容量値Ｃs，容量変化値ΔＣsを高感度で検出する容量検出回路，方法，指紋センサを提供する。 - 特許庁 - To obtain the method and device for transmission line capacitance measurement of a packet switching network which can measure the capacitance of a transmission line at a distance from a testing device sending test packets, specially, transmission capacitance of the line beyond a bottleneck.
テストパケットを送信する試験装置から離れた伝送路の容量、特に、ボトルネック以遠の伝送路容量も測定可能なパケット交換網の伝送路容量測定方法および装置を提供する。 - 特許庁 - Collector/base capacitance Ccb is increased by forming parasitic capacitance between a capacitance regulating wire 11 connected with a base pad 7 and an N^+ collector substrate through an insulating film 3 and an N collector substrate.
ベースパッド７に接続された容量調整用配線１１が、絶縁膜３およびＮコレクタ基板を挟んで、Ｎ^＋コレクタ基板との間に寄生容量を形成することで、コレクタ−ベース間容量Ｃｃｂを増加させる。 - 特許庁 - To provide a technique for manufacturing a high-precision capacitance element without implementing an additional step of manufacturing the capacitance element for a semiconductor device having a nonvolatile memory cell and the capacitance element formed on a semiconductor substrate.
半導体基板上に不揮発性メモリセルと容量素子とを形成する半導体装置において、容量素子を製造する追加工程を実施することなく、高精度な容量素子を製造できる技術を提供する。 - 特許庁 - The respective switch electrodes 71 to 85 are connected to a capacitance detector 91 that detects capacitance of the respective switch electrodes 71 to 85 and outputs a contact detection signal corresponding to the detected capacitance.
各スイッチ電極７１〜８５は、各スイッチ電極７１〜８５における静電容量を検出し検出した静電容量に応じた接触検知信号を出力する静電容量検出部９１に接続されている。 - 特許庁 - The voltage-independent capacitance device 50 can use a voltage-independent capacitor, an electrode-electrode capacitor, or a common source amplifier and should have a capacitance larger than the capacitance of the sensing node.
電圧非依存の静電容量素子５０は、電圧に独立なコンデンサ、対向電極コンデンサ、または共通ソース増幅器が使用でき、センシングノードの静電容量よりも大きな静電容量を持たなくてはならない。 - 特許庁 - Electrostatic capacitance is also formed between conductor regions 7, 8 formed on the first printed circuit board 2 and the second printed circuit board 4, so that said electrostatic capacitance can adjust entire electrostatic capacitance.
第１プリント基板２と第２プリント基板４に設けられた導体領域７，８の間にも静電容量が形成されるから、この静電容量によって全体の静電容量を調整することができる。 - 特許庁 - The sub pixels 91 and 92 have auxiliary capacitances CCS and CCS formed by auxiliary capacitance electrodes connected to auxiliary capacitance wiring lines 93 and 94 different from each other and electrodes opposed to the auxiliary capacitance electrodes.
各副絵素９１，９２は、それぞれ異なる補助容量配線９３，９４に接続された補助容量電極とそれに対向する電極とによって形成された補助容量ＣＣＳ，ＣＣＳを有している。 - 特許庁 - To set the capacitance of a snubber capacitor used in common for a two semiconductor switching elements to a value which is identical to the capacitance of the snubber capacitor having a larger capacitance, when an independent snubber circuit is provided to each semiconductor switching element.
２つの半導体スイッチング素子に共通で使用されるスナバコンデンサの容量を、各半導体スイッチング素子に独立したスナバ回路を設けたときの容量が大きい方のスナバコンデンサの容量と同等とする。 - 特許庁 - To form sufficient capacitance without affecting characteristics, etc., by forming an auxiliary capacitance which holds an insulation film by a capacitance electrode, which is a first electrode formed in an upper layer of an active layer of a thin-film transistor and a second electrode formed in an upper layer thereof.
液晶表示装置などに用いられるＴＦＴにおいて、画素電極の表面の平坦性を維持すると共に、画素電極の電位を保持するために必要な補助容量を形成する。 - 特許庁 - To form a capacitor of a large capacitance and two or more capacitors having more than one kind of capacitance while attaining miniaturization of an element.
素子の微細化を図りつつ、大容量のキャパシタや二種類以上の容量を有する複数のキャパシタを形成することを可能とする。 - 特許庁 - The nozzle 41 is provided with a capacitance sensor 51, and a clearance between the capacitance sensor 51 and the object 46 is measured in a non-contact state.
ノズル４１に静電容量センサ５１を設け、静電容量センサ５１から測定対象４６までの離間距離を非接触で測定する。 - 特許庁 - The capacitance value of the fixed capacitance which is generated between the the resonance nodes OUT, OUTB is reduced by negative impedance taken by the negative impedance circuit 13.
共振ノード間に生じている固定容量の容量値が負性インピーダンス回路が呈する負性インピーダンスによって低減される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor capacitance device in which an inversion layer is easily formed.
反転層が形成され易い半導体容量装置を提供する。 - 特許庁 - To suppress a fluctuation in the constant current of a load transistor caused by the coupling capacitance between a signal line and a first electrode of a capacitance.
信号線と容量素子における第１の電極との間のカップリング容量に起因した負荷トランジスタの定電流の変動を抑制する。 - 特許庁 - CAPACITANCE ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME AND MANUFACTURING THEREOF
容量素子、それを用いた半導体装置およびそれらの製造方法 - 特許庁 - The upper electrode layer 4 in the capacitance generating region is protruded to the outside of the capacitance generating region and is bonded to the retaining substrate 1.
そして、容量発生領域の上部電極層４は、容量発生領域の外側に延出して支持基板１に接合している。 - 特許庁 - To increase the ratio of the coupling capacitance between a floating gate and a control gate to the total capacitance, and to improve the reliability during the read-out operation.
全容量に対するフローティングゲートとコントロールゲート間の容量比を向上させ、かつ、読み出し作動時の信頼性を向上させること。 - 特許庁 - At a tuning mode, a control circuit 206 outputs a capacitance-selecting signal S1 in such a way as to increase the tuning capacitance of a capacitor array 201.
同調モード時、制御回路２０６はコンデンサアレイ２０１の同調容量を増加させる方向に容量選択信号Ｓ１を出力する。 - 特許庁 - To provide a low cost and large capacitance capacitor built-in wiring board.
低コストで大容量のキャパシタ内蔵型配線基板を提供する。 - 特許庁 - The variable capacitance element of the noise filter varies capacitance by a DC control voltage and can vary frequency characteristics of the noise filter.
ノイズフィルタの可変容量素子は、直流制御電圧により、容量が変化し、ノイズフィルタの周波数特性を変化させることができる。 - 特許庁 - To provide a high-capacitance decoupling capacitor responding to a GHz band.
ＧＨｚ帯域対応の大容量のデカップリングキャパシタを提供する。 - 特許庁 - SOI STRUCTURE HAVING REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND PRODUCTION THEREOF
寄生容量を減少させたＳＯＩ構成体及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a CPP read head structure which is balanced in parasitic capacitance.
寄生的電気容量が釣り合ったCPP読取ヘッド構造を提供する。 - 特許庁 - To reduce deterioration in the accuracy of measuring capacitance caused by noise.
ノイズに起因した静電容量の測定精度の低下を軽減する。 - 特許庁 - The force in a Z-axis direction is also detected by the sum of both the capacitance values.
両容量値の和により、Ｚ軸方向の力検出もできる。 - 特許庁 - CAPACITANCE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
容量素子、その製造方法、半導体装置及びその製造方法 - 特許庁 - CAPACITANCE TYPE ACTUATOR DRIVING DEVICE AND INKJET HEAD DRIVING DEVICE
静電容量性アクチュエータの駆動装置およびインクジェットヘッドの駆動装置 - 特許庁 - The ratio of a parasitic capacitance of the pixel to the total capacitance is obtained from the variation of the pixel voltage obtained by the computer 31.
そして、コンピュータ３１により求めた画素電圧の変化量から、画素における寄生容量の全容量に対する比を求めるようにした。 - 特許庁 - LOW-CAPACITANCE PHOTODIODE ELEMENT, AND COMPUTED TOMOGRAPHY DETECTOR
低キャパシタンスのフォトダイオード素子及び計算機式断層写真法検出器 - 特許庁
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