The spin electronics material which shows an electronic phenomenon depending on the spin is formed by a heterojunction of a III-V group semiconductor which consists of GaAs, AlAs, InAs or their mixed crystals with a sphalerite type CrAs. この発明のスピンエレクトロニクス材料は、スピンに依存した電子現象を発揮する材料であって、GaAs、AlAs、InAsあるいはそれらの混晶からなるIII−V族半導体と、閃亜鉛鉱型CrAsとのヘテロ接合からなる、ことを特徴としている。 - 特許庁