「D. P.」を含む例文一覧(972)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 19 20 次へ＞
  • Same as `who -b -d --login -p -r -t -u'.
    `who -b -d --login -p -r -t -u' と同じ。 - JM
  • The shadow (D-P-S) processing procedure may comprise: a (D-P-S) generation process, a (D-P-S) evaluation process, and a (D-P-S) transportation process.
    前記D-P-S処理手順は、(D-P-S)生成工程、(D-P-S)評価工程、及び(D-P-S)搬送工程を有して良い。 - 特許庁
  • That is, (1) 5<f_3/f<100, (2) n_d(n)-n_d(p)<0.2 and (3) ν(p)-ν(n)>35.
    （１） ５＜ｆ_3／ｆ＜１００ （２） ｎ_d（ｎ）−ｎ_d（ｐ）＜０．２ （３） ν（ｐ）−ν（ｎ）＞３５ - 特許庁
  • The valleys 56a-56d are shaped with their bottoms Y_P, Y_R, Y_N, Y_D and their centers X_P, X_R, X_N, X_D shifted from each other, respectively.
    各谷５６ａ〜５６ｄは、その底Ｙ_P，Ｙ_R，Ｙ_N，Ｙ_Dと中央Ｘ_P，Ｘ_R，Ｘ_N，Ｘ_Dとがずらされた形状である。 - 特許庁
  • For example, in a case of determining a representative point of an area 1, an evaluation function represented by El(p)=D(A, p) + D(B, p) + (1-D(C, p)) + (1-D(D, p)) is used.
    例えば領域１の代表点を求める場合にはＥ１（ｐ）＝Ｄ（Ａ，ｐ）＋Ｄ（Ｂ，ｐ）＋（１−Ｄ（Ｃ，ｐ））＋（１−Ｄ（Ｄ，ｐ））で示す評価関数を使用する。 - 特許庁
  • Especially, when α and β are defined as constant numbers, and p is defined as 0≤p≤1, then D=α×(1/m-β)^p.
    特に、αおよびβを定数、０≦ｐ≦１として、Ｄ＝α×（１／ｍ−β）^pとする。 - 特許庁
  • A verifier calculates K=H1(W) and m= DKs(C) to obtain the plain text m and calculates V=gavbmod p and verifies whether H3(W VjWimod p gjeimod p m)=i is true or not.
    検証者はK=H_1(W), m=D_K^s(C)を計算して平文mをもとめ、V=g^ay^bmod p,を計算し、H_3(W‖V^jW^imod p‖g^je^imod p‖m)=iが成立するかを検証する。 - 特許庁
  • The expression (1) is P=(A-B)*|A-B|^(n-1)/(|A-B|^n+|C-D|^n), and the expression (2) is P=(C-D)*|C-D|^(n-1)/(|A-B|^n+|C-D|^n).
    Ｐ＝（Ａ−Ｂ）＊｜Ａ−Ｂ｜＾（ｎ−１）／（｜Ａ−Ｂ｜＾ｎ＋｜Ｃ−Ｄ｜＾ｎ）・・・（１）Ｐ＝（Ｃ−Ｄ）＊｜Ｃ−Ｄ｜＾（ｎ−１）／（｜Ａ−Ｂ｜＾ｎ＋｜Ｃ−Ｄ｜＾ｎ）・・・（２） - 特許庁
  • In the image display apparatus, image data P(d) obtained from an arbitrary view point d is selected from image data P(1), P(2), ..., P(N).
    画像データＰ（１）、Ｐ（２）、…、Ｐ（Ｎ）の中から、任意の視点ｄの画像データＰ（ｄ）が選択される。 - 特許庁
  • Some theory insists that phonemes except for/s, z/ (/k, g/,/t, d/,/n/,/h, b/,/p/,/m/ and/r/) were palatalized.
    音素/s,z/以外の/k,g/、/t,d/、/n/、/h,b/、/p/、/m/ならびに/r/においては口蓋化があったとする説もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • D/P CREATININE MARKER, METHOD OF DETERMINING D/P CREATININE AND APPLICATION THEREOF
    Ｄ／Ｐクレアチニンマーカー、Ｄ／Ｐクレアチニン決定方法およびその用途 - 特許庁
  • A ratio (D/P) of depth D of each of recesses of a transfer mold to a pitch P of the recesses is in a range of 0.05 to 0.45.
    転写型の凹部の深さＤとピッチＰとの比率Ｄ／Ｐは、０．０５〜０．４５である。 - 特許庁
  • A variable conversion means 104 generates e=a^αb^β mod p, g=c^αd^β mod p, h=c^γd^δ mod p using prime numbers p and q that specify finite group, original elements a, b, c, and d, and random numbers α, β, γ, and δ.
    変数変換手段104は、有限群を指定する素数p,qと、元の要素a,b,c,dと、乱数α,β,γ,δを用いて、e=a^αb^β mod p,g=c^αd^β mod p,h=c^γd^δ mod pを生成する。 - 特許庁
  • (d) 2-nitrodiphenylamine or N-methyl-P-nitroaniline
    ニ　二—ニトロジフェニルアミン又はＮ—メチル—Ｐ—ニトロアニリン - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Code Listing2.7: Recommended defaults cvs -qdiff -u -b -Bcheckout -Pupdate -d -P
    コード表示2.7:オススメのデフォルト - Gentoo Linux
  • P_n=A_D×EXP(-k_n×n) (1).
    Ｐ_ｎ＝Ａ_Ｄ×ＥＸＰ（−ｋ_ｎ×ｎ） （１） - 特許庁
  • A hot carrier life is estimated by a hot carrier life model having a feature of τ∝I_p^-m.I_d^m-2 by setting τ as the life, I_p as light quantity of light emission of the MOS transistor, I_d as a drain current and (m) as a fitting parameter.
    τを寿命、I_pをMOSトランジスタの発光の光量強度、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ∝ I_p^-m・I_d^m-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁
  • A noise extract means 22 extracts noise component N(p) being the difference between the non-sensing image signal D(p, d) and the discrimination image signal Cave(p).
    ノイズ抽出手段２２が、不感画像信号Ｄ（ｐ，ｄ）と判定画像信号Ｃ_ave （ｐ）との差であるノイズ成分Ｎ（ｐ）を抽出する。 - 特許庁
  • Formula 2: 3.6×(P+30)/100≤D≤5.2×(P+65)/100 and formula 3: 0.013×P≤t≤0.36×D.
    式２ ： ３．６×（Ｐ＋３０）／１００≦ Ｄ ≦５．２×（Ｐ＋６５）／１００ 式３ ： ０．０１３×Ｐ≦ ｔ ≦ ０．３６×Ｄ - 特許庁
  • It is preferred that 1<D/d≤2.5 where D is outer diameter of spiral and d is diameter of wire material of spiral wire material, while 3≤P/d≤8 where P is spiral pitch and d is diameter of wire material of spiral wire material.
    好ましくは、前記螺旋線材の螺旋外径Ｄと線材径ｄとが、１＜Ｄ／ｄ≦２．５、および、螺旋線材の螺旋ピッチＰと線材径ｄとが、３≦Ｐ／ｄ≦８を満足する締結部材。 - 特許庁
  • In this method, both of the three-phase voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source and the three-phase voltages Ua-g, Ub-g, and Uc-g of the power grid are detected, and the detected voltage is converted into the two components Ud-com and Uq-com on a d-q face.
    本発明の方法は、補助電源の三相電圧Ua＿p，Ub＿p及びUc＿pとパワー・グリッドの三相電圧Ua＿g，Ub＿g及びUc＿gの両方を検出し、検出された電圧をd-q面上の2成分Ud＿com及びUq＿comに変換する。 - 特許庁
  • When the voltage range of the analog input signal is VIN_p-p, the full scale range of a sub A/D converter 9 is switched to VIN_p-p, and the gain of an operational amplifier circuit 11a is switched into single.
    アナログ入力信号の電圧レンジがＶＩＮ_p-p のときに、サブＡ／Ｄコンバータ９のフルスケールレンジはＶＩＮ_p-p に切り替えられ、演算増幅回路１１ａの利得は１倍に切り替えられる。 - 特許庁
  • A comparative determination device 24 calculates a distance d(h_k, g_p) between the sample image I_k and a non-target image J_p.
    比較判定装置２４は、サンプル画像Ｉ_kと対象外画像Ｊ_pとの距離である距離ｄ（ｈ_k、ｇ_p）を計算する。 - 特許庁
  • An ECU 11 estimates each of wheel diameters D_a-D_d based on respective air pressures P_a-P_d of wheels 3a-3d, and calculates target wheel speeds WS_a*-WS_d* for respective wheels 3a-3d based on the wheel diameters D_a-D_d.
    ＥＣＵ１１は、各車輪３ａ〜３ｄの空気圧Ｐ_ａ〜Ｐ_ｄに基づいて各車輪径Ｄ_ａ〜Ｄ_ｄを推定し、当該各車輪径Ｄ_ａ〜Ｄ_ｄに基づいて、車輪３ａ〜３ｄ毎に目標車輪速ＷＳ_ａ*〜ＷＳ_ｄ*を演算する。 - 特許庁
  • A pitch P_A of the repetitive pattern is equalized to a minimum pitch P_D of a device pattern.
    繰り返しパターンのピッチＰ_Ａは、デバイスパターンの最小ピッチＰ_Ｄと等しくする。 - 特許庁
  • An outer ring 3a is formed so as to have a large thickness and the pitch circle diameter D_p of balls 6 are shifted to the inside diameter side of the ball bearing.
    外輪３ａを厚肉にして、各玉６のピッチ円直径Ｄ_P を内径側にずらせる。 - 特許庁
  • Rules 20 to 23, shall apply, mutatis mutandis, to industrial designs and for this purpose the letter “P,” in Rule 23, shall be read as the letter “D.”
    第20規則乃至第23規則は、意匠に準用され、準用の目的上、第23規則の「P」の文字は「D」の文字と読み替えられる。 - 特許庁
  • Piercing pieces insertion grooves 16X, 16Y are formed on the base plate 10 at corresponding positions to the flat conductors A to D, and P to Q.
    ベースプレート10にはフラット導体A〜D、P〜Qに対応する位置に突き刺し片挿入溝16X、16Yを形成する。 - 特許庁
  • These electrons are generated as a result of electron avalanche in the p-D-M structure or injection process in the n^+-p-D-M structure.
    これらの電子は、ｐ−Ｄ−Ｍ構造における電子なだれまたはｎ^＋−ｐ−Ｄ−Ｍ構造における注入プロセスの結果として生成される。 - 特許庁
  • [Here, D is the impact diameter (μm) of the ink impacted on the substrate and P is the impact pitch (μm) of the ink on the substrate].
    （ここで、Dは基板上に着弾したインクの着弾径（μm）を表し、Pは基板上でのインクの着弾ピッチ（μm）を表す。） - 特許庁
  • To provide a formation method of self-aligned double pattern capable of improving a substrate processing method using a double patterned shadow (D-P-S) procedure and a subsystem.
    本発明は、二重パターニングされたシャドー(D-P-S)手順及びサブシステムを用いた基板処理方法の改善を目的とする。 - 特許庁
  • The relation between the pitch p of the rivet 4 and a diameter d of the rivet 4 is constituted so as to satisfy 2.0<p/d<2.5.
    そして、リベット４のピッチｐとリベット４の直径ｄとの関係が、２．０＜ｐ／ｄ＜２．５を満足するように構成されている。 - 特許庁
  • If the diameter of each lens is expressed as D, and the lens arrangement interval is expressed as P, P<D is established.
    そして、前記各レンズの口径をＤとし、前記各レンズの配列間隔をＰとしたとき、Ｐ＜Ｄにされる。 - 特許庁
  • The (D-P-S) generation process may comprise: a deposition process, an activation process, a deprotection process, a sidewall angle (SWA) correction process, and a double patterning (DP) developing process.
    前記(D-P-S)生成工程は、堆積工程、活性化工程、脱保護工程、側壁角(SWA)訂正工程、及び二重パターニング(DP)現像工程を有して良い。 - 特許庁
  • A storage unit 12 stores N pieces of speech data D[1] to D[N] for indicating speech collected at different positions P[1] to P[N] in a space R.
    記憶装置１２は、空間Ｒ内の相異なる位置Ｐ[1]〜Ｐ[N]にて収音された音声を示すＮ個の音声データＤ[1]〜Ｄ[N]を記憶する。 - 特許庁
  • A formation method of self-aligned double pattern is capable of providing a substrate processing method using a double patterned shadow (D-P-S) processing.
    本発明は、二重パターニングされたシャドー(D-P-S)処理を用いた基板処理方法を供することができる。 - 特許庁
  • The actual cylinder injection quantity M_d and intake port injection quantity M_p are calculated based on these calculated values.
    そして、これらの算出値に基いて実際の筒内噴射量Ｍ_dと吸気ポート噴射量Ｍ_pとを算出する。 - 特許庁
  • The relation of P<D is established between mean particle diameter D μm of the powder and average pitch P μm of the flow passages 54.
    磁石粉末の平均粒径をＤμｍ、ガス流路５４の平均ピッチをＰμｍとしたとき、Ｐ＜Ｄの関係が成り立つ。 - 特許庁
  • Thus, by changing positions where to attach the connecting bars 22H, 22M, connection patterns of the flat conductors A to D and P to R can be varied.
    接続バー22H、22Mを装着する位置を変えることにより、フラット導体A〜DとP〜Rの接続パターンを変えることができる。 - 特許庁
  • A formation method of self-aligned double pattern of the present invention is capable of providing a substrate processing method using a double patterned shadow (D-P-S) processing.
    本発明は、二重パターニングされたシャドー(D-P-S)処理を用いた基板処理方法を供することができる。 - 特許庁
  • The steering rigidity is reduced by setting respective gains K_P, K_I, K_D of the PID control to a lower degree by a gain setting part 26.
    ゲイン設定部２６がＰＩＤ制御の各ゲインＫ_P ，Ｋ_I ，Ｋ_D を低く設定することにより、ステアリング剛性を低下させる。 - 特許庁
  • A ratio (D/P) of depth D of each of a plurality of recesses formed at a transfer mold to a pitch P of the plurality of recesses is in a range of 0.05 and 0.45.
    転写型に形成された複数の凹部の深さＤと複数の凹部のピッチＰとの比率Ｄ／Ｐは、０．０５〜０．４５の範囲である。 - 特許庁
  • A deposit center 1 gives encryption keys e, d, p, to a master terminal 3.
    供託センター１は暗号鍵ｅ,ｄ,ｐを親端末機３へ与える。 - 特許庁
  • A data storage position i for storing road surface displacement amount x__road at a preview position D_p showing a road surface position to be a detection object when a sensor distance z__ssr is detected by a preview sensor 63 is calculated based on the preview position D_p.
    プレビューセンサ６３によりセンサ距離z__ssrが検出されたときに検出の対象とされた路面位置を表すプレビュー位置D_pに基づいて、そのプレビュー位置D_pにおける路面変位量x__roadを記憶するためのデータ記憶位置iが演算される。 - 特許庁
  • A separation distance D between the P layer 22, 23 is set at 50 μm or smaller.
    Ｐ層２２，２３間の分離距離Ｄは５０μｍ以下に設定されている。 - 特許庁
  • Each of seats D, P, RR and RL is provided with separate voice information output sections 202 and 204.
    各座席（Ｄ，Ｐ，ＲＲ，ＲＬ）に個別音声情報出力部２０２，２０４を設ける。 - 特許庁
  • The external output terminals P are connected to the data line D of the display panel.
    外部出力端子Ｐは、表示パネルのデータ線Ｄに接続される。 - 特許庁
  • The thickness d of the liquid crystal layer is set to be larger than the interval p.
    そして、液晶層の厚みｄは間隔ｐよりも大きく設定する。 - 特許庁
  • The electrooptical device D is equipped with a plurality of unit circuits P.
    電気光学装置Ｄは複数の単位回路Ｐを具備する。 - 特許庁
  • Backup pipes P_n-1, P_n and P_n+1 are branched off from buried pipes D_n-1, D_n and D_n+1 and one end of each of the backup pipes is allowed to protrude over the ground.
    埋設配管Ｄ_ｎ−１，Ｄ_ｎ，Ｄ_ｎ＋１から複数の予備配管Ｐ_ｎ−１，Ｐ_ｎ，Ｐ_ｎ＋１を分岐させ、各予備配管の片端を地上に突出させる。 - 特許庁
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 19 20 次へ＞

例文データの著作権について